PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 8 Przegląd Elektrotechniczny
  2. 3 Materials Science Poland
  3. 2 Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
  4. 2 International Journal of Electronics and Telecommunications
  5. 2 Napędy i Sterowanie
Więcej...
Autorzy help
  1. 4 Wojtasiak W.
  2. 2 Barnaś J.
  3. 2 Kamińska E.
  4. 2 Klamka J.
  5. 2 Kuchta D.
Więcej...
Lata help
  1. 1 2023
  2. 1 2022
  3. 1 2021
  4. 1 2020
  5. 1 2019
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 30

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  transistor
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available Tesla switch of 4 batteries based on the Arduino Uno board
Polishchuk Mykola, Grinyuk Serhii, Kostiuchko Serhii, Tkachuk Anatolii, Savaryn Pavlo
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2023
|
T. 13, nr 3
111-116
EN
The paper considered the theoretical information of generators for several power sources, schematic theirsolutions, and the main disadvantages and advantages. A generator for 4 batteries based on field-effect transistors with optical galvanic isolation and a clock generator built on the basisof the Atmega328 microcontroller, which is part of the Arduino Uno device, was studied. The result of the study was the confirmation of the existenceof the "Tesla-switch"effect. A program code was developed for the alternate switching of six transistor switches of the optical decoupling. The structural diagram of the device was studied, and the influence of the generator frequency and the consumed power of the load on the output parameters of the device were determined. The considered idea of energy saving and environmental friendliness of power supply systems is relevant, in particular in casesof blackouts.
PL
W artykule rozważono informacje teoretyczne dotyczące generatorów dla kilku źródeł zasilania, schematy ich rozwiązań oraz główne wadyi zalety. Zbadano generator dla 4 baterii oparty na tranzystorach polowychz optyczną izolacjągalwaniczną oraz generator zegara zbudowany na bazie mikrokontrolera Atmega328, który jest częścią urządzenia Arduino Uno. Wynikiem badań było potwierdzenie istnienia efektu "Tesla-switch". Opracowano kod programu do naprzemiennego przełączania sześciu przełączników tranzystorowych odsprzęgacza optycznego. Zbadano schemat strukturalny urządzenia oraz określono wpływ częstotliwości generatora i mocy pobieranej przez obciążenie na parametry wyjściowe urządzenia. Rozważana idea oszczędzania energii i przyjazności dla środowiska systemów zasilania jest istotna, w szczególności w przypadku awarii zasilania.
2
Content available Evolution of Electric Traction Vehicle Design Based on the Example of Škoda Locomotives
Graff Marek
Problemy Kolejnictwa
|
2022
|
Z. 197
117--145
EN
The article describes the evolution of Škoda electric locomotives, starting with vehicles supplied with 3 kV DC and 25 kV 50 Hz, initially featuring a resistor start-up (for DC supply), optionally high-voltage voltage regulation (for AC supply), and later with a pulse (thyristor) start-up. Th e railway network in Czechoslovakia was initially electrified with direct voltage (including the Prague junction); however, learning the advantages of the 25 kV 50 Hz voltage developed in Germany led to some new sections of the ČSD network being electrified with alternating current. At the same time, Czechoslovakia’s national manufacturer Škoda developed vehicles (locomotives, EMUs) suitable for DC and AC operation. Initially, these were single-system vehicles, as the development of multi-system ones was technically complicated at the time (only short-series production was practiced). The advent of pulse-starting traction motors not only provided more economical and simpler traction motor control but also simplified the construction of multi-system vehicles. The article discusses the specifics of both engine start-up systems and the evolution of DC and AC vehicle design and operation.
3
Content available Performance Comparison of Stacked Dual-Metal Gate Engineered Cylindrical Surrounding Double-Gate MOSFET
Dargar Abha, Srivastava Viranjay M.
