Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Niskotemperaturowe właściwości rezystorów RuO2-szkło

Mleczko K., Ptak P.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika

|

2015

|

z. 34 [292], nr 2

275--294

PL

Przedmiotem badań były rezystory grubowarstwowe RuO2-szkło o znanym składzie, wykonane w warunkach laboratoryjnych. Przeprowadzono pomiary rezystancji i szumów nadmiarowych typu 1/f w funkcji temperatury, w zakresie 30 mK -300 K oraz w funkcji pola magnetycznego do 5 T. Rezystory RuO2-szkło dobrze nadają się do wykorzystania w roli kriogenicznych czujników temperatury ze względu na dużą czułość i małą magnetorezystancję. Porównanie tych parametrów z parametrami czujników komercyjnych pozwala stwierdzić, że są to przyrządu tej samej klasy. Badane rezystory charakteryzuje duży wzrost poziomu szumów nadmiarowych w zakresie temperatur kriogenicznych, przez co ograniczeniu ulega rozdzielczość pomiaru temperatury. Na podstawie pomiarów tych szumów określono rzeczywistą rozdzielczość pomiaru rezystancyjnych czujników temperatury. Dokonano także krytycznej analizy mechanizmów przewodnictwa najczęściej stosowanych do opisu rezystorów wykonanych na bazie RuO2. Pomiary temperaturowej zależności rezystancji pozwalają odrzucić model przewodnictwa skokowego zmiennozakresowego dla tego typu rezystorów. Z kolei pomiary szumów dają dobrą zgodność z jedną z teorii w ramach tego modelu przewodnictwa. Dla próbek badanych w pracy określono krytyczną koncentrację składnika metalicznego w warstwie rezystywnej, przy której następuje przejście metal-izolator.

EN

Thick film RuO2-glass resistors were studied. They were laboratory made, so their composition is well known. The measurements of resistance and 1/f excess noise as a function of temperature in the range of 30 mK - 300 K were performed. Also as a function of magnetic field in the range 0 – 5 T. The RuO2-glass resistors can be used as a cryogenic temperature sensors due to their high sensitivity and low magnetoresistance. A comparison of these parameters with the parameters of commercial sensors shows that they are the same class instruments. The resistors studied exhibit a large increase of excess noise level in the range of cryogenic temperatures, thus the temperature measurement resolution is limited. The noise measurements allowed to determine the actual measurement resolution of resistive temperature sensors. A critical analysis of conduction mechanisms frequently used to describe RuO2 resistors has also been performed. Measurements of temperature dependence of resistance allow to reject variable range hopping conductivity model for this type of resistors. On the other hand, the noise measurements give a good agreement with a theory within this model of conductivity. For the samples studied in the work a critical concentration of the metallic component in the resistive layer has been defined at which the metal-insulator transition occurs.

2

Stanowisko do precyzyjnej korekcji cienko- i grubowarstwowych elementów rezystancyjnych

Serzysko T., Futera K., Kozioł G., Stęplewski W., Araźna A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 7

114-117

PL

Światowy przemysł elektroniczny jest coraz bardziej zainteresowany technologią wbudowywania podzespołów biernych do wnętrza płytki drukowanej. Podzespoły bierne takie jak rezystory, kondensatory oraz elementy indukcyjne stanowią niezbędną część każdego urządzenia elektronicznego. Ze względu na ich dużą liczbę w wyrobie zajmują one znaczną powierzchnię na warstwach zewnętrznych płytki drukowanej i jednocześnie, ze względu na swoje małe gabaryty takie jak 0402 i 0201, stają się kłopotliwe w automatycznym montażu elektronicznym i uciążliwe w kontroli jakości połączeń lutowanych. Ze wszystkich rodzajów podzespołów biernych, uwaga zwrócona jest zwłaszcza na rezystory, ponieważ stanowią największą liczbę montowanych podzespołów biernych. W niniejszym artykule przedstawiono opracowane w Instytucie Tele- i Radiotechnicznym stanowisko laboratoryjne do korekcji elementów rezystancyjnych oraz wyniki prac nad korygowaniem wartości rezystancji rezystorów cienko- i grubowarstwowych za pomocą lasera przy wykorzystaniu różnej konfiguracji cięć korygujących.

EN

Global electronics industry becomes morę and more interested in embedding passive subassemblies into printed circuit board. Passive subassemblies so as resistors, capacitors and inductive elements arę necessary part of every electronic device. Their huge number in device implies that they cover most of external layers on printed circuit board. Moreover their small size (0402, 0201) causes that automatic assembly and quality control soldered connections are problematic. From all kinds of passive subassemblies attention is paid especially to resistors, because they are the most often assembled. In this article is included worked out in Tele&Radio Research Institute laboratory position for resistance elements correction and results of working on thin and thick resistors resistance value correction using laser and correcting cuts in different configurations.

3

Źródła szumów w rezystorach grubowarstwowych na bazie dwutlenku rutenu

Kolek A., Zawislak Z., Stadler A. W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 10

38-40

PL

Omówiono metodę pomiarów weryfikujących koncepcję, zgodnie z którą źródłem szumów niskoczęstotliwościowych są systemy dwustanowe o kinetyce aktywowanej termicznie. Pokazano, że takie systemy wywołują szumy w rezystorach grubowarstwowych wykonanych z past rezystywnych na bazie dwutlenku rutenu i szkła.

EN

A study on low-frequency noise sources in thick film resistors made of resistive pastes based on ruthenium dioxide and glass has been presented. The paper focuses on the excess noise spectrum dependence on temperature in the range 77 K < T < 300 K. Experimental data have been then analyzed to extract characteristic values of activation energy and time constant describing unique features of the measured spectra. It has been proved that the noise in RuO2 + glass thick film resistors is caused by two-states systems of thermally activated kinetics.

4

Rezystory molibdenowe : ekonomiczna propozycja dla techniki grubowarstwowej

Jakubowska M., Kalenik J., Kisiel R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

64-65

PL

Opracowano serię past rezystywnych opartych na tlenku molibdenu. Przedstawiono podstawowe właściwości grubowarstwowych rezystorów molibdenowych.

EN

Series of resistive pastes based on molybdenum oxide was elaborated. Some properties of molybdenum thick film resistors are presented.