Zaproponowano kompletny, stałoprądowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależność podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.
EN
A complete DC MAGFET model and its verification is presented. The proposed model takes into account a phenomenon of the source current division into two drain terminal currents.
Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
EN
Small-signal model for the MAGFET, in which mutual interaction between drain voltages is taken into account, is derived and a discussion of obtained results is presented.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.