Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Modzelewski J.

2 2010

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: transformacja impedancji

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Obwody typu [pi]1 o małej dobroci wypadkowej w rezonansowych wzmacniaczach mocy

Modzelewski J.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 11a

200-203

Obwód typu [pi]1 jest stosowany jako wyjściowy obwód rezonansowy we wzmacniaczach klas AB, B i C. W quasi-szerokopasmowych wzmacniaczach rezonansowych (np. do nadajników radiofonicznych UKF-FM 87,5–108 MHz) dobroć wypadkowa obwodu [pi]1 musi być dostatecznie mała. Wykazano, że we wzmacniaczu z takim obwodem druga i trzecia harmoniczna prądu drenu nie są zwierane, co powoduje wzrost wartości międzyszczytowej napięcia dren-źródło. Wzmacniacz wchodzi w stan przewzbudzony a jego charakterystyka przejściowa jest nieliniowa.

The [pi]1 circuit is applied as an output resonant circuit in the class AB, class B and class C tuned power amplifiers. In semi-wideband tuned power amplifiers (e.g. for VHF-FM 87.5 - 108MHz radio transmitters) loaded quality factor Qw of the [pi]1 circuit must be sufficiently low. It has been proven that in the amplifier with low-Qw [pi]1 circuit the 2nd and 3rd harmonics of the transistor drain current are not short-circuited, and peak-to-peak value of the drain-source voltage increases. Hence, the amplifier is overdriven, and its transfer characteristic is non-linear.

Właściwości obwodów typu π1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy dla różnych wartości dobroci wypadkowej

Modzelewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 2

17-23

W artykule przeanalizowano wpływ dobroci wypadkowej na charakterystyki częstotliwościowe impedancji wejściowej i transimpedancji obwodów rezonansowego typu π1 o różnych wartościach przekładni rezystancyjnej. Wyznaczono przebieg charakterystyk częstotliwościowych unormowanej impedancji wejściowej i transimpedancji tego obwodu w otoczeniu częstotliwości rezonansowej dla kilku typowych wartości dobroci wypadkowej i przekładni. Dla obwodów π1 o różnych wartościach przekładni obliczono także zależność współczynników tłumienia drugiej i trzeciej harmonicznej prądu wejściowego od dobroci wypadkowej. Przedstawione charakterystyki pozwalają uprościć projektowanie obwodów Vπ1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy AB, klasy B i klasy C.

In the paper an influence of the loaded quality factor on frequency response of input impedance and transimpedance of the π1 resonant circuits with different values of resistance-transformation ratio is analyzed. Normalized input impedance and transimpedance frequency responses in the neighbourhood of the resonant frequency for a few typical values of the loaded quality factor and resistance-transformation ratio are calculated. Attenuation coefficients of the second and third harmonic of the input current versus the loaded quality factor are also determined for the π1 circuits with different values of the resistance transformation ratio. Presented characteristics allow to simplify the design of the π1 circuits for class AB, class B and class C tuned power amplifiers.