Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Surface morphology and topographical studies of fluorine doped tin oxide as transparent conducting film

Jeyasubramanian K., Gokul Raja T. S.

Archives of Materials Science and Engineering

|

2016

|

Vol. 78, nr 2

66--70

EN

Purpose: This paper deals about the preparation and characterization of transparent conducting metal oxide doped with fluorine for superhydrophobic applications. Design/methodology/approach: Fluorine doped tin oxide(FTO) have been deposited on glass substrate employing an inexpensive spray pyrolysis route. Uniform coating of thin film was controlled by the parameters like flow rate, exposure duration, temperature of pyrolysis process etc. Findings: Fluorine doped SnO2 was confirmed from FTIR studies. Transparent nature of the coating was evaluated through UV-vis. spectroscopy. Electrical resistivity of the deposited film measured using source meter showed a least resistance of 13 Ω. AFM & SEM analysis revealed the texture of nano SnO2 in the range of 100-300 nm. Unevenness is one of the prerequisite for achieving superhydrophobic nature, which has been explored through AFM results. Practical implications: An attempt has been done to fabricate fluorine doped tin oxide thin film using spray pyrolysis technique may be used for developing super hydrophobic coating application. Originality/value: This study aims to reduce the cost of forming superhydrophobic surfaces on comparison with the process like plasma etching and sensitizing with nanoparticles, etc.

2

Obliczenia z pierwszych zasad własności defektów rodzimych w ZnRh2O4

Volnianska O., Bogusławski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 9

27-29

PL

W pracy przedstawiono wyniki obliczeń dotyczących struktury elektronowej i równowagowych koncentracji punktowych defektów rodzimych (luki, atomy międzywęzłowe, defekty antystrukturalne) w ZnRh2O4. Obliczenia wykonane w przybliżeniu lokalnej gęstości uwzględniły poprawki +U typu Hubbarda, co prowadzi do dobrej wartości przerwy wzbronionej. Dominującymi defektami są luka cynkowa i jon Zn podstawiający Rh. Oba defekty są płytkimi akceptorami o energii tworzenia poniżej 1 eV, co może tłumaczyć obserwowane doświadczalnie w ZnRh2O4 przewodnictwo typu p.

EN

Energy levels and formation energies of native point defects, i.e., vacancies, interstitials, and cation antisites, in ZnRh2O4 were analyzed within DFT-GGA calculations with +U on-site correction imposed on both 4d(Rh) and 2p(O) states. There are two dominant defects, the VZn vacancy and the ZnRh antisite, which are characterized by low formation energies, in the O-rich and Zn-rich conditions, respectively. Both defects are shallow acceptors, and they can be responsible for the observed p-type conductivity of ZnRh2O4.

3

Wpływ parametrów osadzania na właściwości warstw ITO wytwarzanych w procesie reaktywnego rozpylania magnetronowego typu pulse-DC

Dudek M.

Inżynieria Materiałowa

|

2010

|

Vol. 31, nr 4

935-938

PL

Badania nad domieszkowanym cyną tlenkiem indu (ITO) od wielu lat są stymulowane potrzebą optymalizacji procesu wytwarzania w celu otrzymania transparentnej i przewodzącej warstwy na elastycznych podłożach z tworzywa sztucznego. W prezentowanej pracy warstwy ITO są osadzane metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego podtrzymywanego asymetrycznym pulsującym sygnałem stałoprądowym, gdzie docierający do magnetronu sygnał przyjmuje na przemian polaryzację dodatnią i ujemną (rys. 1). Proces ten przez odpowiedni dobór częstotliwości oraz cyklu pracy pozwala wytworzyć w temperaturze pokojowej transparentne w obszarze widzialnym (T > 80%) i o małej rezystancji ( p- 2,2×10-4 ?cm) cienkie warstwy ITO. Ponadto warstwy te charakteryzują się dużą twardością, ważną z aplikacyjnego punktu widzenia, otrzymaną przy relatywnie wysokim współczynniku osadzania.

EN

Investigation on tin doped indium oxides (indium tin oxide - ITO) during the last decade is stimulated by optimization of deposition process with the purpose of obtaining transparent and conductive films on elastic plastic substrate. In present paper the ITO films are deposited by reactive magnetron sputtering support by asymmetric pulse direct current (DC) signals, where power supplied to magnetron changed polarization from negative on positive (Fig. 1). Thanks to a proper selection of frequency and duty cycle, deposited at room temperature the thin films of ITO possessing high transparency in the visible region (T > 80%) and low resistivity ( p- 2.2×10-4 ?cm). Moreover these films have high hardness, important from viewpoint of application, obtained at relatively higher deposition rate.