Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: titanium silicide

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Self-Consolidation Mechanism of Ti5Si3 Compact Obtained by Electro-Discharge-Sintering Directly from Physically Blended Ti-37.5 At.% Si Powder Mixture

Chang S. Y., Cheon Y. W., Yoon Y. H., Kim Y. H., Kim J. Y., Lee Y. K., Lee W. H.

Archives of Metallurgy and Materials

2017

Vol. 62, iss. 2B

1299--1302

Characteristics of electro-discharge-sintering of the Ti-37.5at.% Si powder mixture was investigated as a function of the input energy, capacitance, and discharge time without applying any external pressure. A solid bulk of Ti5Si3 was obtained only after in less than 129 μsec by the EDS process. During a discharge, the heat is generated to liquefy and alloy the particles, and which enhances the pinch pressure can condensate them without allowing a formation of pores. Three step processes for the self-consolidation mechanism during EDS are proposed; (a) a physical breakdown of oxide film on elemental as-received powder particles, (b) alloying and densifying the consolidation of powder particles by the pinch pressure, and (c) diffusion of impurities into the consolidated surface.

Charakterystyka odporności rezystorów Ti-Si na działanie impulsów wysokonapięciowych

Szwagierczak D., Kulawik J., Marek A., Gandurska J., Śnieżyńska I.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2000

Vol. 41, nr 7

26-29

Badano odporność rezystorów opartych na krzemkach tytanu TiSi2, Ti5Si3 na odziaływanie impulsów wysokonapięciowych o kształcie fali 10/700us. Zniszczenie rezystorów następowało przy napięciu 1200-1500V. Zmiany rezystancji po udarach wynosiły 0-4,5% w zależności od napięcia, ilości impulsów, grubości warstwy i rodzaju krzemku.

Surge performance of resistors based on titanium silicides TiSi2, Ti5Si3 and TiSi were investigated using 10/700 us hight voltage pulses. Failure of resistors occurred ar 1200-1500 V. Changes in resistance after pulsing were 0-4,5% depending on peak voltage, number of pulses, thick film thockness and kind of silicide.