Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystor mikrofalowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Stan technologii mikrofalowych elementów z azotku galu

Góralczyk M., Gryglewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2018

Vol. 59, nr 1

20--23

W referacie przedstawiono parametry mikrofalowych tranzystorów i układów scalonych z azotku galu wytwarzanych przez wiodących producentów. Możliwości aplikacji tranzystorów GaN HEMT w postaci chipów oraz w obudowach zaprezentowano na przykładach skonstruowanych wzmacniaczy o mocy wyjściowej 250 W CW na pasmo ISM2.45 GHz dla systemów grzania mikrofalowego. Dla porównania przedstawiono wzmacniacz o podobnych parametrach, ale wykonany przy użyciu tranzystorów Si LDMOSFET. Jednym z istotnych zagadnień jest wykorzystanie tranzystorów GaN HEMT do budowy wzmacniaczy niskoszumnych (LNA) na tyle odpornych, aby można było zrezygnować z ogranicznika standardowo umieszczanego na wejściu toru odbiorczego modułu N/O radarów z elektronicznie sterowaną wiązką (AESA). Dlatego zaprojektowano wzmacniacz LNA z tranzystorem GaN HEMT, którego parametry są następujące: współczynnik szumów F≤2.1 dB i wzmocnienie G≥11dB w pasmie 9÷10 GHz przy odporności na sygnały niepożądane o mocy ponad 42 dBm.

In the paper the parameters of microwave GaN HEMT transistors and monolithic integrated circuits (MMIC) fabricated by leading global foundries are presented. As examples of applications the GaN HEMT chips and in packages were used to design 250 W(CW) ISM2.45GHz band amplifiers for microwave heating. For comparison the 250 W amplifier with Si LDMOSFET was also designed. The GaN components have the future in T/R modules of active electronically scanned array AESA both in a receive part and transmit part. Therefore X-band low noise amplifier (LNA) with GaN HEMT was designed. The LNA parameters are as follow: noise figure F≤2.1dB, gain G≥11dB over a 9 to 10 GHz frequency range and the robust for high input power is better than 42dBm. It can thus dispense with limiter which is located at the input receive part of T/R module.

Perspektywy wytwarzania zintegrowanych modułów N/O z wykorzystaniem krajowej technologii GaN HEMT

Wojtasiak W., Gwarek W.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

2015

nr 6

639--643

Polski przemysł radiolokacyjny stoi przed wyzwaniem dotyczącym zasadniczej zmiany technologii. Dla utrzymania konkurencyjności nie tylko na rynku międzynarodowym, ale również krajowym, konieczny jest skok technologiczny co najmniej o dwie generacje. Istnieje potrzeba wdrożenia technologii dla wykonania zasadniczych elementów w formie monolitycznych układów scalonych. Przedstawiono kierunki światowe w produkcji modutów nadawczo-odbiorczych do zastosowań radiolokacyjnych, postępy prac nad krajową technologią GaN HEMT na monokrystalicznym podłożu GaN oraz perspektywy własnej produkcji modułów N/O o możliwie maksymalnej skali integracji.

Polish radar industry is facing a challenge of decisive change of technology. For maintaining its competitiveness not only at the international market but also at the national market it needs a disruptive change of technology by two generations. It will not be sufficient just to switch to semiconductor radars based on lumped active elements. The key elements must be manufactured in monolithic technologies. That kind of approach is nów morę realistic on the base of currently widely conducted research on GaN HEMT technologies on various substrates: sapphire, SiC and monolithic GaN. In the paper the intemational trends in the technology of T/R modules for radar application have been discussed. Some new research achievements in the area of GaN HEMT technology on monolithic GaN substrates have been presented. The possibilities of local production of T/R modules with highly advanced level of integration have been outlined.