Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Rogalski A.

2 2006

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: third generation detectors

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Competitive technologies of third generation infrared photon detectors

Rogalski A.

Opto-Electronics Review

2006

Vol. 14, No. 1

87-101

Hitherto, two families of multielement infrared (IR) detectors are used for principal military and civilian infrared applications; one is used for scanning systems (first generation) and the other is used for staring systems (second generation). Third generation systems are being developed nowadays. In the common understanding, third generation IR systems provide enhanced capabilities like larger number of pixels, higher frame rates, better thermal resolution as well as multicolour functionality and other on-chip functions. In the paper, issues associated with the development and exploitation of materials used in fabrication of third generation infrared photon detectors are discussed. In this class of detectors two main competitors, HgCdTe photodiodes and quantum well IR photoconductors (QWIPs) are considered. The performance figures of merit of state-of-the-art HgCdTe and QWIP focal plane arrays (FPAs) are similar because the main limitations come from the readout circuits. However, the metallurgical issues of the epitaxial layers such as uniformity and number of defected elements are the serious problems in the case of long wavelength infrared (LWIR) and very LWIR (VLWIR) HgCdTe FPAs. It is predicted that superlattice based InAs/GaInSb system grown on GaSb substrate seems to be an attractive to HgCdTe with good spatial uniformity and an ability to span cutoff wavelength from 3 to 25 μm.

Third generation infrared detectors

Rogalski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 3

19-27

Hitherto, two families of multielement infrared (IR) detectors are used for principal military and civilian infrared applications; one is used for scanning systems (first generation) and the other is used for staring systems (second generation). Third generation systems are being developed nowadays. In the common understanding, third generation IR systems provide enhanced capabilities like larger number of pixels, higher frame rates, better thermal resolution as well as multicolour functionality and other on-chip functions. In the paper, issues associated with the development and exploitation of third generation infrared photon detectors are discussed. In this class of detectors two main competitors, HgCdTe photodiodes and quantum well photoconductors are considered. The performance figures of merit of state-of-the-art QWIP and HgCdTe FPA's are similar because the main limitations come from the readout circuits. However, in the long wavelength infrared (LWIR) region, the HgCdTe material fail to give the requirements of large format two-dimensional (2D) arrays due to metallurgical problems of the epitaxial layers such as uniformity and number of defected elements.

Dotychczas w technice podczerwieni stosowane są dwojakiego rodzaju wieloelementowe detektory podczerwieni: linijki detektorów w systemach ze skanowaniem mechanicznym (zwanych również systemami 1. generacji) i dwuwymiarowe matryce detektorów w systemach ze skanowaniem elektronicznym (zwanych systemami 2. generacji). Trzecia generacja systemów jest rozwijana obecnie i jak dotychczas jej definicja nie jest precyzyjnie określona. Zakłada się, że powinna mieć większąliczbę pikseli obrazowych, charakteryzować się większąszybkościąodczytu ramki obrazu, lepszą rozdzielczością temperaturową, możliwością wielospektralnej analizy obrazu w różnych zakresach widmowych oraz mieć inne dodatkowe on-line funkcje. W artykule przedstawiono aktualny stan zaawansowania prac w zakresie koncepcji realizacji wyżej określonych funkcji i technologicznych problemów praktycznej implementacji detektorów trzeciej generacji. Dotychczas rozważano dwie grupy materiałów jako najbardziej perspektywicznych w osiągnięciu zamierzonych celów: roztwór stały HgCdTe i supersieci AlGaAs/GaAs. Osiągi matryc wykonywanych z tych dwóch półprzewodników są podobne z tej głównej przyczyny, że są ograniczone typowymi pojemnościami wejściowymi krzemowych procesorów odczytu sygnałów, rzędu 10⁷ elektronów.