PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 19

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystor IGBT
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Ocena technologii montażu tranzystorów IGBT w obudowie TO-220 przez testy trwałości
Brzozowski Ernest, Sadowski Oskar, Górecki Paweł, Górecki Krzysztof, Kisiel Ryszard, Guziewicz Marek
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 11
117--121
PL
Przedstawiono wyniki testów starzeniowych tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) typu STGP10NC60KD, dostępnych komercyjnie oraz tranzystorów SIGC11T60NC zmontowanych do przepustów TO-220 następującymi metodami: 1) spiekania mikroproszku srebra, 2) klejenia żywicą, 3) lutowania, 4) lutowania z podkładką Ag. Przeprowadzono dwa kolejne testy: 1) obciążenie prądem stałym 10 A przez 100 h, 2) włączanie i wyłączanie na 5 i 10 minut, 850 przełączeń. Najlepszą trwałość wykazały przyrządy zmontowane metodą lutowania.
XX
The paper presents aging test results of commercial insulated gate bipolar (IGBT) transistors STGP10NC60KD and SIGC11T60NC transistors mounted onto Ni-plated TO-220 packages by four different methods: 1) sintering of silver micropowder, 2) by resin bonding, 3) soldering and 4) soldering with distancer. Two aging tests were performed: 1) dc load 10 A for 100 h, 2) 850 ON / OFF cycles for 5 and 10 minutes respectively. The best aging durability was observed in devices mounted by soldering.
2
Content available remote Wpływ wyboru parametru termoczułego na zmierzone wartości rezystancji termicznej tranzystora IGBT
Górecki Krzysztof, Górecki Piotr
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 12
106--109
PL
W pracy przeanalizowano problem doboru parametru termoczułego na wynik pomiaru rezystancji termicznej tranzystora IGBT. Przedstawiono metody wykonywania pomiaru rezystancji termicznej tego tranzystora przy wykorzystaniu w charakterze parametru termoczułego napięcia między bramką a emiterem lub napięcia na spolaryzowanej w kierunku przewodzenia diodzie antyrównoległej. Przedyskutowano czynniki wpływające na dokładność pomiaru realizowanego przy wykorzystaniu tych metod. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki pomiarów rozważanych parametrów uzyskanych przy wykorzystaniu omawianych metod dla różnych warunków chłodzenia badanego tranzystora. Oceniono uzyskane rozbieżności między tymi wynikami pomiarów.
EN
In this paper the problem of the selection of the thermo-sensitive parameter on the result of the measurement of thermal resistance of the IGBT is analysed. Methods of the measurements of thermal resistance of this transistor using the voltage between the gate and the emitter or voltage on forward biased antiparallel diode as the thermo-sensitive parameters are presented. Factors influencing measuring error of the considered measurement methods are discussed. Measurement results of thermal resistance obtained with the use of considered methods for different cooling conditions of the tested transistor are presented and discussed. Obtained differences between these results of measurements are evaluated.
3
Content available Eksperymentalne badania zjawiska emisji akustycznej w monolitycznych tranzystorach
Kozak Maciej, Gordon Radosław
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2019
|
No. 99
19--28
PL
Przedmiotem wielu badań prowadzonych w energoelektronice są metody diagnostyczne określające stan sprawność pracujących elementów półprzewodnikowych. Jak każdy materiał stały półprzewodniki wytwarzają fale sprężyste w przypadku zmiany stanu z przewodzenia na blokowanie i odwrotnie. Na podstawie obserwacji można zaobserwować korelację pomiędzy przełączeniami pojedynczego tranzystora IGBT a emisją sygnału akustycznego. Zapisu emisji akustycznej dokonano za pomocą szerokopasmowego czujnika EA. Sygnał został przetworzony za pomocą karty wejściowej AD ze wzmacniaczem i zarejestrowany na komputerze PC. Zebrane dane zostały wyeksportowane do pliku, co umożliwiło dalsze przetwarzanie otrzymanych danych. Celem badania było określenie tła sygnału emisji akustycznej pochodzącej od sprawnego, przełączającego tranzystora IGBT i przygotowanie wzoru odpowiedzi w dziedzinie częstotliwości. Wyniki analizy zostaną wykorzystane jako punkt odniesienia dla dalszych badań wczesnych stadiów uszkodzenia pracujących elementów półprzewodnikowych
EN
The diagnostic methods leading to determine the condition of working semiconductor components (power transistors etc.) are on the focus of many recent researches. As any solid material the semiconductors are generating elastic waves in the case of changing conductivity state. Based on the results of experimental research, a correlation can be observed between the transition between the on and off states of a single IGBT transistor and the emitted acoustic signal. Acquisition of acoustic emission signals was obtained by using a wide band acoustic emission sensor. The received signal initially was prepared by AD input card with amplifier and were recorded by computer software. Acquired data were exported the to a file, which enabled further processing of the measured signals. The aim of the study was to determine the acoustic emission background signal coming from switching IGBT transistor and preparation of frequency response pattern. The results of analysis will be used as a reference point for a further investigation of earlystage faults of semiconductors elements.
