PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 13

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  thermal simulation
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Symulacja termiczna sterownika bramkowego tranzystora MOSFET mocy pracującego z częstotliwością 30 MHz
Legutko Piotr
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 5
49--54
PL
W artykule przedstawiono opis i sposób realizacji symulacji termicznej niskostratnego sterownika bramkowego małej mocy mogącego pracować z częstotliwością sięgającą 30 MHz. Symulacja komputerowa rozkładu temperatur na płytce PCB obwodu drajwera została przeprowadzona w celu określenia maksymalnej, dopuszczalnej temperatury pracy układu. Wyniki przeprowadzonej symulacji termicznej dla stanu ustalonego zostały zweryfikowane na stanowisku badawczym przy użyciu kamery termowizyjnej. W wyniku symulacji termicznej wykonanej w oprogramowaniu ANSYS otrzymano rozkład temperatury na płytce PCB wykonanej z materiału IMS (o podłożu aluminiowym), określono temperatury maksymalne dla układów małej mocy. W wyniku badań laboratoryjnych określono straty mocy w niskostratnym sterowniku bramkowym pracującym dla maksymalnej częstotliwości 30 MHz oraz zweryfikowano otrzymane wyniki symulacyjne.
EN
This paper presents a FEM simulation of low-losses MOSFET driver. This gate driver can run at 30MHz frequency and was made with eight low power MOSFET drivers UCC27256. The steady state thermal simulation was made in ANSYS software used a 3D driver model (figure 6,7) performed in Inventor Professional software. The 3D model of MOSFET driver reflects the properties of the real circuit (figure 5) including: PCB board was made IMS material, low power MOSFET drivers UCC27256 and all other items of driver. The steady state thermal simulation of lowlosses driver 8xUCC27526 was carried out in order to determine the maximum permissible operating temperature of the circuit. Additionally, in this paper presents a temperature distribution of PCB board of MOSFET driver (figure 11), maximum temperature of PCB board (figure 12,13) and characteristic of power losses for MOSFET driver for frequency range from 10 MHz to 30 MHz (figure 10). The results of FEM thermal simulation were compared to real infrared photo (figure 17) which was made for a maximum operating frequency 30MHz.
2
Content available Numerical Investigation of the Air Gap Distribution of Jackets with Different Fits and its Influence on Human Temperature
Awais Muhammad, Krzywinski Sybille, Kyosev Yordan
Fibres & Textiles in Eastern Europe
|
2021
|
Vol. 29, no. 6 (150)
77--86
EN
The air gaps underneath clothing have a great influence on the thermal regulation of the human body. The distribution of the air gaps depends on the shape of the human body as well as on clothing style, fit, and deformation properties. This paper reports on the influence of clothing fit on thermophysiological parameters of the human body through thermal simulation. Four different fits of jacket and a test person were considered for the investigation and for simulation purposes. The results of the simulation concluded that different thermal regulations of the human body were exhibited for different fits of the jacket, which is due to distinct air gaps between the human body and clothing for each fit of the jacket. This research work presents a fast method to predict the influence of clothing fit on thermal comfort, which is usually studied by a time-consuming, laborious method – the wear trial.
3
Content available remote Comprehensive theoretical study of optical, thermophysical and acoustic properties of surface nanostructures with metallic nanoparticles for fiber-optic photoacoustic ultrasound transducers
Mikitchuk Alena, Kozadaev Konstantin
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 3
129--137
EN
The relationship between microscopic parameters of surface nanostructure and output characteristics of the photoacoustic transducer is established in this paper. In this paper, novel results in the area of complex simulation of thermal, acoustic and mechanical characteristics of surface nanostructures are demonstrated. The design of fiber-optic photoacoustic ultrasound transducer providing the most effective optical-to-acoustic conversion (intensity modulated optical signal is converted into pressure waves) is proposed as a result comprehensive theoretical study of absorbed optical power, stationary and non-stationary temperature and pressure distribution in various surroundings for different sets of microscopic parameters of surface nanostructures on the optical fiber edge. Additionally, the photoacoustic response is measured in order to provide the experimental proof of main results. Obtained dependencies can be used in the design of modern and perspective systems of ultrasound technical diagnostics, high-resolution ultrasound imaging of industrial densely-packed objects.
