Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2022

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: thin layer characterization

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania jednorodności cienkich warstw InAs otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych

Wróbel Jarosław, Odrzywolski Sebastian, Złotnik Sebastian, Boguski Jacek, Liszewska Malwina, Budner Bogusław, Jankiewicz Bartłomiej, Matuszelański Kacper

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 1

135--138

Niniejsza praca porusza zagadnienie charakteryzacji warstw epitaksjalnych arsenku indu (InAs) pod kątem jednorodności przestrzennej. Badania przeprowadzone w pracy zostały oparte na trzech metodach charakteryzacji: wysokorozdzielczej mikroskopii optycznej, mikroskopii sił atomowych i spektroskopii Ramana. Obiektem badań były warstwy epitaksjalne InAs na podłożach arsenku galu (GaAs), które zostały wytworzone metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).

This thesis deals with the characterization of epitaxial layers of indium arsenide (InAs) in terms of spatial homogeneity. The research conducted in the paper was based on three characterization methods: high-resolution optical microscopy, atomic force microscopy and Raman spectroscopy. The subject of the research were epitaxial layers of InAs on gallium arsenide (GaAs) substrates, which were produced by the method of molecular beam epitaxy (MBE).