Praca dotyczy pomiarów wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej Z(t) tranzystora VDMOS. W pracy przedstawiono metodę pomiaru Z(t) bazującą na krzywej chłodzenia. sposób estymacji parametrów modelu Z(t) oraz wyniki pomiarów zależności Z(t) od mocy wydzielanej w badanym elemencie a także wielkości radiatora oraz orientacji przestrzennej badanego tranzystora.
Praca dotyczy badania rozkładu temperatury w polowych tranzystorach mocy przy wykorzystaniu metod pirometrycznych. Przedstawiono wyniki pomiarów rozkładu temperatury na powierzchni tranzystorów IRF840 umieszczonych w róznych obudowach, na różnych radiatorach, przy różnej orientacji przestrzennej badanego elementu i różnych wartościach mocy wydzielanej w badanym tranzystorze. Zamieszczono również czasowe przebiegi temperatury w wybranym punkcie struktury badanego tranzystora.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.