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2021
|
Vol. 67, No. 1
29--34
EN
In this research work, a Cylindrical Surrounding Double-Gate (CSDG) MOSFET design in a stacked-Dual Metal Gate (DMG) architecture has been proposed to incorporate the ability of gate metal variation in channel field formation. Further, the internal gate's threshold voltage (VTH1) could be reduced compared to the external gate (VTH2) by arranging the gate metal work-function in Double Gate devices. Therefore, a device design of CSDG MOSFET has been realized to instigate the effect of Dual Metal Gate (DMG) stack architecture in the CSDG device. The comparison of device simulation shown optimized electric field and surface potential profile. The gradual decrease of metal work function towards the drain also improves the Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) and subthreshold characteristics. The physics-based analysis of gate stack CSDG MOSFET that operates in saturation involving the analogy of cylindrical dual metal gates has been considered to evaluate the performance improvements. The insights obtained from the results using the gate-stack dual metal structure of CSDG are quite promising, which can serve as a guide to further reduce the threshold voltage roll-off, suppress the Hot Carrier Effects (HCEs) and Short Channel Effects (SCEs).
4
Content available remote Understanding HVDC/FACTS controller’s sustainable development & comparative analyses of GTO, GCT, IGBT, MTO, ETO, MCT and MOSFET operations
Alshammari Badr Mesned, Masood Tariq, Chughtai Muhammad Tajammal, Karim Samer
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 3
111--113
EN
This article presents a comparative study through analyses regarding a number of power electronics devices. Power Electronic devices have innovative contribution to control the electrical power operations with a degree of precision. The GTO normally are not equipped with amplifying gates. The Asymmetric GTOs are inherently equipped with fast recovery diodes across each GTO, for reverse operations based on the that reverse voltage capability is not required for GTOs operations. This also provide techno economic benefits high voltage, voltage drop and current ratings capability. It can sustain against, short and long-time overcurrent.
PL
W artykule przedstawiono analize porównawczą różnych elementów elektronicznych stosowanych w energoelektronice. Analizowano także wpływ właściwości tych elementów na prtacę urządzeń energetyki, takich jak np. sterowniki wysokonapięciowe FACTS.
5
Content available remote Terahertz plasmon-emitting graphene-channel transistor
Dubinov Alexander A., Aleshkin Vladimir Ya, Morozov Sergey V., Ryzhii Victor, Otsuji Taiichi
Opto-Electronics Review
|
2019
|
Vol. 27, No. 4
345--347
EN
In this work we propose and analyze the possibility of creating terahertz plasmon-emitting graphene-channel transistor. It is shown that at electric pumping the damping of the terahertz plasmons can give way to their amplification, when the real part of the dynamic conductivity of graphene becomes negative in the terahertz range of frequencies due to the interband population inversion.
6
Content available remote Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Przybyła K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 1
129--132
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów mocy strat w obwodzie bramkowym dla tranzystorów MOSFET na bazie Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P oraz APT40SM120J na bazie SiC. Pomiary były wykonywane w układzie falownika klasy DE w przedziale częstotliwości od 275 kHz do 525 kHz i przy napięciu zasilania falownika E=0 V i E=300 V. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń mocy strat na podstawie danych katalogowych. Wykazano rozbieżności wyników i podano możliwe przyczyny.
EN
Measurement results of power losses in the gate circuit in Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P and SiC: APT40SM120J MOSFET transistors are presented in the paper. Measurements were taken in class DE inverter configuration in frequency range from 275 kHz to 525 kHz and with inverter supply voltage E=0 V and E=300 V. The article contains also the comparison of evaluated power loss values, based on datasheets, with laboratory results.
7
Content available A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors
Fatyga K., Kwaśny Ł., Stefańczak B.
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2018
|
T. 8, nr 2
68--71
EN
This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
PL
W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
8
Content available Komputerowo wspomagane stanowisko do badania tranzystorów stosowanych w motoryzacji
Wołczyński Z., Stępniewski M.
