PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystor MESFET
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Charge pumping characterization of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack
Firek P., Głuszko G., Łukasiak L., Szmidt J., Jakubowski A., Sochacki M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 9
26-28
EN
The results of charge pumping measurements of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack were presented and discussed. The characterization method was used for verification of thershold voltage and trap density values obtained by static current-voltage (I-V) measurements.
PL
W pracy zaprezentowano i przeanalizowano wyniki pomiarów tranzystorów MISFET wykorzystujących dwuwarstwowy dielektryk SiO2/BaTiO3. Pomiary wykonano przy użyciu metody pompowania ładunku. Stosowana metoda charakteryzacji posłużyła do weryfikacji wartości napięcia progowego tranzystora oraz gęstości pułapek powierzchniowych uzyskanych w oparciu o pomiar statycznych charakterystyk prądowonapięciowych (I-V) tranzystora.
2
Elektrotermiczny model tranzystora MESFET
Bisewski D., Zarębski J.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2012
|
No. 71
9--16
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania. Omówiono postać autorskiego elektrotermicznego modelu rozważanego elementu półprzewodnikowego. Zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu na przykładzie dwóch tranzystorów MESFET, tj. wykonanego z arsenku galu tranzystora NE650103M firmy California Eastern Laboratories oraz wykonanego z węglika krzemu tranzystora CRF24010 firmy Cree, Inc.. Oceniono wpływ temperatury na wybrane charakterystyki statyczne wymienionych tranzystorów.
EN
The paper deals with the problem of modelling of MESFETs including self-heating phenomenon. The form of electrothermal model of considered semiconductor device is presented. The model has been verified experimentally. The results of calculations and measurements of NE650103M (California Eastern Laboratories) gallium arsenide MESFET as well as CRF24010 (Cree, Inc.) silicon carbide MESFET are given as well. An influence of temperature on selected static characteristics of the devices was examined.
3
Termiczne stany przejściowe w mikrofalowych tranzystorach MESFET z węglika krzemu
Janke W., Kraśniewski J., Oleksy M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
26-27
PL
W pracy przedstawiono sposób pomiaru i wyniki badań przejściowej impedancji termicznej współczesnych typów tranzystorów mikrofalowych dla różnych temperatur otoczenia. Obiektem badań są, tranzystory MESFET z SiC, których znaczenie rośnie, ze względu na coraz częstsze zastosowanie w układach mikrofalowych z zasilaniem impulsowym. Poza przykładowymi wynikami pomiarów, przedstawiono sposób doboru współczynników w analitycznym opisie impedancji termicznej. Na podstawie tych pomiarów wyznaczono droga, symulacji, czasowe przebiegi zmian temperatury wnętrza tranzystorów MESFET z SiC za pomocą algorytmów SARA przy pobudzaniu impulsem mocy o kształcie stosowanym w rzeczywistych układach mikrofalowych.
EN
Influence of the ambient temperature on the thermal characteristics of SiC MESFET microwave transistors is presented in this paper. Multifunctional measurement system for investigating fast thermal transients of semiconductor devices has been used. This system gives the possibility of measuring thermal transients in field-effect MESFET transistors for different excitation patterns. Based on the measurements and additional software it's possible to identify analytical parameters of measured transient thermal curves. Exemplary internal temperature changes for given excitation paterns calculated with use of SARA algorithms are presented. Typical measurement results are presented along with parameters identified for them, for chosen microwave transistors measured in different ambient temperatures.
4
Generator impulsów pikosekundowych na tranzystorach MESFET : projekt i realizacja praktyczna
Daniluk T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 6
23-25
PL
Przedstawiono projekt generatora impulsów pikosekundowych na bazie tranzystorów MESFET. Kolejnymi etapami przy realizacji generatora było opracowanie modelu tranzystora MESFET na potrzeby symulacji komputerowej, optymalizacja parametrów podzespołów w celu maksymalnego skrócenia impulsu wyjściowego, realizacja praktyczna generatora i weryfikacja parametrów w rzeczywistym układzie.
EN
The article presents a design of picosecond pulse generator based on MESFET transistors. The consecutive stages of this project are MESFET transistor model elaboration for computer simulation, optimization of parameters of individual components in order to obtain a shortest possible output pulse, practical design of generator and verification of parameters in real circuit.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.