PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  transistors GaN
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN
Paziewski Piotr
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2022
|
Vol. 63, Nr 12
28--31
PL
W artykule zostały zaprezentowane wyniki badań symulacyjnych przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie. Badany układ przekształtnika oparty został o tranzystor w technologii azotku galu GaN. Skupiono się na stratach mocy występujących w łączniku. Przedstawiono sposób obliczenia indukcyjności dławika. Symulacje układu przekształtnika wykonano z wykorzystaniem pakietu PLECS. Dobór i obliczenia strat mocy w dławiku wykonano z użyciem narzędzia projektowego firmy Micrometals Arnold.
EN
The article presents the results of simulation of a DC / DC boost converter. The converter was based on a GaN transistor. The focus is on the power losses in the transistor. It also presents the method of calculating the inductance of the choke. The converter simulations were made using the software PLECS. The selection core and calculations of the choke power losses were performed with the use of a design tool by Micrometals Arnold.
2
Content available remote Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN
Paziewski Piotr
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 6
163--165
PL
W artykule zostały zaprezentowane wyniki badań symulacyjnych przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie. Badany układ przekształtnika oparty został o tranzystor w technologii azotku galu GaN. Skupiono się na stratach mocy występujących w łączniku. Przedstawiono sposób obliczenia indukcyjności dławika. Symulacje układu przekształtnika wykonano z wykorzystaniem pakietu PLECS. Dobór i obliczenia strat mocy w dławiku wykonano z użyciem narzędzia projektowego firmy Micrometals Arnold.
EN
The article presents the results of simulation of a DC / DC boost converter. The converter was based on a GaN transistor. The focus is on the power losses in the transistor. It also presents the method of calculating the inductance of the choke. The converter simulations were made using the software PLECS. The selection core and calculations of the choke power losses were performed with the use of a design tool by Micrometals Arnold.
3
Content available remote Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN
Paziewski P., Supronowicz H., Suproniuk M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 10
91--94
PL
W artykule zostały zaprezentowane przykładowe tranzystory wykonane w technologii azotku galu GaN do zastosowań energoelektronicznych. Opisano budowę i zasadę działania przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie oraz przedstawiono podstawowe założenia projektowe wraz z problemami wynikającymi z wysokich częstotliwości kluczowania i występowania znacznych prądów. Zostały również zaprezentowane wstępne wyniki badań zaprojektowanego układu.
EN
The article presents transistors made using gallium nitride GaN technology for power electronics applications. It describes the design and principle of operation of the step-up DC/DC converter and presents the basic design assumptions along with problems resulting from high switching frequencies and high currents of the inverter. It also presents preliminary results of the designed system.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.