Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  threshold energy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Impact Ionization Process in Deep Submicron MOSFET
EN
Within the framework of Keldysh impact ionization model the calculation of effective threshold energy for silicon MOSFET with 100 nm channel length by means of ensemble Monte-Carlo simulation is performed. The possibility of impact ionization rate treatment with one-parameter Keldysh model in pre-breakdown and breakdown transistor operation mode using calculated effective threshold energy value is proposed.
PL
Modelowy układ, składający się z wyizolowanej typowej samolotowej belki podskrzydłowej i podwieszonej pod nią bomby lotniczej, poddano działaniu impulsu prądu, symulującego uderzenie pioruna. W artykule przedstawiono wyniki pomiarów natężenia prądu indukowanego w obejmującej spłonkę gałęzi obwodu elektrycznego mechanizmu podawania impulsu bomby. Przedstawiono również wyniki pomiarów energii progowej zadziałania spłonki dla impulsów pobudzających o różnych czasach trwania. Energia, wydzielana w spłonce w czasie trwania impulsu piorunowego, przewyższa energię progową o kilka rzędów wielkości, co powoduje konieczność opracowania odpowiednich urządzeń zabezpieczających.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.