Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystor dwubramkowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model prądu drenu i pojemności w dwubramkowym tranzystorze MOS o krótkim kanale

Sawicka A., Łukasiak L., Jakubowski A., Tomaszewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 2

80-84

Przedstawiono nowy model prądu drenu i pojemności w symetrycznym, niedomieszkowanym, dwubramkowym tranzystorze MOS. Model obejmuje wybrane efekty krótkiego kanału (zależność napięcia progowego od długości kanału, nasycenie prędkości nośników, modulacja efektywnej długości kanału i napięcia dren-żródło, wzrost gęstości ładunku w kanale indukowany napięciem drenu, obniżenie wysokości bariery indukowane napięciem drenu). Model zaimplementowano w języku opisu sprzętu Verilog-A, a jego dokładność została zweryfikowana w oparciu o symulacje przeprowadzone za pomocą pakietu ATLAS.

A new model of drain current and capacitances in a symmetrical, undoped DG MOSFET is proposed. The new model includes several short-channel effects (dependence of threshold voltage on channel length, velocity saturation, effective channel-length and drain-source voltage modulation, drain-induced charge enhancement, drain induced barrier lowering). The model was implemented in Verilog-A Hardware Description Language. Its accuracy is verified by means of a comparison with ATLAS simulations.

Two-Dimensional Analytical Model for Channel Lenght Modulation in Lightly-Doped DG FETs

Weidemann M., Kloes A., Schwarz M., Iniguez B.

Electronics and Telecommunications Quarterly

2009

Vol. 55, No 4

549-562

With this paper we publish a possibility to calculate the shortening of the channel in SOI DoubleGate FETs operating in saturation with a 2D analytical solution of Poisson's equation. The model inherently includes 2D effects by solving the differential equation with conformai mapping technique and does not introduce unphysical fitting parameters. Also these fitting parameters have only a minor influence on the model results. We compared our model to numerical data based on TCAD Sentaurus simulations and it is in good agreement with the results.