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
|
2018
|
R. 19, nr 12
729--733
PL
W artykule omówiony został tranzystor jako element elektroniczny coraz częściej wykorzystywany w motoryzacji. Zaprezentowano rodzaje, typy oraz sposoby doboru i diagnozowania tranzystorów w ujęciu dla zastosowań motoryzacyjnych. Wskazano najważniejsze cechy tranzystora w zastosowaniach motoryzacyjnych. Pokazano sposoby pomiaru najistotniejszych parametrów tranzystora dla zastosowań motoryzacyjnych, w tym wykorzystanie komputerowej techniki pomiarowej w szybkim uzyskaniu istotnych charakterystyk tranzystora.
EN
The article discusses the transistor as an electronic element increasingly used in the automotive industry. The types, types and ways of selecting and diagnosing transistors in terms of automotive applications are presented. The most important features of the transistor in automotive applications are indicated. Methods of measuring the most important transistor parameters for automotive applications, including the use of computer measuring technology in quickly obtaining significant transistor characteristics are shown.
9
Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. I)
Klamka J.
Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska
|
2017
|
nr 18
18--20
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1964-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semi-conductor devices in the period of 1964-2000. They are germanous and siliceous rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic weaponry mainly for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, Schottky diodes, transistors).
10
Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. II)
Klamka J.
Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska
|
2017
|
nr 19-20
19--22
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky’ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).
11
Content available Preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie
White C.
Napędy i Sterowanie
|
2017
|
R. 19, nr 1
32--35
PL
HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.
12
Content available Selected applications of the MOSFETS in AC-DC rectifier systems
Tutaj J.
TTS Technika Transportu Szynowego
|
2015
|
R. 22, nr 12
1582--1587, CD
EN
This paper describes the principles of operation and the physical model of an electronic commutator acting as a reverse-conducting transistor AC-DC rectifier with MOSFETs as fast-switching controlled electrical valves with a low ON-state voltage drop. An electronic commutator, when seen as a transistor AC-DC rectifier, can be used in many fields, e.g., for multifunctional automotive generator/starter and conventional DC motors and generators, generator sets, welding machines, etc. The paper also describes a new reverse-conducting transistor AC-DC rectifier, without the use of optoelectronic separation (which does not require a separate power supply), which may be easily realized in IC technology. Computer simulation allows for currents timing of all components of the electronic-commutator’s physical model, both during normal operation as well as in some states of emergency. The paper presents the results of bench experimental studies where the MOSFETs were used as a fast-switching controlled electrical valves with a relatively low ON-state voltage drop. For experimental studies, an electronic commutator has been put together on the Mitsubishi FM600TU module. The reverse-conducting transistor AC-DC rectifier in a three-phase bridge connection has a lot of advantages compared to the conventional diode AC-DC rectifier, such as higher energy efficiency and greater reliability resulting from the lower temperature of electrical valves.
PL
Artykuł opisuje zasadę działania oraz modele fizyczne komutatorów elektronicznych, działających jako tranzystorowe prostowniki z wykorzystaniem tranzystorów MOSFET z wstecznym przewodnictwem prądu jako klucze elektroniczne o małym spadku napięcia. Komutator elektroniczny, dzialający jako tranzystorowy pro-stownik, może być stosowany w wielu dziedzinach, na przykład, jako prostownik prądnicy samochodowej i konwencjonalnego prądnicorozrusznika, spawarek mobilnych itp. Artykuł opisuje również nową konfigurację prostownika tranzystorowego bez użycia optoelektronicznych elementow separacyjnych, dzięki czemu możliwa jest łatwa realizacja prostownika w technologii układów scalonych. Symulacja komputerowa pozwa-la na uzyskanie przebiegów czasowych prądów i napięć na wszystkich elementach modelu fizycznego komutatora elektronicznego, zarówno podczas normalnej pracy, jak również w wybranych stanach awaryjnych. W pracy przedstawiono również wyniki badań laboratoryjnych, gdzie eksperymentalne tranzystory MOSFET były używane jako szybko przełączalne sterowalne zawory elektryczne (klucze elektroniczne) o stosunkowo niskim spadku napięcia w stanie przewodzenia. W badaniach eksperymentalnych, jako komutator elektroniczny został wykorzystany moduł tranzystorów MOSFET typu FM600TU firmy Mitsubishi. Tranzystorowy prostownika trójfazowy w układzie mostkowym ma wiele zalet w porównaniu z konwencjonalnym diodowym prostownikiem, takich jak wyższa sprawność energetyczna oraz większa niezawodność, wynikająca z niższej temperatury zaworów elektrycznych. W artkule zamieszczono również prostownik tranzystorowy jednofazowy, zintegrowany ze stabilizatorem impulsowym, który może być zrealizowany również jako jeden układ scalony.