PL
W pracy przedstawiono zależność między parametrami mikroskopowymi nanostruktury powierzchniowej a wyjściowymi właściwościami akustycznymi przetwornika fotoakustycznego. W tym artykule przedstawiono nowatorskie wyniki w dziedzinie złożonej symulacji termicznych, akustycznych i mechanicznych właściwości nanostruktur powierzchniowych. Proponuje się zaprojektowanie światłowodowego fotoakustycznego przetwornika ultradźwiękowego zapewniającego najskuteczniejszą konwersję optyczno-akustyczną (sygnał optyczny o modulowanym natężeniu zamienia się w fale ciśnieniowe) w wyniku kompleksowych badań teoretycznych pochłoniętej mocy optycznej, stacjonarnej i niestacjonarnej temperatury oraz rozkład ciśnienia w różnych środowiskach dla różnych zestawów parametrów mikroskopowych powierzchniowych nanostruktur na krawędzi światłowodu. Dodatkowo mierzona jest odpowiedź fotoakustyczna w celu dostarczenia eksperymentalnego dowodu głównych wyników. Uzyskane zależności można wykorzystać przy projektowaniu nowoczesnych i perspektywicznych systemów ultradźwiękowej diagnostyki technicznej, obrazowania ultradźwiękowego wysokiej rozdzielczości gęsto upakowanych obiektów przemysłowych.
4
Content available Comparison between thermal simulation results generated by PLECS software and laboratory measurements
Mysiński Wojciech, Sysło Bartłomiej
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2019
|
No. 99
29--40
EN
This article deals with the subject of simulation of power losses and thermal processes occurring in semiconductors, as illustrated by an example of a DC/DC buck converter. The simulations were performed in PLECS software. The results obtained from the program were compared with measurement results of a laboratory converter model. The physical model is based on the same components as assumed in the simulation. Similarly, the parameters of the transistor control signal were the same. During operation of the converter, the temperature changes were analyzed using a K-type thermocouple. Based on the obtained results of the temperature measurement in the steady state of the converter operation, the correctness of the simulation carried out in the PLECS program was verified and confirmed.
5
Content available Thermal bridge effect of air gaps in wall construction
Kosiński P.
Technical Sciences / University of Warmia and Mazury in Olsztyn
|
2015
|
nr 18(3)
159--169
EN
The paper presents the phenomenon of thermal bridges caused by air infiltration. The problem of poor air tightness is very common in the former Eastern Bloc countries. The laboratory investigation was set up to recognize the impact of air infiltration on heat flux through the building envelope. The frame wall model insulated with loose mineral wool was investigated in non-isothermal climatic chamber. As a result of cold air infiltration, surfaces of gaps and areas adjacent to them were cooled, which is illustrated on temperature profiles. The forty minutes infiltration of 0o C air resulted as a 3.5o C cooling of gap area. The thermal simulation in Delphin confirmed the laboratory results.
6
Content available Thermal modelling of modern processors using FEM and compact model
Galicia M., Zając P., Maj C., Szermer M., Napieralski A.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2015
|
Vol. 6, nr 3
110--116
EN
A variety of thermal models has been proposed to predict the temperatures inside modern processors. In this paper, we describe and compare two such approaches, a detailed FEMbased simulation and a simpler architectural compact model. It is shown that both models provide comparable results when it comes to predicting the maximal temperature, however there are also non-negligible differences when estimating thermal gradients within a chip. Furthermore, transient simulation results show some differences in temperature profile during processor heating.
7
Content available remote Modelling of latent heat storage in PCM modified components
Machniewicz A., Heim D.
Czasopismo Techniczne. Budownictwo
|
2014
|
R. 111, z. 5-B
161--167
EN
Due to latent heat storage potential, phase change materials can be implemented in building materials to improve energy performance and thermal comfort. Nevertheless, the phase change effect is quite a complex phenomenon for numerical modelling and different methods can be used to estimate the results of latent heat storage. This paper presents a brief overview of the existing numerical methods and a short description of two most frequently used ones. Authors also investigated the capabilities of phase change modelling by three simulation tools. This work is a part of a wider research project which aims to find optimal solution of façade construction with the implementation of PCM. The choice of a proper numerical method was considered the first step to achieve this goal.
