PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystor SiC MOSFET
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Badania quasi – rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC
Zimoch P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 7
183--186
PL
Artykuł opisuje badania sprawności dwufazowego przekształtnika DC/DC boost ZVS. W układzie zastosowano trzy warianty zaworów: tranzystorów i diod Si, wariant mieszany – tranzystory SiC MOSFET i diody Si, oraz wariant „full SiC” z tranzystorami SiC MOSFET i diodami SiC Schottky. Średnio uzyskano wzrost sprawności o około 7 punktów procentowych po zastosowaniu SiC MOSFET i wzrost o dalsze 0,9 p.p. po wprowadzeniu diod SiC.
EN
The paper presents results of efficiency measurement of a 600 kHz interleaved, zero-voltage switching, two-phase boost converter. Three sets of semiconductor devices were used: silicon MOSFETs and diodes, SiC MOSFETs and Si diodes, and a “full SiC” set with SiC MOSFETs and SiC diodes. On average efficiency had risen nearly 7 percentage points after implementing SiC MOSFETs and a further 0,9 p.p. increase was recorded after using SiC Schottky diodes.
2
Content available remote DC-DC converter based on silicon carbide (SiC) power devices with P+ based current controller
Niewiara Ł. J., Tarczewski T., Grzesiak L M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 6
18--24
EN
In this paper an investigation of voltage control system with P+ current controller for a DC-DC converter is presented. A DC-DC converter based on silicon carbide power devices were used. Synchronous buck topology is used for converter structure. Mathematical model of the converter is presented. The dependence between converter working conditions (i.e. input voltage, load current, switching frequency) and passive LC components is also given. A modified current control method based on P+ structure is considered. Proposed algorithm is compared with a traditional cascade structure based on PI type controllers. Output voltage and coil current dynamics were investigated. Experimental tests results were presented.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań układu regulacji napięcia przetwornicy DC-DC z regulatorem prądu typu P+. Zastosowano przetwornicę DC-DC z łącznikami na bazie węglika krzemu. Przetwornica została wykonana w topologii obniżającej napięcie. Przedstawiony został model matematyczny przetwornicy. Opisano także zależność pomiędzy warunkami pracy przetwornicy (np. napięcie wejściowe, prąd obciążenia, częstotliwość kluczowania) a parametrami elementów pasywnych LC. Przedstawiono propozycję struktury zmodyfikowanego regulatora prądu typu P+. Rozważany algorytm porównano z tradycyjnym algorytmem PI. Przedstawione badanie eksperymentalne dotyczą dynamiki napięcia wyjściowego oraz prądu dławika.
3
Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE
Sak T., Parchomiuk M.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2013
|
R. 81, nr 8
38--41
PL
Przedstawiono wyniki badań tranzystora CMF20120D wykonanego z węglika krzemu w standardowym teście dwupulsowym.
EN
The paper presents results of tests (standard two-pulse tests) of CMF20120D transistor made of silicon carbide.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.