4
Content available remote Acoustic emission of monolithic IGBT transistors
Bejger A., Kozak M., Gordon R.
New Trends in Production Engineering
|
2018
|
Vol. 1, Iss. 1
755-760
EN
Due to the increasing number of applications of power semiconductor devices, more and more attention is being paid to diagnostic methods to determine the condition of working semiconductor components. On the basis of the results of experimental research, a correlation can be observed between the transition between the on/off states of a single IGBT transistor in operation and the acoustic signal emitted by it. Acquisition of acoustic emission signals was obtained using a specialized sensor from Vallen. To record the received signal, a high resolution digital oscilloscope was used, which exported the recorded signal to a file, which enabled further digital processing of the acquired signals. The aim of the study was to determine the usefulness of acoustic emission detection methods to determine the possibility of damage to an element based on the recorded acoustic signal.
5
Content available remote Bezstykowy hybrydowy ogranicznik prądów zwarciowych
Semenowicz B., Bogusławski P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 2
259--263
PL
W artykule przedstawiono budowę bezstykowego hybrydowego ogranicznika prądów zwarciowych. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych z uwzględnieniem zagadnienia jak najkrótszego wyłączania zwarcia poprzez odpowiedni dobór czasów sterowania tranzystorem IGBT.
EN
The article discusses the operation and main characteristics of contactless hybrid current limiter. The results from experiments which take into account the fastest short circuit removal by the IGBT’s on-time control was presented.
6
Content available remote IGBTs open-circuit faults diagnostic methods for the voltage inverter fed induction motor drives
Sobański P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 5
72--77
EN
In this paper an effectiveness of IGBTs open-circuit faults diagnostic methods, that are based on vector hodographs analysis, for the twolevel three-phase voltage inverter fed induction motor drive, are investigated. In accordance with the research, whose chosen results have been presented in this work, two diagnostic techniques have been validated experimentally in the direct rotor field oriented control as well as direct torque control induction motor drive. The conducted study has a comparative dimension and aims to assess the effectiveness, robustness against false alarms and speed of the fault diagnosis of the algorithms based on a rotor or stator flux estimation, depending on the control structure, or method that takes into consideration a reference voltage vector of the inverter. Additionally, simplified implementation schemes of the diagnostic systems have been presented.
PL
W artykule zweryfikowano skuteczność działania metod diagnostyki uszkodzeń polegających na braku przewodzenia prądu tranzystorów w dwupoziomowym, trójfazowym falowniku napięcia zasilającym napęd z silnikiem indukcyjnym. Prezentowane algorytmy zostały oparte na analizie hodografów wybranych zmiennych stanu napędu w układzie bezpośredniego sterowania polowo zorientowanego ze strumieniem wirnika oraz bezpośredniego sterowania momentem elektromagnetycznym. Celem przeprowadzonych badań, które mają charakter porównawczy, jest weryfikacja skuteczności diagnozy, odporności na generowanie fałszywych alarmów oraz szybkości lokalizacji nieprawidłowo funkcjonujących tranzystorów, w przypadku analizowanych metod diagnostycznych, opartych na estymowanym strumieniu wirnika bądź stojana oraz algorytmu, w którym jest wykorzystywany wektora zadanego napięcia falownika. W artykule zaprezentowano również proste metody realizacji praktycznej systemów diagnostyki awarii tranzystorów.
7
Content available remote Analysis of chosen IGBT faults diagnostic variables in AC/DC line-side converter
Sobański P., Orłowska-Kowalska T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 5
66--71
EN
In this paper single IGBT open-circuit faults symptoms analysis in the voltage-oriented-controlled AC/DC converter has been carried out. In accordance with the research, chosen diagnostic signals have been selected and diagnostic variables have been defined in order to evaluate transistor faults diagnostic methods. A main goal of this article was to test and confirm an effectiveness of chosen well-known diagnosis techniques for single-switch IGBT open-circuit faults in the two-level three-phase voltage inverters, in case of a reversible AC/DC line side converter, even under asymmetric power supply. Presented results have a comparative character and they have been verified by simulation model of the AC/DC converter control structure based on a measured or an estimated grid voltage.
