Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

1 2007

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystor typu HSD MAGFET

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET

Kordalski W., Boratyński B., Panek M., Polowczyk M., Zborowska-Lindert I., Ściana B., Szymański K., Woźniak J.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

2007

T. 14

665-674

Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawiska podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prądy drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie funkcji podziału prądu źródła tranzystora.

An analytical self-consistent DC model of a horizontally split-drain magnetic field-effect transistor (HSD MAG-FET) bas been elaborated. The MAGFET-type sensors ale known and valued because of their high magnetic field sensitivity and high measurement spatial resolution. The proposed model takes into account a phenomenon of the source current division into two drain terminal currents. In the model, a mathematical function of the transistor current splitting, based on the drain currents magnitudes, ID1 and ID2 dependency on the drain bias voltages, VDS1 and VDS2 is introduced and explained.