PL
W artykule przedstawiono skrócony przegląd metod modelowania numerycznego zjawisk przemiany fazowej oraz możliwości oceny akumulacji ciepła utajonego w komponentach modyfikowanych materiałami fazowo zmiennymi (MFZ). Scharakteryzowano również metody obliczeniowe trzech programów symulacyjnych umożliwiających modelowanie MFZ. W wyniku analizy oceniono zasadność wykorzystania poszczególnych metod do realizacji szerszego projektu mającego na celu znalezienie optymalnego rozwiązania fasady.
8
Content available Heat transfer simulations in the frequency domain with the application of thermal influence coefficients method
Gnidzińska K., Jabłoński G., Napieralski A., De Mey G
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2013
|
Vol. 4, nr 4
164--169
EN
In this paper an extension of thermal influence coefficients method to frequency domain has been presented. The method allowed the steady-state analysis of three-dimensional heat flow in multilayered structures. The presented modelling is based on Fourier and Hankel transforms, two-port network theory and correction coefficients for close-area distances, allowing emulation of finite heat sources by infinitesimal ones.
9
Content available remote Kształtowanie jednorodnego rozkładu temperatury w półprzewodnikowych rezystancyjnych sensorach gazów w technologii LTCC
Rydosz A., Maziarz W., Pisarkiewicz T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 4
249-252
PL
Do poprawnego działania warstwy gazoczułej w półprzewodnikowych rezystancyjnych sensorach gazów konieczne jest zapewnienie odpowiedniej temperatury pracy - zazwyczaj w przedziale 250-450°C. Warstwa ta może wykazywać maksymalną odpowiedź na wybrane gazy dla różnych temperatur, stąd też konieczne staje się zapewnienie odpowiedniej temperatury i możliwie jednorodnego jej rozkładu. W pracy omówiono procesy wymiany ciepła, jakie należy uwzględnić przy projektowaniu podłoży sensorowych, przedstawiono wyniki symulacji i eksperymentu oraz wnioski.
EN
For effective gas-sensitive layer operation in semiconductor gas sensors the sensor working temperature of 250-450°C is required. The layer usually exhibits a maximum response to selected gases at different temperatures, hence it is necessary to ensure the appropriate temperature and its uniform distribution in the gas-sensitive layer. The paper discusses the processes of heat exchange to be considered during designing the sensor substrates, the results of simulations, experiment results and conclusions.
10
Content available remote Badania termiczne prekoncentratora gazów w technologii LTCC
Rydosz A., Maziarz W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 10
309-312
PL
Prekoncentratory gazów znajdują coraz większe zastosowanie nie tylko w nauce, ale także w przemyśle jako jedno z narzędzi umożliwiające pomiar niskich stężeń gazów. Proces zagęszczania gazu składa się z kilku faz, a kluczowym etapem jest proces desorpcji. Na jakość desorpcji wpływa odpowiednia kontrola temperatury. W pracy przedstawiono prowadzone przez autorów badania nad kształtowaniem rozkładu temperatury oraz jej kontrolą w prekoncentratorach gazów wytworzonych w technologii LTCC.
EN
Gas preconcentrators become commonly used not only in science but also in industry as a tool to measure low gas concentrations. Gas concentration process consists of several phases, and a crucial step is gas desorption. The quality of desorption depends on the temperature so it should be well controlled and the preconcentrator should enable fast temperature changes. The paper presents the simulations and measurements of selected thermal parameters of gas preconcentrators manufactured in LTCC technology.
11
Gate level thermal simulation of CMOS ICs with emphasis on switching power
Kłąb S., Napieralski A., De Mey G.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 12
52-55
EN
Thermal issues in today's VLSI circuits are under intensive research due to technology scaling and increasing power density. Nowadays, more than a half of IC failures is caused by exceeded heating of a semiconductor structure. Therefore, it is necessary to constantly develop accurate methods capable of predicting temperature profile inside the chip structure. We propose a model to obtain variation of temperature in digital CMOS ICs, resulting from dynamic power dissipation. A gate-level logic simulator prepared by authors is coupled with temperature calculation method based on analytical solution of the heat equation. Planar heat sources are represented by a finite area and images method is used to apply proper boundary conditions. Temperature and its influence on propagation delay is calculated in consecutive steps of a simulation. Use of logic simulation instead of circuit-level simulation enables us to save computation time. Moreover, the analytical solution does not have drawbacks specific for numerical methods, e.g. it is not needed to use a mesh. The proposed method let us also observe fast changing temperature variations and propagation delay fluctuations within a small range of time. Ring oscillator circuits were used to show proper operation of implemented software application. Simulations were made for a generic 90 nm technology using basic digital circuits.
