Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: time-domain simulation

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie rekurencyjnych algorytmów splotowych do symulacji układów impulsowego przetwarzania mocy

Janke W., Pietrenko W., Blakiewicz G.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2002

Vol. 43, nr 6

17-21

W pracy omówiono problemy związane z symulacją w dziedzinie czasów układów impulsowego przetwarzania mocy. Zaproponowano nową metodę opartą na rekurencyjnych półanalitycznych algorytmach splotowych. Przedstawiono właściwości tych algorytmów oraz przykłady symulacji prostych układów mocy. Algorytmy splotowe charakteryzują się bezwzględną stabilnością, dużą dokładnością oraz małą złożonością numeryczną. Z tych powodów proponowana metoda wydaje się być przydatna do symulacji impulsowych układów mocy.

The main problems of time-domain switch-mode power circuits simulation are outlined. A new method of time-domain simulation of such circuit is presented. The method is based on a family of semi-analytical recursive algorithms of convolution. A general simulation method and examples of simulation results for simple switch-mode power circuits are given. Because of absolute stability, high accuracy and low numerical complexity the proposed method seem to by a very convenient for simulation of power circuits.

Design and Simulation of PWM Switch-mode Power Converters

Pietrenko W., Janke W.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

1999

Vol. 47, nr 3

291-300

In the paper, a computer program is presented, which is the aid for the design and prediction of operation of three basic configurations of PWM switch-mode power converters: Buck, Boost and Flyback. The design procedure is based on formulas presented in the literature. The time-domain simulation of current and voltage waveforms is performed with the use of semi-analytical recursive convolution algorithms (SARA), from which resistive companion models of dynamic subcircuits are derived. The switching transistors are modelled as two-state resistor; diodes are described by nonlinear i-u relationships. Appart from describing the general methods, the examples of simulation results are presented.