PL
W artykule przedstawiono wybrane symptomy uszkodzeń tranzystorów IGBT, polegających na braku przewodzenia prądu, w przekształtniku energoelektronicznym AC/DC sterowanym metodą orientacji wektora prądu względem wektora mierzonego lub estymowanego napięcia sieci. Wyselekcjonowano sygnały diagnostyczne oraz zdefiniowano zmienne diagnostyczne, na podstawie których sformułowano reguły umożliwiające identyfikację uszkodzonych tranzystorów prostownika. Głównym celem pracy było zbadanie możliwości implementacji w układach przekształtnikowych AC/DC o dwukierunkowym przepływie energii znanych metod diagnostyki awarii tranzystorów dwupoziomowego falownika napięcia, również w warunkach asymetrii sieci zasilającej prostownik. Przedstawione wyniki badań mają charakter porównawczy i zostały uzyskane za pomocą symulacyjnych modeli przekształtnika AC/DC zarówno w układzie regulacji z pomiarem jak i estymacją napięć sieci zasilającej.
8
Content available remote Analysis and design of high efficiency DC/DC buck converter
Falkowski P., Korzeniowski M., Ruszczyk A., Kóska K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 5
156--161
EN
This article presents the project and a practical realisation of a DC/DC buck converter. The measurements of system's functionality were performing in certain operating points (power, switching frequency of the transistor). In addition the analysis of power losses for chosen elements (transistor, inductor) used to build a converter was performed.
PL
W artykule przedstawiono projekt oraz praktyczną realizację układu przekształtnika obniżającego napięcie DC/DC typu buck. Wykonano pomiary sprawności układu w określonych punktach pracy (moc, częstotliwość pracy tranzystora) oraz przeprowadzono analizę podziału strat mocy dla wybranych elementów (tranzystor, dławik) wykorzystanych do budowy przekształtnika.
9
Content available Analiza i diagnostyka uszkodzeń tranzystorów w przekształtniku sieciowym AC/DC
Sobański P., Orłowska-Kowalska T.
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
|
2013
|
Vol. 69, nr 33
70--81
PL
W artykule przedstawiono analizę symptomów uszkodzeń polegających na braku przewodzenia prądu przez jeden z tranzystorów IGBT w układzie sterowania przekształtnikiem AC/DC z orientacją wektora prądu względem wektora napięcia sieci. Głównym celem niniejszej pracy było zbadanie możliwości implementacji w układach przekształtnikowych AC/DC o dwukierunkowym przepływie energii znanych metod diagnostyki awarii tranzystorów dwupoziomowego falownika napięcia. Przedstawione wyniki badań mają charakter porównawczy, tj. zostały uzyskane za pomocą symulacyjnych modeli przekształtnika AC/DC w układzie regulacji z pomiarem napięć sieci zasilającej oraz w strukturze sterowania bezczujnikowego.
EN
In this paper a single IGBT open-circuit fault symptoms analysis in the voltage-oriented-control AC/DC converter was carried out. The aim of the present contribution was to confirm an effectiveness of the well-known diagnosis methods for open-switch faults in two level voltage inverter in case of the reversible AC/DC line side converter. Presented results have a comparative character and they were achieved by utilizing simulation model of the AC/DC converter control structure based on voltage sensor or sensor less control concept.
10
Content available remote Stan i trendy rozwoju półprzewodnikowych łączników mocy i budowanych z ich zastosowaniem przekształtników energoelektronicznych
Nowak M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2005
|
R. 81, nr 7-8
12-23
PL
We wstępie artykułu, w powiązaniu z rysem pięćdziesięcioletniego rozwoju nowoczesnej energoelektroniki, przedstawiono główne czynniki kształtujące obecne trendy rozwojowe w tej dziedzinie. Następnie podano krótki przegląd najważniejszych i podlegających pracom badawczo-rozwojowym półprzewodnikowych przyrządów mocy uwzględniając podział wywodzący się z wartości napięcia roboczego. Zasadniczą część pracy poświęcono przeglądowi subiektywnie wybranych topologii, które zdaniem autora odpowiadają intensywnie rozwijającym się obszarom zastosowania energoelektroniki.
EN
At the beginning the paper presents a short historical sketch of half century long development of modern power electronics and points some important factors which influence present day trends in research and application of the discipline. Then a short review of most important and continuously developed semiconductor power devices is given based on general classification derived from working voltage is given. The main part of paper presents a subjectively selected converter topologies, which accordingly to authors opinion corresponds to dynamic grow of power electronics application areas.
11
Content available remote Podstawowe moduły złożonych systemów sterowania plazmowych procesów inżynierii materiałowej
Majcher A., Gospodarczyk A., Mrozek M., Przybylski J.
