Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tin dioxide
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Most of the studies on tin oxide coatings as electrode materials were conducted on titanium; in this study, the aim was to create pure tin oxide (SnO2) films on graphite substrate, which is more prevalent than titanium. There is a lack in investigation the effect of SnCl2 and HNO3 concentrations on the prepared SnO2 electrode; therefore, the aim of this work was to study these effects precisely. Also, no previous study investigated the removal of phenol sonoelectrochemically by a SnO2 electrode, which would be accomplished in the present work. The tin dioxide electrode was produced by cathodic electrodeposition using a SnCl2·2H2O solution in the presence of HNO3 and NaNO3 on a graphite plate substrate. The impact of various operating parameters (current density – CD, HNO3 concentration, and SnCl2·2H2O concentration) on the morphology and structure of the SnO2 deposit layer was thoroughly investigated. The physical structures of the SnO2 film were determined by X‐ray diffraction (XRD), surface morphology was characterized using field-emission scanning electron microscopy (SEM), and chemical composition was analyzed using energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). In a batch reactor, the sonoelectrochemical oxidation of phenol was tested to determine the performance of the best SnO2 electrodes for phenol degradation and any organic byproducts. It was discovered that 10 mA/cm2 , 50 mM of SnCL2·2H2O, and 250 mM of HNO3 were the optimum conditions to prepare SnO2 electrodes, which produced the smallest crystal size, with no appeared cracks, and gave the best phenol removal. The best prepared electrode was tested in the sonoelectrochemical oxidation of phenol with two different electrolytes and different CD, and the results showed that the phenol removal was 76.87% and 64.68% when using NaCl and Na2SO4, respectively, as well as was 63.39, 76.87, and 100% for CD at 10, 25, and 40 mA/cm2, respectively.
EN
The presented work deals with the possibility of synthesis of blue-violet cassiterite pigments, in which a part of tin ions was substituted by cobalt and manganese ions. In this case, phosphorous is used as a charge-compensating element. The compounds with the formula Sn0.752Co0.08P0.16Mn0.008O2 were prepared by solid state reaction, using the classical ceramic method, and also the method of mechanical activation. The goal was to develop conditions for synthesis and the most suitable preparation method of these pigments. The temperature range was chosen from 1350 °C to 1500 °C. The synthesised pigments were characterised in terms of colour properties after their application into the transparent ceramic glaze P 074 91 and into the organic binder. They were also studied with respect to their phase composition as well as the particle size distribution.
PL
Prezentowana praca poświecona jest możliwości syntezy niebieskofioletowago pigmentu kaserytowego, w którym część jonów cynowych podstawiono jonami kobaltu i manganu. W tym przypadku fosfor użyto jako pierwiastek kompensujący ładunek. Związki o wzorze Sn0,752Co0,08P0,16Mn0,008O2 przygotowano w drodze reakcji w fazie stałej, wykorzystując klasyczną metodę ceramiczną, a także metodę mechanicznej aktywacji. Cele było opracowanie warunków syntezy i najbardziej odpowiedniej metod wytwarzania tych pigmentów. Wybrano zakres temperatury od 1350 °C do 1500 °C. Pigmenty scharakteryzowano w odniesieniu do właściwości barwnych po zastosowaniu ich w przezroczystym ceramicznym szkliwie P 074 91 i organicznym lepiszczu. Zbadano również ich skład fazowy i rozkład wielkości cząstek.
3
Content available remote Electrical and optical properties of spin-coated SnO2 nanofilms
EN
SnO2 nanocrystalline thin films have been deposited on oxidized silicon substrates by spin-coating from a precursor solution, followed by slow thermal annealing in oxygen atmosphere at different temperatures (500 to 900 °C). The precursor solution consisted of 1.0 to 2.0 M SnCl4•5H2O in isopropanol. It was shown that the concentration of the precursor solution, annealing temperature and heating rate had a significant effect on the structural, optical and electrical properties of the studied thin films. The topography of SnO2 thin films was examined by scanning electron microscopy (SEM). Furthermore, as-deposited films were characterized by X-ray diffraction (XRD), UV-Vis and impedance spectroscopy.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań rezystancyjnych czujników gazu z filtrem aktywnym, które wykonano na bazie SnO₂. Analizowane struktury wykonano techniką sitodruku i poddano charakteryzacji metodą temperaturowo stymulowanej konduktancji. Pomiary prowadzono w atmosferze czystego powietrza oraz w atmosferze zawierzającej śladowe ilości amoniaku.
EN
In the paper the results of SnO₂ gas sensors with an active filter has been presented. The analyzed structures were manufactured in standard thick film technology and characterized by using temperature stimulated conductance measurements (TSC). The investigations were performed in air and ammonia.
PL
Badano strukturę, skład fazowy, morfologię powierzchni i skład chemiczny warstw SnO₂ wytworzonych rozpylaniem magnetronowym Sn z następnym utlenianiem przy temperaturze 500°C. Zbadano oddziaływanie CO i NO₂ na nie domieszkowane oraz domieszkowane Pd warstwy sensorowe SnO₂. Otrzymane rezultaty mogą być wykorzystywane przy budowie czułych i selektywnych sensorów do detekcji gazowych mieszanek, zawierających NO₂ i CO.
