Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tlenko-azotek krzemu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Metody instrumentalne w analizie materiałów zawierających węglik krzemu, azotek krzemu oraz tlenoazotki krzemu

Gerle A., Stec K., Burdyl M.

Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych

2017

R. 10, nr 28

29--37

W pracy zaprezentowano wyniki oznaczania zawartości węgla całkowitego oraz węgla wolnego w materiałach zawierających węglik krzemu, azotek krzemu i tlenoazotki krzemu. Otrzymane zawartości C wykorzystywano do oznaczenia zawartości SiC w badanych materiałach. Prezentowana metoda oznaczania SiC jest dużo szybsza od klasycznych metod analitycznych. Otrzymane wartości stężenia SiC porównywano z danymi z certyfikatów oraz z wynikami otrzymanymi metodą klasyczną. Poprawność stosowanej metody oznaczania zawartości SiC została potwierdzona. W celu oznaczenia zawartości pierwiastków cięższych od fluoru zastosowano metodę fluorescencji rentgenowskiej. Przedstawiono wyniki uzyskane dla certyfikowanych materiałów odniesienia.

The results of total and free carbon determination in materials containing silicon carbide, silicon nitride and silicon oxynitrides have been presented. This method of SiC determination is much faster than the classical analytical method. The obtained C contents were used to determine SiC concentration in the examined materials. These concentrations were compared with certified values and concentrations obtained by the classical analytical method. The correctness of the method used to determine SiC content was proved. To determine the total concentrations of elements heavier than fluorine, X-ray fluorescence was used. The results obtained for certified reference materials have been presented.

Technologia i zastosowanie warstw tlenko-azotków krzemu wytwarzanych metodą PECVD do struktur pamięciowych z podwójną warstwą dielektryczną (SiOxNy-HfO2)

Mroczyński R., Beck R. B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 9

131-135

W pracy przedstawiono nową strukturę bramkową, złożoną z dwóch warstw dielektryka bramkowego - tlenko-azotku krzemu (SiOxNy) oraz dwutlenku hafnu (HfO2), która mogłaby być wykorzystana w strukturach nieulotnych pamięci półprzewodnikowych (NVSM). Struktury MIS z SiOxNy wykazują duże zmiany napięcia płaskich pasm (ok. 1,68 V), natomiast maksymalny ładunek możliwy do zmagazynowania wynosi ok. 6⋅1012 [cm-2]. Dla porównania, struktura MIS z warstwą referencyjną dwutlenku krzemu (SiO2) oraz dwutlenku hafnu charakteryzuje się niestabilnym przebiegiem zmian napięcia płaskich pasm pod wpływem napięcia stresującego, a wielkość zmian UFB wynosi tylko ok. 0,27 V. Zaprezentowane w niniejszej pracy wyniki, jako pierwsze w literaturze, pokazują potencjalne możliwości wykorzystania ultracienkich warstw tlenko-azotków wytwarzanych metodą PECVD w strukturach nieulotnych pamięci półprzewodnikowych (NVSM)

In this paper, we present the new double gate dielectric structure for the non-volatile semiconductor memory (NVSM) devices which applies gate stack consisting of ultrathin silicon oxynitride (SiOxNy) and hafnium dioxide (HfO2) layers. The MIS structure with PECVD SiOxNy shows a big change of flat-band voltage (1,68 V) and the maximum charge density stored by the double gate dielectric stack is of the order of 6⋅1012 [cm-2]. This is much more than for the reference structures built on thermal silicon oxide layers (U FB change of the order of 0.27 V). The results presented in this paper prove, for the first time, potential to apply PECVD silicon oxynitride layers in non-volatile semiconductor memory (NVSM) devices.