Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2013

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystor HEMT

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

Kopyt P., Wojtasiak W., Gryglewski D., Gwarek W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 9

22-25

W artykule przedstawiono 3-wymiarową analizę termiczną tranzystora GaN HEMT na podłożu GaN/SiC wytworzonego w ITE. Symulacje przeprowadzono w środowisku ANSYS-Fluent z zewnętrznym generatorem siatki obliczeniowej. W analizie uwzględniono warstwową strukturę podłoża i zależność własności materiałowych poszczególnych warstw od temperatury. Opracowanego modelu użyto do wyznaczenia rezystancji | termicznej tranzystora na podłożu SiC i GaN (monokrystaliczny) o różnych grubościach.

In this paper a 3-dimensional numerical model of a HEMT structure fabricated on GN/SiC substrate is presented. The model is implemented in the ANSYS-Fluent environment using an external computational mesh generator. The tools have been verified by comparing results obtained with numerical calculations and a known solution of a simple thermal problem. Next, the model of the HEMT has been employed to numerically evaluate the thermal resistance of the structure for two different substrate materials of varying thickness. It will be used as a tool in an effort to scale-up devices manufactured by ITE towards higher output power levels.