Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2004

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tlenkoazotki krzemu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Warstwy termiczne SiO2 i Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) do przyrządów mocy MS i MIS

Sochacki M., Łukasiewicz R., Szmidt J., Rzodkiewicz W., Leśko M., Wiatroszak M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

9-10

Praca dotyczy wytwarzania warstw SiO2 i SiNxOy metodą termiczną na podłożach 4H-SiC. Na podstawie pomiaru wysokoczęstotliwościowej charakterystyki pojemnościowo-napięciowej (HF C-V) zostały wyliczone: napięcie płaskich pasm, ładunek efektywny, średnia gęstość stanów pułapkowych, domieszkowanie podłoża. Wartości otrzymanych parametrów wskazują na możliwość zastosowania badanych warstw jako dielektryka bramkowego lub do pasywacji przyrządów mocy typu MS i MIS wytwarzanych na podłożach 4H-SiC.

The thermal oxidation and nitridation of 4H-SiC surface was carried out. Flat-band voltage, equivalent oxide charge, average interface-state density and epitaxial layer doping were extracted from the HFcapacitance-voltage curves. Satisfactory electrical parameters of films indicate a possibility of application as a gate insulator for MIS devices and also for passivation and as an edge termination for power MS and MIS devices.