PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystor polowy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Experimental research of the analog multiplier based on field-effect transistors
Kurytnik I. P., Kucheruk V., Kulakov P., Vasilevskyi O.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 11
190--193
EN
The article presents the results of mathematical analysis and experimental studies of analog multiplier based on field-effect transistors. It is established that such multiplier has a wider dynamic range of input signals and a low level of output signal combinational components.
PL
Artykuł prezentuje wyniki analizy matematycznej i doświadczeń eksperymentalnych mnożnika analogowego opartego na tranzystorach polowych. Ustalono, że taki mnożnik posiada szerszy zakres dynamicznych sygnałów wejściowych i niski poziom składowych kombinowanych sygnałów wyjściowych.
2
Content available remote Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for electronic sensing applications
Łuszczek M., Turzyński M., Świsulski D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 10
170-172
EN
A top-gated Graphene Field-Effect Transistor (GFET) suitable for electronic sensing applications was modelled. The applied simulation method reproduces correctly the output transfer GFET characteristics and allows to investigate doping effect caused by different physical, chemical or biological factors. The appearance of additional charge in the system results in the shift of the current-voltage characteristic. This feature could be employed to measure the external factor intensity.
PL
Przedstawiono model grafenowego tranzystora polowego (GFET). Zastosowana metoda symulacyjna pozwala poprawnie odtworzyć charakterystyki tranzystora GFET i badać efekt domieszkowania wywołanego przez czynniki fizyczne, chemiczne i biologiczne. Pojawienie się w układzie dodatkowego ładunku powoduje przesunięcie charakterystyki prądowo-napięciowej, co może być wykorzystane do pomiaru wielkości działającego czynnika zewnętrznego.
3
Content available remote Organiczne elementy i urządzenia elektroniczne: techniki wytwarzania i właściwości
Głowacki I.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 10
61-64
PL
Dokonano przeglądu technik wytwarzania elementów i urządzeń elektronicznych z roztworów i atramentów materiałów organicznych. Zaprezentowano warstwy przewodzące z mieszaniny poli(3,4-dioksyetylenotiofenu) z polistyrenem sulfonowanym (PEDOT/PSS) i ścieżki ze srebra wytworzone na podłożu polimerowym, metodą druku strumieniowego w warunkach przemysłowych. Postęp i ograniczenia w zastosowaniu materiałów organicznych w drukowanej elektronice wykazano na przykładach: tranzystora polowego, diody i tranzystora elektroluminescencyjnego, wytworzonych w warunkach laboratoryjnych.
EN
The review of the techniques for the fabrication of the electronic elements and devices based on organic solutions and inks was done. There was presented the conductive layers of poly(3,4-ethylenedioxythio-phene)/poly(styrenesulfonate) blend (PEDOT/PSS) and silver paths fabricated under industrial conditions on the flexible substrates. The progress and limitations of the organic materials applications for printed electronics were shown based on examples of field effect transistors, electroluminescent diodes and transistors. The presented devices were prepared under laboratory conditions.
4
Technologia Osadzania Warstw Atomowych : zastosowania w elektronice
Godlewski M., Guziewicz E., Łuka G., Gierałtowska S., Krajewski T. A., Wachnicki Ł.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
82-84
PL
W pracy omówiony jest postęp w miniaturyzacji tranzystorów polowych w układach scalonych, który zawdzięczamy wprowadzeniu do linii produkcyjnych nowej technologii osadzania warstw dielektryków podbramkowych - technologii Osadzania Warstw Atomowych (ALD). Zalety tej metody są krótko omówione. Omówione są także możliwe zastosowania tlenku cynku w przyrządach elektronicznych.
EN
We describe shortly further progress in miniaturization of field effect transistors in integrated circuits, which was possible due to introduction of a new deposition method (Atomic Layer Deposition, ALD) in produetion lines for deposition of gate oxides. Advantages of the ALD method are shortly summarized. We also discuss possible use of zinc oxide in electronic devices.
5
A current - controlled FET
Kordalski W.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2007
|
T. 14
635-647
EN
A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenom-ena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated to low-power and low-voltage integrated circuit applications and besides it can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. As an element of analog integrated circuits, it can be applied to realize, e.g., a potential-free current amplifier, an operational potential-free current amplifier (scaling, summation, subtracting, differentiating, and integrating), and a voltage-current multiplier.
PL
W pracy zaproponowano nowy przyrząd półprzewodnikowy, mianowicie prądowo sterowany tranzystor polowy z izolowaną bramką zawierający dwa poziomo dzielone dreny (płaszczyzna podziału drenów jest równoległa do powierzchni półprzewodnika). Zasada działania tranzystora oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych, zjawisku łagodnego odrywania się kanału i prawie Biota-Savarta-Laplace'a. Pracą przyrządu można sterować jednocześnie za pomocą dwóch elektrod - prądowej i napięciowej. Zaproponowano także zastosowania nowego tranzystora jako elementu wybranych bloków analogowych układów scalonych.
6
Content available Ultraszerokopasmowy rozłożony wzmacniacz kaskadowy
Kral J.
Elektrotechnika i Elektronika
|
2006
|
T. 25, z. 2
106-112
PL
W opracowaniu przedstawiono kaskadowy wzmacniacz rozłożony zdolny do przenoszenia ekstremalnie szerokich pasm częstotliwości przy dużym (multiplikatywnym) wzmocnieniu. Przedstawiono koncepcję wzmacniacza i wyprowadzono zależności na wzmocnienia napięciowe i mocy jego bezstratnej i unilateralnej wersji. Poddano szczegółowej analizie podstawowe bloki wzmacniacza oraz sformułowano kryteria doboru elementów. Przedstawiono też porównawcze wyniki symulacji wzmacniacza ze stratami własnymi użytego modelu tranzystora. Praca ma znaczenie praktyczne, bowiem zaprojektowane zgodnie z nią elementy wzmacniacza mogą stanowić dobre wartości początkowe procesu optymalizacji komputerowej.
EN
Cascaded Single Stage Distributed Amplifier (CSSDA) is presented. Amplifier gain formulas are derived for lossless and unilateral version. Fundamental parts of amplifier are submitted to detailed discussion and criteria of elements' selection are formulated. Comparative results of amplifier simulation with loss transistor model are quoted. The paper is of practical importance since it shows how to design elements' values which can be good starting point for computer optimization.
7
Content available remote Projektowanie szerokopasmowych addytywnych wzmacniaczy rozłożonych
Kral J.
Elektrotechnika i Elektronika
|
2006
|
T. 25, z. 1
38-47
PL
W pracy zaprezentowano (konwencjonalne) wzmacniacze rozłożone, rzadko opisywane w publikacjach wydawanych w kraju, i omówiono ich części składowe (linie transmisyjne naturalne i sztuczne). Przedstawiono i przedyskutowano zależności na wzmocnienie wzmacniacza zarówno przy pominięciu, jak i uwzględnieniu strat w układzie. Zobrazowano przebiegi różnych charakterystyk układu dla konkretnie przyjętego tranzystora. Przedstawiono procedurę projektowania wzmacniacza oraz wyniki symulacji zaprojektowanej struktury w wersjach z różnymi liniami bez strat i ze stratami.
EN
Rarely met in Polish literature conventional distributed amplifiers are presented and their components (natural and artificial transmission lines) are discussed. Amplifier power gain formula for lossless and lossy structures is derived and discussed. Yarious characteristics are calculated and illustrated. Amplifier design procedure is presented as well as simulation results of some structures with lossless and lossy transistor model.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.