13
Content available remote Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Gryglewski D., Góralczyk M., Sokół S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
36-40
PL
W celu zbadania możliwości realizacji stopni wejściowych odbiorników mikrofalowych z wykorzystaniem technologii azotkowej skonstruowano wzmacniacz niskoszumny (LNA) z tranzystorem GaN HEMT wytworzony w projekcie PolHEMT. Zbudowany wzmacniacz stanowi także element weryfikacji opracowanej technologii GaN HEMT. W referacie opisano metodę modelowania szumowego tranzystora GaN HEMT oraz przedstawiono etapy projektowania wzmacniacza LNA na pasmo 1,1÷1,3 GHz.
EN
In this paper the development of the L-band low noise amplifier with GaN HEMT manufactured by consortium PolHEMT is described. The application of GaN HEMTs in the input stages of radar T/R modukles is very important issue, because the robust of the receivers may be increased as well as the limiters can be eliminated. This LNA is also a verification element of PolHEMT.
14
Content available remote Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Kuchta D., Wojtasiak W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
109-112
PL
Jednym z zadań projektu PolHEMT jest aplikacja wytwarzanych struktur GaN HEMT w realnych układach mikrofalowych stosowanych w radiolokacyjnych modułach N/O. W referacie przedstawiono projekt i wyniki badań wzmacniacza z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo 1,3÷1,7 GHz o mocy wyjściowej 1 W.
EN
One of the Pol-HEMT project aims is to implement the GaN HEMT structures in microwave circuits commonly used in T/R modules for radiolocation systems. In this paper project and experimental results of 1W L-band power amplifier with GaN PolHEMT structure are presented.
15
Content available remote Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS
Trofimowicz D., Kordalski W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
191-194
PL
W artykule zaprezentowano wyniki zastosowania metody sympleksu Neldera-Meada do ekstrakcji wartości parametrów niequasistatycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS. Przedstawiono równoważny elektryczny schemat zastępczy i model matematyczny nowego modelu małosygnałowego MOSFETa dla częstotliwości mikrofalowych. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
EN
This paper presents results of practical implementation of the Nelder-Mead simplex method in identifying the parameter values of nonquasi- static small-signal MOS transistor model. Equivalent circuit and mathematical model of a new small-signal MOSFET model for microwave frequencies are performed. The implemented algorithm is described and the results attained are demonstrated.
16
Content available remote Parametry tranzystorów GaN HEMT – wyniki I etapu projektu PolHEMT
Wojtasiak W., Gwarek W., Piotrowska A., Kamińska E.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
211-215
PL
Celem projektu PolHEMT jest opracowanie nowego typu tranzystora mikrofalowego na pasmo S z wykorzystaniem struktur AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z półizolacyjnego monokrystalicznego GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną (Ammono). Referat stanowi krótkie podsumowanie pierwszego etapu projektu w formie zestawienia parametrów elektrycznych struktur GaN PolHEMT i komercyjnych tranzystorów GaN HEMT produkowanych przez wiodące firmy.
EN
The aim of the PolHEMT project is to develop a new type of microwave transistor for S-band using the structures of AlGaN/GaN grown on a uniques type of material – a semi-insulating monocrystalline GaN substrate manufactured by ammonotermal method (Ammono). The paper provides a brief summary of the first phase of the project. It presents a report on obtained electrical parameters of GaN structures and compares them against the parameters of commercial GaN HEMT transistors manufactured by leading companies.
