Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystor SiC-JFET

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza stanów awaryjnych w trójfazowych falownikach z tranzystorami SiC-JFET

Rąbkowski J., Zdanowski M., Barlik R., Nowak M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 2

110-115

W pracy omówiono stany awaryjne i zagrożenia występujące w trójfazowych falownikach z normalnie załączonymi tranzystorami SiC JFET. Dokonano analizy możliwości wystąpienia zagrożeń dla typowych układów falownika napięcia, falownika typu "Z" oraz falownika prądu. Zaprezentowano kompleksowy system zabezpieczeń trójfazowego falownika prądu oraz omówiono algorytm działania systemu nadzoru i monitorowania sygnałów w stanach awaryjnych. Przedstawiono wyniki badań prezentujące działanie systemu zabezpieczeń dla różnych przypadków zwarć w obwodzie głównym falownika, wynikających rn.in. z zaniku napięć pomocniczych układu sterowania.

In this paper fault modes and problems appearing in three phase inverters with normally on SiC JFET transistors are presented. The possibility of the appearance of threats at typical inverters like Voltage Source Inverter, "Z" Source Inverter and Current Source Inverter are explored. Comprehensive security system of three phase Current Source Inverter are presented and algorithm of protection system and monitoring system of error signals are discussed. Results of the laboratory tests shows action of a protection system for the various cases of faults in the system and the auxiliary voltage loss are presented.

Trójfazowy falownik prądu PWM z tranzystorami SiC JFET

Rąbkowski J., Zdanowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 2

23-27

W artykule przedstawiono zagadnienia związane z projektowaniem, budową i badaniami trójfazowego falownika prądu z tranzystorami SiC JFET. Omówiono podstawowe właściwości tranzystora SiC JFET 1,2 kV/5 A i przedstawiono odpowiedni sterownik bramkowy. Pokazano obliczenia strat mocy, które porównano z krzemowymi elementami półprzewodnikowymi. Dokonano doboru radiatora, a także poszczególnych elementów biernych układu. Pokazano przebiegi wartości chwilowych prądów i napięć oraz sprawność przekształtnika o mocy 2 kVA pracującego przy częstotliwości przełączeń 100 kHz. Ponadto zaprezentowano rozkład temperatury elementów półprzewodnikowych zarejestrowany kamerą termowizyjną. Przeprowadzone badania wyraźnie wskazują na korzyści wynikające ze stosowania nowych elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu, które wchodząc w skład urządzeń energoelektronicznych znacznie polepszają ich parametry.

In the paper issues of design, construction and test of three-phase current source inverter with Silicon Carbide JFETs. Basic properties of SiC JFET and its gate driver are presented. Calculations of the semiconductor power losses using SiC and silicon elements are compared, then heatsink and passive elements selection is discussed. Voltages and currents waveforms as well as efficiency of 2 kVA laboratory model are presented. Moreover thermal images of the semiconductor elements at nominal power are shown. Conducted tests prove improvements of the power electronics converters using new silicon carbide devices.