Problemy Eksploatacji
|
2004
|
nr 3
175-183
PL
W artykule przedstawiono zasadnicze moduły systemu sterowania plazmowych procesów inżynierii materiałowej, opracowane i wykonywane w Instytucie Technologii Eksploatacji w Radomiu. Składają się na nie głównie specjalizowane zasilacze impulsowe dużej mocy. Przedstawiono ich parametry oraz zastosowane rozwiązania. Opisane moduły dostosowane są do wymagań konkretnych obiektów w systemach sterowania plazmowych procesów obróbki powierzchniowej. Wymagania te, oprócz konieczności dostarczania regulowanych przebiegów o odpowiedniej mocy, obejmują także reakcje na uwarunkowania specyficzne dla środowiska plazmowego, m.in. mikrowyładowania, dynamiczną i statyczną zmianę impedancji obciążenia, zaniki wyładowania. Wszystko to sprawia, że opisane moduły stanowią odrębne złożone podsystemy systemów sterowania procesów plazmowych.
EN
The paper presents the basic modules of complex control systems for plasma processes of materials engineering, which are designed and produced in Institute for Terotechnology in Radom. There are mainly dedicated high power switch mode power supplies. The details of the modules are presented. Described modules meet relevant requirements of the objects in plasma processes. These requirements include not only providing controlled signals with suitable power but also responses to plasma environment condition, i.e. micro electric discharge, dynamic and static change of load impedance, discharge loss. The conclusion is that the modules constitute distinct complex subsystems of plasma processes control systems.
12
Content available Nowoczesne przetwornice trakcyjne
Baranecki A., Niewiadomski M., Płatek T.
TTS Technika Transportu Szynowego
|
2003
|
R. 10, nr 9
57-59
PL
Statyczne przetwornice trakcyjne, umożliwiające zasilanie urządzeń w wagonach lub lokomotywach energią z sieci trakcyjnej, stały się już codzienną rzeczywistością. Pierwsza krajowa przetwornica z tranzystorami IGBT oraz magnetykami amorficznymi powstała w firmie MEDCOM w 1995 r. Przetwornica PSM-16, ze swoją masą 160 kg, była wielokrotnie lżejsza od elektromaszynowej poprzedniczki i była pierwszą tego typu przetwornicą oferowaną na polskim rynku.
13
Content available remote Modułowe systemy sterowania i zasilania dla plazmowych procesów inżynierii materiałowej
Majcher A., Gospodarczyk A., Mrozek M., Przybylski J.
Problemy Eksploatacji
|
2003
|
nr 3
189-197
PL
W artykule przedstawiono w sposób przeglądowy modułowy system sterowania dedykowany dla próżniowych procesów inżynierii materiałowej. W skład systemu wchodzą wydzielone moduły. Niektóre z nich, takie jak impulsowe zasilacze dużej mocy, stanowią odrębne złożone podsystemy. Przedstawiono model symulacyjny systemu. Podano krótką charakterystykę zasadniczych, opracowanych przez autorów, modułów systemu - układu zasilacza łukowych źródeł plazmy, układu zapłonu (inicjacji) wyładowania łukowego, układu wysokonapięciowego zasilacza podłoża. Opisano modyfikację modułów systemu pozwalającą na zastosowanie ich w stanowisku badawczym do spiekania proszków metalicznych.
EN
The paper presents a review of modular control and supply system designed for vacuum processes in materials engineering. The system consist of separate modules. Some of them, as pulse high power supply are complicated subsystems. The simulation model of system is given. There is also short description of modules designed by authors - plasma arc source, arc ignition circuit, high voltage supply for base polarizing. System modification for use in metal powder sintering test stand is described.
14
Równoległa praca tranzystorów MOS i IGBT w układach przełączających
Worek C.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2003
|
Vol. 23, nr 11
11-13
15
Najnowsza generacja tranzystorów IGBT produkcji Mitsubishi
Gajda J., Jaszewski K.
Elektro Info
|
2003
|
nr 6
40--43
PL
Mitsubishi Electric jako jeden z przodujących producentów tranzystorów IGBT, na przełomie maja i czerwca 2003 r., zaprezentował następną generację chipów IGBT - CSTBT (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor).
16
Przełączanie tranzystorów IGBT w podstawowych układach sterowania i obciążenia
Pawelski W.
