W pracy przedstawiono wyniki pomiarów ilustrujących wpływ doboru tranzystora mocy wykonanego w technologii krzemowej (Si) oraz azotku galu (GaN) na właściwości zasilacza sterowanego cyfrowo z przetwornicą DC-DC typu reverse buck. Przedstawiono i krótko opisano najważniejsze bloki funkcjonalne skonstruowanego układu. Przedyskutowano wybrane zależności wielkości charakteryzujących badany zasilacz od prądu obciążenia.
EN
This paper presents the results of measurements illustrating the effect of selecting a power transistor made in silicon (Si) and gallium nitride (GaN) technology on the properties of a digitally controlled power supply with a reverse buck DC-DC converter. The main functional blocks of the developed system are presented and briefly described. Selected dependencies of quantities characterizing the studied power supply on load current are described.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.