Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystor HBT

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Krzemogerman SiGe w mikroelektronice

Łukasiak L., Jakubowski A., Beck R. B., Pióro Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 4

34-37

Przedstawiono korzystne właściwości materiałowe krzemogermanu oraz jego zastosowanie w przyrządach półprzewodnikowych, takich jak tranzystor bipolarny (baza) oraz tranzystor MOS.

In this paper advantageous material properties of silicon-germanium are presented as well as the application of SiGe in semiconductor devices, such as: bipolar transistor (base) and MOSFET (channel, gate, source and drain contacts).

Modelowanie wpływu parametrów tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora APSYS 2000

Linkowski A., Łukasiak L., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

24-25

Analiza wpływu domieszkowania i zawartości Ge w bazie tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora przyrządów półprzewodnikowych APSYS 2000.

The influence of such SiGe-base HBT parametrs, as doping and Ge content in the base, on the carrier velocity in the base is studied using APSYS 2000 simulator.