Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2008

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystor SOI MOSFET

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Charakteryzacja struktur SOI za pomocą 3-poziomowej metody pompowania ładunku

Głuszko G., Łukasiak L., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 1

72-74

Przedstawiono próbę wyznaczenia energetycznego rozkładu gęstości pułapek powierzchniowych na górnej powierzchni granicznej dielektryk-półprzewodnik struktur SOI (diod PIN z bramką oraz tranzystorów MOS) za pomocą trójpoziomowej metody pompowania ładunku. Otrzymane wyniki zweryfikowano poprzez porównanie z rezultatami charakteryzacji dwupoziomową metodą pompowania ładunku.

This paper presents for the first time the results of 3-level chargepumping measurements of SOI structures. Transistors with body contact as well as PIN gated diodes are used in measurements. The aim of these measurements is to provide information on the energy distribution of interface traps at the front Si-SiO2 interface.