Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: thin dioxide

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania wybranych nanostruktur SnO2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Kwoka M., Szuber J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 9

17-19

W artykule przedstawiono wyniki badań porównawczych wybranych nanostruktur SnO2, w aspekcie ich potencjalnych zastosowań sensorowych, ze szczególnym uwzględnieniem ich dynamicznych parametrów sensorowych w atmosferze NO2. Obserwowane różnice w tych parametrach zostały powiązane z odmiennością struktury krystalicznej, morfologii powierzchni, oraz czystości i lokalnej stechiometrii powierzchni badanych nanostruktur SnO2.

In this paper the results of comparative analysis of dynamic sensor properties of SnO2 nanostructures, in aspect for gas sensor application, with a special emphasis on dynamics sensor parameters in nitric oxide NO2 atmosphere. The observed differences of sensor dynamic parameters are related to the difference of crystallinity, surface morphology, and purity and local stoichiometry of SnO2 nanostructures.

Badania struktury, morfologii powierzchni oraz właściwości sensorowych cienkich warstw SnO₂

Izydorczyk W., Pisarek M., Żak J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 6

50-53

Celem pracy było określenie, za pomocą badań strukturalnych i chemicznych (XRD, AFM, AES) oraz sensorowych (pomiary zmian rezystancji w atmosferze gazu zawierającej tlen i azot w różnych stężeniach), jakie czynniki (struktura warstwy, skład chemiczny, temperatura pracy, stężenie gazu) decydują o optymalnej pracy sensora na bazie cienkich warstw SnO₂, w atmosferze zawierającej tlen. Rezystancyjne warstwy SnO₂ na podłożu kwarcowym, o grubości 100, 300 i 500 nm, otrzymano metodą magnetronowego rozpylania katodowego. Badania XRD wykazały krystaliczną strukturę warstw. Wyznaczony średni rozmiar krystalitów wynosił 15...40 nm. Wartości te zostały potwierdzone z pomiarów morfologii powierzchni metodą mikroskopii AFM. Profile głębokościowe składu chemicznego warstwy określono za pomocą mikroanalizatora elektronów Augera. Pomiary gazowe wykazały, że odpowiedź struktury zależała od temperatury pracy oraz grubości warstwy. Szczególnie minimum rezystancji dla warstwy o grubości 100 nm uzyskano dla temperatury równej ok. 573 K.

Experimental studies on thin SnO₂ layers were performed and a correlation between their electric properties, stoichiometry and microstructure conducted. The research aimed at identifying the factors (layer structure, surface morphology, working temperature and gas concentration) that make the thin SnO₂ layer a sensors in the oxygen atmosphere. Resistant layers of SnO₂ on quartz substrate were made using the magnetron sputtering. The thickness of the layers was in the range from 100 nm to 500 nm. The X-Ray diffraction measurements proved of a crystalline layer structure. The grain size was determined both from XRD and AFM measurements. The average grain diameter was in the range from 15 nm to 40 nm. The in-depth profiles of the chemical composition of the SnO₂ layers were determined from the scanning Auger microprobe experiment. The sensor responses, in terms of the changes in the sensing layer's resistance, were measured under the flow of dry gas mixture containing oxygen in nitrogen, during heating and cooling of the samples within the temperature range of 423 to 673 K. The relations found for the film conductance versus working temperature and the film thickness have been analyzed. In particular, the resistance minimum was found at about 573 K in the case of the 100 nm thick film.