Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: transparentne tlenki półprzewodnikowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza transmisji optycznej półprzewodnikowych warstw NiO osadzanych metodą magnetronowego rozpylania katodowego

Grochowski J., Guziewicz M., Borysiewicz M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 7

199-203

Optyczne właściwości cienkich półprzewodnikowych warstw NiO wytwarzanych za pomocą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego zbadano pod kątem transmisji optycznej. Określono szerokość przerwy energetycznej w zależności od warunków wzrostu warstwy. Elektryczne parametry warstw zmierzono metodą Hall'a bezpośrednio po osadzaniu oraz po procesach wygrzewania w tlenie i argonie w zakresie temperatur 200...700° C. Warstwy osadzane w temperaturze pokojowej przy zawartości tlenu w plazmie od 9% do 100% charakteryzują się transmisją poniżej 10%, przewodnictwem typu p oraz rezystywnością poniżej 0,5 Ω cm. Warstwy osadzane w podwyższonej temperaturze z zakresu 300...700° C charakteryzują się transmisją optyczną powyżej 60% oraz rezystywnością wyższą od 1 Ω cm. Wygrzewanie warstw w tlenie wywołuje zmiany transmisji i szerokości przerwy energetycznej w zależności od zastosowanej temperatury i czasu, przy czym obserwowano wzrost rezystywności po wygrzewaniu w wyższych temperaturach, zaś wygrzewanie w atmosferze argonu powoduje drastyczny spadek przewodnictwa. Warstwy NiO domieszkowano także węglem, co kilkukrotnie zmniejszało ich rezystywność. Warstwy te po dodatkowym wygrzewaniu w tlenie charakteryzują się wyższym poziomem transmisji oraz szerszą przerwą energetyczną.

Optical properties of thin semiconducting NiO films deposited by reactive magnetron sputtering were examined using optical transmittance measurements. Bandgap widths of these films were calculated in dependence of deposition process' parameters. Electrical properties of films were measured after deposition and annealing processes in 0₂ and Ar at temperatures from 200...700° C by Hali method. NiO films deposited at room temperature and having oxygen amount in process plasma varying from 9% to 100% are characterized by optical transmittance below 10%, p-type conduction and resistivity lower than 0.5 Ω cm. Films deposited at temperatures elevated from 300...700° C are characterized by transmittance above 60% and resistivity higher than 1 Ω cm. Annealing in oxygen results in change of optical transmittance level and bandgap width depending on used time and temperature. Resistivity is higher after annealing at higher temperatures in oxygen while annealing in argon ambient causes conductivity to drop dramatically. Doping thin NiO films with carbon was also performed which resulted in Iower resistivity few times. After additional annealing NiO:C films in O₂ their optical transmittance level raised and bandgap width widened.