Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystory CoolMOS

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Pomiary termiczne dla weryfikacji wartości strat łączeniowych w półprzewodnikowych przyrządach mocy

Nowak M., Grzejszczak P., Zdanowski M., Barlik R.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

R. 88, nr 4b

163-168

Artykuł jest poświęcony prezentacji prac badawczych mających na celu rozwinięcie metod pomiaru strat łączeniowych w szybkich łącznikach półprzewodnikowych jak MOS oraz IGBT. Przy projektowaniu przekształtników pracujących z dużą częstotliwością łączeń określenie strat łączeniowych na podstawie rejestrowanych przebiegów napięcia i prądu jest trudne i nie daje jednoznacznych wyników. W pracy przedstawiono metodę ilościowego wyznaczania strat energii przy załączaniu i wyłączaniu tranzystorów z zastosowaniem obrazu zarejestrowanego za pomocą kamery termograficznej.

In the paper investigations dedicated to development of measurement methods of power loss in fast semiconductor switches such as MOSFET or IGBT are presented. During the design of converters with high switching frequencies the estimation of switching power losses based on recorded switch current and voltage curves is difficult and does not provide adequate results. The method of quantitative measurement of semiconductor switch power losses with the use of thermal steady state picture registration is described and illustrated with laboratory result examples.

Dobór tranzystorów falownika 300VDC/100kHz do pracy w podwójnym mostku aktywnym

Nowak M., Grzejszczak P., Zdanowski M., Barlik R.

Przegląd Elektrotechniczny

2011

R. 87, nr 11

60-63

W referacie przedstawiono studium doboru tranzystorów do mostka wysokonapięciowego 300V na przykładzie prototypowego przekształtnika stosowanego do sprzęgania źródeł napięcia – podwójnego mostka aktywnego o wysokiej częstotliwości pracy 100 kHz. Jako kryterium oceny przyjęto minimalne straty energii występujące w łącznikach. Dla grupy wstępnie wyselekcjonowanych handlowych tranzystorów typu MOSFET oraz superszybkich IGBT wyznaczono i porównano straty energii w charakterystycznych warunkach pracy. Przy szacowaniu strat przewodzenia posłużono sie symulacjami na podstawie parametrów katalogowych natomiast przy wyznaczenia strat łączeniowych przeprowadzono badania laboratoryjne.

In this paper a study of the transistors selection suitable for a high voltage 300V bridge, being part of a laboratory prototype of a bidirectional dc/dc interface (DAB) working with the frequency of 100 kHz, is presented. The basis for this selection is the minimum energy lost in the inverter switches. For the group of fast switching IGBTs and different types of high voltage MOSFETs (as CoolMOS, MDmeshMOS and others) available in the market energy losses were estimated. In the case of conducting losses, the simulation model based on a data sheet parameter was used and the switching losses were measured in a laboratory.