PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 1 Przegląd Elektrotechniczny
Autorzy help
  1. 1 Szelągowska J.
Lata help
  1. 1 2018
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystor SJT
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT
Szelągowska J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 8
75--78
PL
W pracy przedstawiono charakterystyki i parametry robocze tranzystora mocy SJT, wykonanego z węglika krzemu typu 2N7635-GA firmy GeneSiC. Przedyskutowano przebiegi tych charakterystyk oraz wartości wybranych parametrów, ze szczególnym uwzględnieniem wpływu temperatury i punktu pracy rozważanego przyrządu. Dla porównania zaprezentowano również wybrane charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.
EN
The paper presents the characteristics and operating parameters of the SJT power transistor 2N7635-GA manufactured by GeneSiC. The characteristics and values of selected operating parameters with special emphasis on the effect of temperature and operating point of considered device are discussed. For comparison, selected characteristics of the considered transistor available in the data sheet, are presented as well.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.