Elektronika : prace naukowe
|
2002
|
nr 7
95-119
PL
W artykule przedstawiono problematykę przełączania łącznika tranzystorowego IGBT w obwodach obciążenia rezystancyjnych, indukcyjnych (RL) oraz indukcyjnych z diodą rozładowującą (RLD) z uwzględnieniem zróżnicowanych warunków sterowania. Zwrócono szczególną uwagą na oddziaływanie zwrotne obwodu obciążenia na obwód sterowania, które jest szczególnie wyraźne w tego rodzaju łącznikach. Właściwości te zostały zilustrowane symulacjami z zastosowaniem nowego modelu IGBT, opracowanego przez autora. Zamieszczone symulacje potwierdzają przydatność tego modelu, implementowanego w symulatorach środowiska SPICE, do badania i projektowania złożonych układów elektronicznych mocy z tranzystorami IGBT.
EN
The influence of the parameters of direct gate control circuit on the propriety and switching parameters in load circuits of various characters are analysis and described. It is a question of influencing of control on the parameters in steady states and switching waveforms of the IGBT as a switch. They decided about switching times, power losses, overvoltages and result about the maximum loading capacity of that device in evidence condition of the work. The analysis and simulations including in this work can be the base to determine of the designation methods of the IGBT gate circuit. The selection of parameters of that circuit give for designer the valuable chance of the aware and active influence on the switching processes in power electronic circuits. In particular it affect of the switching speed and connected with him the great rate of slope of the currents and voltages in load circuit. New circuit-oriented IGBT transistor model has been used in this work for perform simulation analysis. For its application in this role enable its experimentally verified good accuracy of fit of the real characteristic and waveforms.
17
Content available remote Przekształtnik do zasilania silników DC
Gospodarczyk A.
Problemy Eksploatacji
|
2000
|
nr 1
207-214
PL
W artykule omówiono zasady sterowania prędkością silnika prądu stałego w aspekcie nowoczesnych podzespołów energoelektronicznych, opisano budowę zasilacza i przedstawiono oscylogramy badań na hamowni silników elektrycznych.
EN
The rules of DC motors rotational speed control with the use of new electronic components are described. A converter is presented and test results obtained during tests are given.
18
Analiza porównawcza właściwości modeli tranzystorów IGBT w symulatorach środowiska SPICE
Pawelski W.
Elektronika : prace naukowe
|
2000
|
nr 5
87-117
PL
Przedmiotem niniejszej pracy są ukladowo-zorientowane modele tranzystorów IGBT w szczególności przeznaczone do implementacji w środowisku SPICE - uniwersalnych symulatorów układów elektronicznych. Przedstawiono trzy różne makromodele IGBT zawarte w bibliotekach najnowszych wersji SPICE'a a także zaproponowano nowy nieliniowy model tego tranzystora. Zamieszczono wyniki badań porównawczych podstawowych właściwości statycznych i dynamicznych wszystkich czterech modeli.
EN
The IGBT transistor models for power electronic circuits design are the object of studies in presented paper. Such models should be sufficiently simple for calculation, parameters extraction and results interpretation. Generally for the circuit-oriented IGBT model appreciate the relation of fitting error to number parameters can be used. This coefficient should be evidently a minimum value. Great number physical and dimensional parameters of the physic-based models are difficult to be extracted from electrical measurement without knowing the details of device structure and fabrication data and they can't perform of this demands. Using the IGBT macromodel basing on BJT and MOSFET submodels in pseudo Darlington configuration it can obtain better results. In presented paper the properties of three IGBT models used in SPICE environment simulator and new universal IGBT model proposed to these packets are compared. In paper the investigation results of the static characteristic and some dynamic state waveforms for all four models are presented and discussed. While comparing the four different models it has been noted that the adaptation of simple level=l or level=3 SPICE MOSFET submodel does not give a satisfactory fitting of the real IGBT characteristics in the triode range, despite relative accordance to the measurements in the pentode range. It has been particularly evident in the transfer static characteristics. It has been proved that it is possible to fit precisely the IGBT on-state also in the triode range, applying a new nonlinear function, proposed in this paper in one of submodel. The investigations of this new model have shown a very good agreement between the simulation and measurements and average fitting errors order 2 %. This approach also enables the modelling of the two basic types of the IGBT structures, both symmetric and asymmetric, without the changing of the numbers of parameters.
19
Porównanie charakterystyk eksploatacyjnych tranzystorów energoelektronicznych MOSFET i IGBT
Januszewski S., Gawecka H.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
nr 11
590-593
PL
Przedstawiono strukturę, właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów polowych MOSFET i bipolarnych z izolowaną bramką IGBT. Omówiono zdolność łączeniową i obciążalność prądową tranzystorów MOSFET i IGBT.
EN
Structure,static and dynamic properties of field effect transistors MOSFET and bipolar transistors IGBT. Switchability and currentcarrying capacity of the MOSFET and IGBT transistors
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.