Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystor MOSFET mocy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Realizacja praktyczna układu do pomiaru parametrów cieplnych tranzystorów MOS mocy

Posobkiewicz Krzysztof, Data Aleksander, Górecki Krzysztof

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 1

143--146

W pracy przedstawiono autorski system pomiarowy do wyznaczania parametrów cieplnych tranzystorów mocy MOSFET umieszczonych na wspólnym podłożu. Zaprezentowano koncepcję metody pomiarowej oraz układ umożliwiający wyznaczenie własnych i wzajemnych przejściowych impedancji termicznych tranzystorów MOSFET. Przedstawiono podstawowe informacje o zastosowanych komponentach układu pomiarowego oraz opisano autorskie oprogramowanie. Pokazano i przedyskutowano przykładowe wyniki pomiarów własnych i wzajemnych przejściowych impedancji termicznych.

The paper presents an original measuring system for determining thermal parameters of power MOSFETs placed on a common base. The concept of the measurement method and the system enabling the determination of self and transfer transient thermal impedances of power MOSFETs are presented. Basic information about the applied components of the measuring system is presented and the proprietary software was described. Some measurements results of the self and transfer transient thermal impedance are shown and discussed.

Nowe niskostratne drajwery tranzystorów MOSFET mocy

Legutko P.

Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka

2013

z. 2-3

67--77

W artykule przedstawiono analizę właściwości, badania eksperymentalne i realizację wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych o częstotliwości pracy sięgającej 30 MHz. Przebadano dwa scalone, wysokoczęstotliwościowe drajwery dostępne na rynku o ozna-czeniachDEIC420 i DEIC515 oraz zaprojektowano dwa dyskretne układy własnej konstrukcji. Badania eksperymentalne przeprowadzono pod kątem analizy strat mocy oraz czasów przełączeń poszczególnych układów.

This paper presents a systematic approach to design high performance gate drive circuits for high speed switching applications. In the project tested two inte-grated drivers DEIC420, DEIC515, and additionally two discrete drivers 8xUCC27526and 4xFDMQ8203have been designed. The new MOSFET Drivers have been verified by using the universal laboratory in Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics Silesian University of Technology.