EN
Structure, phase structure, morphology of a surface and chemical structure of SnO₂ based films are investigated by methods of electron diffraction patterns, TEM, SEM, AES, SIMS. Sensor property of SnO₂ and Pd-doped SnO₂ films in relation to CO and NO₂ are investigated. The received results can be used in creation of high-sensitivity and selective sensors for detecting gas mixtures containing N0₂ and CO.
6
Content available Electrochemical synthesis of tetragonal SnO2 phase
EN
The main aim of this research was to determine parameters of deposition of tetragonal SnO2 phase by electrochemical method. The influence of different parameters like potential of a working electrode, the electrolyte composition and time of deposition on the morphology of the electrodeposited SnO2 was determined by LSV and QCM techniques. The mechanism of the oxide formation is also discussed. The morphology and structure of films was characterized by AFM and XRD technique.
PL
Celem badań było określenie parametrów osadzania SnO2 o strukturze tetragonalnej metodą elektrochemiczną. Określony został wpływ parametrów takich jak: potencjał elektrody pracującej, skład elektrolitu oraz czas trwania elektrolizy na morfologię osadzonego SnO2. Badania prowadzono z wykorzystaniem technik LSV oraz QCM. W artykule omówiony został również mechanizm tworzenia się SnO2. Do charakterystyki morfologii uzyskanych cienkich warstw wykorzystano mikroskop AFM. Badania strukturalne wykonano metodą XRD.
PL
Porównano charakterystyki cienkowarstwowych sensorów typu rezystancyjnego i termoelektrycznego na bazie dwutlenku cyny. Zbadano wpływ temperatury i koncentracji tlenu na przewodnictwo i siłę termoelektryczną. Pokazano, że zastosowanie sił termoelektrycznych w charakterze mierzonego sygnału pozwala udoskonalić charakterystyki pomiarowe sensorów gazów.
EN
Comparative characteristics of resistive and thermoelectric thin film sensors based on tin dioxide have been investigated. The influence of temperature and oxygen concentration on electrical conductivity and thermoelectric force of films was investigated. It has been shown that the application of thermoelectric force as measured signal makes possible to enhance measuring characteristics of gas sensors.
PL
W pracy przedstawiono wstępne wyniki badań warstw gazoczułych otrzymywanych metodą zol-żel. Zol przygotowywano na bazie SnCI4 i nanoszono go na podłoża metodą spin coating. Otrzymano warstwy cienkie, ciągłe, drobnokrystaliczne o dobrej adhezji. Czujniki z warstwą zol-żel charakteryzowały się bardzo dużą czułością, silnie zależną od krotności nanoszenia zolu. Badania prowadzono w atmosferze par etanolu. Tak duża czułość obserwowana jest w materiałach nanokrystalicznych, w których obszar zubożony zajmuje całą objętość warstwy gazoczułej.
EN
In this paper the study of SnO2 sensing layers prepared by using a sol-gel technique has been presented. The tin dioxide sol were deposited by spin coating method. The developed sensing layers had a noncrystalline structure and shows excellent adhesion to the substrates. A strong influence of the thickness of deposited material on the gas sensing properties was observed. The small size of the SnO2 grains leads to high sensitivity.
EN
The measurements of the resistance response to synthetic air of the SnO₂ thin film based sensor structures were carried out. The sensing SnO₂ films were deposited on alundum substrates in the rheotaxial growth and thermal oxidation (RGTO) process. The sensor responses were registered under dry and humid airflow during structure heating and cooling (within the temperature range from 20°C to 400°C). The maximum sensor sensitivity to O₂ exposition was registered at a tem­perature of about 275°C. The temperature reversibility of the studied sensor response was compared with that of a commercial SnO₂ thick film Taguchi sensor. In order to understand the relationship between the sensing and chemical properties of SnO₂ films, the in-depth chemical composition profiles were investigated using the scanning Auger microprobe equipped with an Ar⁺ ion sputtering system.
PL
Zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji cienkich warstw sensorycznych SnO₂ otrzymanych metodą reotaksjalnego wzrostu i termicznego utleniania (RGTO). Pokazano, że wytworzone warstwy są czułe na tlen zawarty w syntetycznym powietrzu. Zarejestrowano odpowiedź sensora na suche i wilgotne syntetyczne powietrze podczas wygrzewania i ochładzania próbki (w zakresie temperatur od 20 do 400°C). Sensor wykazywał maksimum czułości na tlen zawarty w syntetycznym powietrzu w temperaturze około 275°C. Porównano temperaturową zależność odpowiedzi (przy grzaniu i chłodzeniu) badanego sensora z komercyjnym sensorem Taguchi na bazie grubych warstw SnO₂. W celu określenia zależności między właściwościami sensorowymi a składem chemicznym próbki, zbadano głębokościowe profile składu chemicznego za pomocą skaningowego mikroanalizatora elektronów Augera z systemem bombardowania jonami Ar⁺.
10
Content available remote Thick-film gas microsensors based on tin dioxide
EN
Semiconductive - resistive sensors of toxic and explosive gases were fabricated from nanograins of SnO2 using thick-film technology. Sensitivity, selectivity and stability of sensors working in different temperature depend on the way the tin dioxide and additives were prepared. A construction also plays an important role. The paper presents an attitude towards the evaluation of transport of electrical charges in semiconductive grain layer of SnO2, when dangerous gases appear in the surrounding atmosphere.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.