Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: thermometric characteristic

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ rozrzutu technologicznego parametrów tranzystorów MOS mocy na dokładność pomiaru ich rezystancji termicznej

Posobkiewicz Krzysztof, Górecki Krzysztof

Przegląd Elektrotechniczny

2024

R. 100, nr 10

195--198

W pracy przedstawiono wyniki badań ilustrujących wpływ rozrzutu technologicznego parametrów tranzystorów MOS mocy na błąd pomiaru ich rezystancji termicznej przy wykorzystaniu pośredniej metody elektrycznej. W charakterze parametru termoczułego wykorzystano napięcie bramka-źródło. Badania przeprowadzono na próbie 18 tranzystorów MOS mocy wybranych losowo z jednej partii produkcyjnej. Zmierzono charakterystyki termometryczne każdego z tranzystorów oraz wyznaczono współczynniki funkcji aproksymujących te charakterystyki. Wyznaczono wartości rezystancji termicznej z wykorzystaniem zarówno liniowej, jak i kwadratowej funkcji aproksymującej oraz parametrów tych funkcji uzyskanych dla różnych egzemplarzy badanych tranzystorów. Określono błąd pomiaru wartości napięcia bramka-źródło na uzyskaną wartość rezystancji termicznej związany z rozrzutem technologicznym.

In the paper the results of investigation illustrating the influence of the technological spread the parameters of power MOS transistors on the measurement error of their thermal resistance using the indirect electrical method are presented. As a thermosensitive parameter the gate source voltage was selected. The investigation was carried out on the sample of 18 power MOS transistors randomly chosen from the same production batch. The thermometric characteristics each of the transistors were measured and the coefficients of the functions approximating these characteristics were calculated for all transistors using linear and quadratic approximating function. The measurement error related with the technological spread of the value of the gate-source voltage on the value of the thermal resistance was calculated.

Szybka korekcja statycznych charakterystyk termometrycznych termistorów

Gołębiowski J., Gozdur R., Majocha A.

Pomiary Automatyka Kontrola

2012

R. 58, nr 1

19-22

W artykule przedstawiono metodę szybkiej korekcji statycznych charakterystyk termometrycznych termistorów. Zastosowano komputerowy system pomiarowy z wzorcowym czujnikiem platynowym oraz elementem wykonawczym w postaci pompy ciepła Peltiera. Zaprezentowano wyniki pomiarów. Przestawiono metodę wyznaczania zmodyfikowanych parametrów charakterystyki termometrycznej na podstawie przeprowadzonych pomiarów.

The paper presents a method for fast correction of static characteristics of NTC thermistors and a measurement-control system with dedicated software. The measurement system uses a high performance current source and ADC card with 16-bit converter and a USB interface. The control unit uses a three-stage Peltier heat pump that enables fast and simple stabilization of the temperature in the range (20 ÷ 85) °C. Using a software PID controller and a standard Pt100 temperature sensor the stability achieved was at the level of š 0.02°C over the full range. Corrections were carried out by classifying sensors to one of three categories (I, II, III) and then a specific set of coefficients was assigned for the static characteristics. The paper presents the detailed algorithm for the procedure including the method for determining the adjusted static characteristic coefficients. The coefficients were determined by the optimal value search method minimising along orthogonal directions. Approximately 20% of the test sample that contained 35 pcs sensors did not require correction. The accuracy of other sensors was improved three times at least by the correction applied.