17
Content available remote Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych
Wojtasiak W., Kuchta D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
207-210
PL
Powszechnie znane metody pomiaru ruchliwości i koncentracji nośników w 2-wymiarowym gazie elektronowym (2-DEG) struktur HEMT stosowane są do oceny poszczególnych etapów procesu technologicznego. Brak jest ilościowego odniesienia uzyskanych w ten sposób wartości tych parametrów wprost do charakterystyk elektrycznych tranzystora. Dlatego zaproponowano podejście zaciskowe, aby na podstawie zależności fizycznych i charakterystyk DC I-V tranzystora wyznaczyć ruchliwość i koncentrację nośników 2-DEG w kanale struktury GaN HEMT.
EN
Commonly known method for the measurement of electron mobility and concentration in the 2-dimensional electron gas (2-DEG) of HEMT heterostructures are used to evaluate the individual stages in the technological process. Currently, there is no quantitative reference of values obtained with the use of mentioned methods directly to the electrical characteristics of the transistor. This was the main reason to apply a terminal approach in order to determine a mobility and carrier concentration in 2-DEG of GaN HEMTs heterostructures based on physical relationships and IV characteristics.
18
Content available The Analysis Of Accuracy Of Selected Methods Of Measuring The Thermal Resistance Of IGBTs
Górecki K., Górecki P.
Metrology and Measurement Systems
|
2015
|
Vol. 22, nr 3
455--464
EN
In the paper selected methods of measuring the thermal resistance of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) are presented and the accuracy of these methods is analysed. The analysis of the measurement error is performed and operating conditions of the considered device, at which each measurement method assures the least measuring error, are pointed out. Theoretical considerations are illustrated with some results of measurements and calculations.
19
Content available Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Taube A., Sochacki M., Szmidt J., Kamińska E., Piotrowska A.
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2014
|
Vol. 60, No. 3
253-258
EN
The article presents the results of modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT transistors. The effect of the resistivity of the GaN:C layer, the channel mobility and the use of high-κ dielectrics on the electrical characteristics of the transistor has been examined. It has been shown that a low leakage current of less than 10⁻⁶ A/mm can be achieved for the acceptor dopant concentration at the level of 5×10¹⁵cm⁻³. The limitation of the maximum on-state current due to the low carrier channel mobility has been shown. It has also been demonstrated that the use of HfO₂, instead of SiO₂, as a gate dielectric increases on-state current above 0.7A/mm and reduces the negative influence of the charge accumulated in the dielectric layer.
20
Content available remote Polyimide Dielectric Layer on Filaments for Organic Field Effect Transistors: Choice of Solvent, Solution Composition and Dip-Coating Speed
Rambausek L., Bruneel E., De Mey G., Van Langenhove L.
Autex Research Journal
|
2014
|
Vol. 14, no. 3
121-134
EN
In today’s research, smart textiles is an established topic in both electronics and the textile fields. The concept of producing microelectronics directly on a textile substrate is not a mere idea anymore and several research institutes are working on its realisation. Microelectronics like organic field effect transistor (OFET) can be manufactured with a layered architecture. The production techniques used for this purpose can also be applied on textile substrates. Besides gate, active and contact layers, the isolating or dielectric layer is of high importance in the OFET architecture. Therefore, generating a high quality dielectric layer that is of low roughness and insulating at the same time is one of the fundamental requirements in building microelectronics on textile surfaces. To evaluate its potential, we have studied polyimide as a dielectric layer, dip-coated onto copper-coated polyester filaments. Accordingly, the copper-coated polyester filament was dip-coated from a polyimide solution with two different solvents, 1-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and dimethylformaldehyde. A variety of dip-coating speeds, solution concentrations and solvent-solute combinations have been tested. Their effect on the quality of the layer was analysed through microscopy, leak current measurements and atomic force microscopy (AFM). Polyimide dip-coating with polyimide resin dissolved in NMP at a concentration of 15w% in combination with a dip-coating speed of 50 mm/min led to the best results in electrical insulation and roughness. By optimising the dielectric layer’s properties, the way is paved for applying the subsequent semi-conductive layer. In further research, we will be working with the organic semiconductor material TIPS-Pentacene.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.