W pracy omówiono problematykę modelowania charakterystyk tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono ocenę dokładności modelu tranzystora JFET wbudowanego w programie PSPICE poprzez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów wybranych charakterystyk statycznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP170R550 firmy SemiSouth w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano autorskie modyfikacje tego modelu wpływające na zwiększenie jego dokładności.
EN
In the paper, the problem of characteristics modelling of a JFET transistor made of silicon carbide, is presented. The accuracy of the builtin in SPICE model of JFET by comparing the results of simulations and measurements of selected static characteristics of SiC-JFET (SJEP170R550) fabricated by SemiSouth in a wide range of the ambient temperature, is evaluated. Proprietary modifications of the model, improving its accuracy, have been proposed.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów izotermicznych i nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET mocy wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP170R550 firmy SemiSouth. Zbadano wpływ temperatury oraz oceniono wpływ zjawiska samonagrzewania na parametry oraz charakterystyki tego tranzystora. Dla porównania zaprezentowano również charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.
EN
The paper presents of isothermal and non-isothermal measurements results of the static characteristics power SiC-JFET, manufactured by SemiSouth. The influence of temperature was examined and the self-heating effect phenomenon on the parameters and characteristics of transistor were evaluated. For comparison the characteristics SiC-JFET available in datasheet, were presented.
3
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystora JFET mocy, wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP120R063. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej komputerowego systemu pomiarowego. Zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w rozważanym przyrządzie półprzewodnikowym na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i wybranych parametrów występujących w modelu przejściowej impedancji termicznej.
EN
In the paper results of measurements of the thermal parameters of silicon carbide JFET, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsedelectrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistor were examined.
4
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Artykuł przedstawia przegląd rozwiązań sterowników bramkowych tranzystorów mocy z węglika krzemu. Omówiono kolejno przypadki tranzystorów złączowych (JFET): normalnie załączonych a także normalnie wyłączonych oraz sterowniki prądu bazy dla tranzystorów bipolarnych (BJT). Przedstawiono także wyniki badań eksperymentalnych – przebiegi prądów i napięć zarejestrowane w trakcie testów dwupulsowych, obrazujące procesy łączeniowe dla każdego z omawianych tranzystorów.
EN
The paper presents an overview of the gate drive units for Silicon Carbide power transistors. Solutions for two types of Junction Field Effect Transistors: normally-on and normally-off as well as base drive units for bipolar transistors (BJTs) are described. Experimental results – waveforms of the currents and voltages recorded during double-pulse tests are presented in order to illustrate switching behavior of discussed transistors.
5
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
This paper describes the design, construction and tests of 2kVA three-phase Current Source Inverter with Silicon Carbide (SiC) JFETs and Schottky diodes. Low forward voltage drops and switching energies of SiC elements result in the switching frequency increase to 100kHz and passive elements, especially inductors, are significantly reduced. Operation of the 2kVA/400VDC/3x400VAC model is illustrated by laboratory test results – measured efficiency at nominal power was 96,55%.
PL
Artykuł przedstawia projektowanie, konstrukcję i badania trójfazowego falownika prądu o mocy 2kVA zbudowanego z użyciem elementów z węglika krzemu: diod Schottky’ego i tranzystorów JFET. Małe spadki napięcia i energie przełączeń tych elementów pozwalają zwiększyć częstotliwość pracy układu do 100kHz. W efekcie elementy bierne obwodu, ze szczególnym uwzględnieniem dławików zostały znacząco zmniejszone. Działanie modelu 2kVA/400VDC/3x400VAC jest zilustrowane wynikami badań laboratoryjnych, sprawność układu przy mocy nominalnej wynosi 96,55%.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.