Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystor CoolMOS

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badanie właściwości elektrotermicznego makromodelu tranzystora CoolMOS przeznaczone dla programu SPICE

Zarębski J., Górecki K., Jasicki P.

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

2004

nr 53

87-95

W artykule przeanalizowano właściwości elektrotermicznego makromodelu tranzystora CoolMOS dla programu SPICE, opracowanego przez firmę Infineon Technologies. Opisano szczegółowo postać tego makromodelu oraz przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej poprawności rozważanego makromodelu na przykładzie tranzystora SPP11N60C2, porównując wyniki obliczeń elektrotermicznych oraz pomiarów.

In the paper the CoolMOST electrothermal macromodel for SPICE, proposed by Infineon Technologies is described in detailed way and tested. The usefulness of this macromodel has been investigated on the example of SPP11N60C2 transistor. The selected SPICE characteristics and measured ones have been compared and discussed.

Właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS

Zarębski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2001

Vol. 42, nr 12

9-14

Przedstawiono strukturę oraz omówiono podstawowe właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS. Zwrócono szczególną uwagę na parametry odpowiedzialne za obszar bezpiecznej pracy tranzystora, takie jak rezystancja włączenia oraz napięcie blokowania (przebicia) oraz silną zależność wartości tych parametrów od ładunku wbudowanego w naprzemiennie domieszkowanych obszarach (kolumnach) stanowiących warstwę epitaksjalną tranzystora. Przedstawiono otrzymane przez autora wyniki symulacji wybranych charakterystyk z wykorzystaniem makromodeli tranzystora CoolMOS, opracowanych przez firmę Infineon dla programu SPICE. Wybrane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów lu charakterystykami katalogowymi, co pozwoliło na wstępną ocenę tych makromodeli.

The structure and basic features and characteristics of CoolMOS transistor are presented. The parameters determining CoolMOS Safe Operating as on-resistance (RON) as well as the breakdown voltage (UBR) and strong dependence of these parameters on the charge built-in inside the n, p-kolumns existing in the epitaxial layer are especially considered. Some results of CoolMOS characteristic simulations with the use of Infineon macromodels devoted to SPICE are given as well. The selected SPICE characteristics are compared with results of measurements or catalogue characteristics what makes it possible to estimate the usefulness of these macromodels.