PL
Zjawiska cieplne we współczesnych układach VLSI wymagają intensywnych badań naukowych ze względu na postępującą miniaturyzację oraz rosnące gęstości mocy traconych w przyrządach. Szacuje się, iż ponad połowa uszkodzeń układów mikroelektronicznych jest powodowana przez nadmierne nagrzewanie struktury półprzewodnikowej. Z tego względu konieczne jest stałe rozwijanie metod pozwalających na oszacowanie profilu temperatury wewnątrz układu. Autorzy proponują model pozwalający określić zmiany temperatury w cyfrowych układach CMOS wywołane stratami dynamicznymi mocy. Został przygotowany symulator logiczny na poziomie bramek sprzężony z mechanizmem wyznaczania temperatury opartym na analitycznym rozwiązaniu równania transport ciepła. Źródła ciepła są ograniczane skończoną powierzchnią, a w celu wprowadzenia warunków brzegowych zastosowano metodę obrazów (ang. Mirror Images Metod). Temperatura oraz jej wpływ na czas propagacji stanów logicznych są znajdowane w kolejnych krokach symulacji. Prawidłowość pracy symulatora została zbadana z użyciem układów oscylatorów pierścieniowych. Symulacje przeprowadzono dla technologii 90 nm.
12
Modelowanie nieliniowych zjawisk termicznych w układach elektronicznych przy wykorzystaniu programu SPICE
Kamiński M., Janicki M., Napieralski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 10
7-12
PL
Zaprezentowano sposób adaptacji metody równoważnej sieci RC do rozwiązywania nieliniowych problemów termicznych w układach elektronicznych. Korzystając z istniejących analogii pomiędzy równaniem opisującym dyfuzję ciepła, metodą różnic skończonych oraz metodą równoważnych sieci RC dla problemów liniowych, autorzy zaproponowali równoważny opis elektryczny uwzględniający nieliniowe warunki brzegowe i wpływ temperatury na parametry materiałowe krzemu. Do każdego elementu przedstawiono odpowiadający mu schemat elektryczny i odpowiedni opis w formacie wejściowym programu SPICE. Zaproponowaną metodę zweryfikowano przy wykorzystaniu wybranych struktur testowych.
EN
This paper presents an adaptation of the equivalent RC network method for the solution of nonlinear thermal problems in electronic circuits. Taking advantage of the analogies existing between the heat equation, the finite difference method and the method of RC equivalent networks, the authors proposed an equivalent electrical description for the thermal problem with nonlinear boundary conditions and temperature dependent silicon thermal properties. First, for each element an equivalent electrical scheme is presented together with its corresponding description in the SPICE input format. Next, the proposed method is verified based on the simulations of selected test structures.
13
Content available remote Modelowanie rozpływu ciepła, naprężeń termicznych i mechanicznych w wiertle krętym metodą elementów skończonych
Toszek L.
Eksploatacja i Niezawodność
|
2003
|
nr 2
66-69
PL
W referacie przedstawiono wyniki badań symulacyjnych nad modelem wiertła krętego z uwzględnieniem wióra i przedmiotu obrabianego. Wykorzystując metodę elementów skończonych dokonano analizy rozpływu ciepła i rozkładu naprężeń. Analizowano również wpływ ilości ciepła przekazywanego do narzędzia, wióra i przedmiotu obrabianego, na temperaturę w strefie skrawania oraz wpływ różnych sposobów chłodzenia narzędzia, na jego temperaturę.
EN
The Paper is continuation of investigations m Department of Machine Technology of Silesian University of Technology working on thermal model of twist drill. Main goal of investigations were to work out the mathematical model of twist drill using of finite elements analysis, that it would be basis to optimization of it geometrical shape. In addition range of research was extended about chip and workpiece.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.