Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Mikrostruktury produktów polikondensacji związków krzemoorganicznych w wybranych piaskowcach karpackich

Rembiś M.

Geologia / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie

|

2009

|

T. 35, z. 2/1

205-212

EN

Polycondensation of silica-organic compounds introduced into the pore spaces of sandstones results in the formation of silica gel. The distribution of this gel depend on the rock structure, texture as well as the type and the amount of cement. Of significance are also the properties of the polymer itself, the kind of a solvent used and the method of saturating.

2

Deposition of thin films based on silica on polycarbonates by pulsed dielectric barier discharge

Opalińska T., Ulejczyk B., Karpiński L., Schmidt-Szałowski K.

Polimery

|

2004

|

T. 49, nr 4

257-263

PL

Wymienioną w tytule cienką warstwę osadzano z mieszaniny gazowej helu, tlenu i tetraetoksysilanu (TEOS) (tabela 1) w aparaturze przedstawionej schematycznie na rys. 1-3. Proces prowadzono pod ciśnieniem atmosferycznym bez podgrzewania podłoża poliwęglanowego (PC) w postaci płytek. Zbadano wpływ parametrów procesu, mianowicie sposobu ułożenia płytek PC w reaktorze (rys. 7, 9 i 10), składu gazu plazmotwórczego (rys. 8) oraz natężenia prądu w pojedynczym impulsie wyładowania na szybkość osadzania. Szybkość ta rosła od 3,4 do 40,8 nm/min wraz ze wzrostem natężenia prądu w pojedynczym impulsie od 50 do 100 A. Stwierdzono, że w procesie tworzenia cienkiej warstwy konieczna jest obecność tlenu w gazach plazmotwórczych, przy czym nadmiar tlenu powoduje zmniejszenie szybkości osadzania z 14,9 do 6,0 nm/min gdy stężenie tlenu wzrasta od 5 do 20 % obj. (tabela 2). Budowę chemiczną oraz morfologię osadzonych warstw scharakteryzowano metodami FT-IR (rys. 4), AFM (mikroskopia siła atomowych, rys. 5) oraz SEM (rys. 6). Cienka warstwa składała się z następujących pierwiastków: Si, C, O oraz H i charakteryzowała się gładkością, a także przezroczystością.

EN

The process of thin organo-silica film deposition on polycarbonate in pulsed dielectric barrier discharge was studied. Thin film was deposited from the gas mixture comprising helium, oxygen and tetraethoxysilane under atmospheric pressure without pre-heating of polycarbonate plate. Influences of process parameters, namely the current of single pulse of discharge, PC plate arrangement and position, and plasma-generating gas composition on the deposition rate were investigated. Deposition rate increased from 3.4 to 40.8 nm/min when the current of single pulse increased from 50 to 100 A. The presence of oxygen in plasma-generating gas was necessary to thin organosilicon film forming, but the excess of O2 concentration caused decreasing of film deposition rate, for example: deposition rate was 14.9 or 6.0 nm/min when concentration of O2 was changed from 5 to 20 % by vol. In the films, the following elementaly composition (Si, C, O, H) and morphology of deposited films were characterized.

3

Protective coatings deposited on polycarbonates by pulsed dielectric barrier discharge

Opalińska T., Ulejczyk B., Karpiński L., Schmidt-Szałowski K.

Polish Journal of Chemical Technology

|

2002

|

Vol. 4, nr 4

30-34

EN

Organo-silicon layers were deposited on polycarbonates (PC) substrates from the gas phase by using pulsed dielectric barrier discharge. Very short (~ 20 ns) pulses of high power discharge (-0.4 MW) were applied. The process was carried out under atmospheric pressure in a helium-oxygen plasma. Tetraethoxysilane (TEOS) vapours were used as a source of silicon. The surface morphology, composition and thickness of the layers were studied by means of AFM/TM, FTIR and SEM. The organo-silicon layers were found to be transparent, smooth and uniform over the whole substrate surface. The amplitude of the deviations from surface uniformity did not exceed 30 nm. The thickness of the deposited layers was of the order of ~2 |j.m.

4

Właściwości karboksylowanego kauczuku butadienowo-akrylonitrylowego zawierającego "in situ" zsyntetyzowane napełniacze krzemionkowe

Zaborski M., Pietrasik J.

Polimery

|

2002

|

T. 47, nr 9

643-648

PL

Z prekursorów krzemoorganicznych metodą "zol-żel" zsyntetyzowano napełniacze krzemionkowe w środowisku karboksylowanego kauczuku butadienowo-akrylonitrylowe-go (XNBR). Tworzą one agregaty o wymiarach kilku |xm. Prekursorami były N-2-aminoetylo-3-aminopropylotrimetoksysi-lan (DAMS) oraz tetraetoksysilan (TEOS). Stwierdzono, że DAMS jest substancją sieciującą XNBR. Węzłami sieci są domeny silseskwioksanowe zawierające wiązania zarówno amidowe, jak i jonowe. Część węzłów sieci (ok. 30%) ulega rozpadowi pod wpływem etylenodiaminy. W miarę wzrostu zawartości DAMS zwiększa się gęstość usieciowania elastomeru, jak również naprężenie w warunkach odpowiednich wydłużeń oraz wytrzymałość na rozciąganie. Z pomiarów dynamicznych właściwości wulkanizatów wynika, że związki krzemoorganiczne nie wpływają na temperaturę zeszklenia, lecz w przedziale temperatury 30-40°C występuje przejście związane z ruchliwością agregatów jonowych. Wprowadzenie do elastomeru mieszaniny DAMS + TEOS powoduje, że domeny silseskwioksanowe stają się bardziej usieciowane, a napełniacz wykazuje tendencję do tworzenia własnej struktury. Z pomiarów 2 Si NMR wynika, że gdy wzajemny stosunek silanów wynosi 1:1 uzyskuje się w przeważającej części struktury trójfunkcyjne Q3, ale obecne są również struktury czterofunkcyjne Q . Zwiększanie zawartości struktury czterofunkcyjnej Q (czyli synteza napełniacza z mieszanin DAMS + TEOS) prowadzi do wzrostu naprężeń w warunkach oddziaływania określonych wydłużeń oraz zwiększenia wytrzymałości na rozciąganie.

EN

From silica precursors we synthesized silica fillers in sol-gel reaction in the carboxylated acrylonitrile/butadiene rubber (XNBR). N-2-aminoethyl-3-aminopropyl-trimethoxysilane (DAMS) and tetraethoxysilane (TEOS) were used as fillers' precursors. It has been found that DAMS is a substance crosslinking XNBR. The network points are silsesquioxanes' domains containing amide as well as ionic bonds. Some part of points (similar to30%) decompose under ethylenediamine treatment. The bigger DAMS content the bigger crosslinking density of elastomer as ell as the stress at suitable elongation and tensile strength Tables 2 and 4). The dynamic properties measurements show that rganosilica compounds do not influence glass transitiontemperature of elastomer (Table 6) but in the range of 30-40degreesC the second maximum appears which is a transition connected to ionic aggregates activity. Addition of a mixture of DAMS + TEOS to the elastomer causes the increase of crosslinking of silsesquioxanes' domains and the filler shows tendency to creation of its own structure (Fig. 2). Si-29 NMR results show that mostly trifunctional structures Q(3) are obtained for equal ratio of silanes (1:1) but tetrafunctional structures Q(4) are also present (Table 1). The increasing of tetrafunctional structure Q(4) content, that is a synthesis of a filler with DAMS + TEOS mixture, leads to the increase of stress at suitable elongation, and tensile strength (Table 5).