Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Evaluating the effectiveness of mechanical transmission based on the assessment of energy dissipation

Korbiel T., Blaut J.

Diagnostyka

|

2014

|

Vol. 15, No. 4

15--20

EN

The article discusses the relationship between the heat flow and the power supplied to a test object. Often, it is reasonable to say that the heat flow and power are correlated. Intuitively, one can assume that knowing the distribution of the heat flow in time permits to determine the power of a system. Such a statement is valid in some cases. In order to determine fault assumptions an experiment was carried out. The object of research was chosen so as to simplify the physical model of the experiment. The goal of the experiment was to study the heating power of systems consisting of tubes filled with water. The signal was recorded using thermistors and a thermal imaging camera. The analysis of the results shows that there is a strong relationship between the power supplied and temperature increase. Information on energy dissipation of a system is characterized by medium and small average error, thus, allows the evaluation of a machine’s performance.

PL

W artykule omówiono związek pomiędzy przepływem ciepła, a mocą dostarczoną do badanego obiektu. Często zasadne jest twierdzenie, że przepływ ciepła i moc są ze sobą skorelowane. Intuicyjnie można przyjąć, że znając rozkład przepływu ciepła w czasie można wyznaczyć moc układu. Jest to stwierdzenie słuszne w niektórych przypadkach. Wykonany został eksperyment pozwalający określić błąd przyjętych założeń. Obiekt badań został dobrany tak by uprościć model fizyczny eksperymentu. Badana została moc grzewcza układów złożonych z rur wypełnionych wodą. Sygnał został zarejestrowany z wykorzystaniem termistorów i kamery termowizyjnej. Analiza otrzymanych wyników pokazała, że występuje silna relacja pomiędzy mocą doprowadzoną do układu a wzrostem temperatury. Informacja o dyssypacji energii układu cechuje się niewielkim błędem średnim i pozwala ocenić sprawność maszyny.

2

Badanie charakterystyk półprzewodnikowych termorezystancyjnych przetworników pomiarowych z kryształami nitkowymi

Bajcar R., Gingin M., Stolarczuk P. G., Dąbek Z.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2004

|

R. 50, nr 12

18-21

PL

Przedstawiono wyniki badań charakterystyk półprzewodnikowych termorezystancyjnych przetworników pomiarowych przemieszczenia lub innej wielkości mierzalnej, która może być sprowadzona do przemieszczenia. Wykorzystanie półprzewodnikowych mikrokryształów umożliwia zmiejszenie rozmiarów czujnika i zwiekszenie jego szybkości działania w porównaniu z klasycznymi czujnikami mechatronowymi.

EN

The classic of thermoresistor converters which can be transform moving or other mechanical parameter which can be transformed in moving is considered in article. Using of semiconductor microcrystal enables to reduce the size of the gauge and to increase its speed in comparison with classical mechanotronic converters.

3

Wybrane badania niezawodnościowe termistorów krajowych

Kuźma E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 9

24-26

4

Diamentowe przyrządy półprzewodnikowe

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1999

|

Vol. 40, nr 10

3-8

PL

Przedstawiono możliwości oraz próby wykorzystania diamentu półprzewodnikowego do budowy elementów elektronicznych: rezystorów, termistorów, fotorezystorów, piezorezystorów, hallotronów, diod pn, diod Schottky'ego, diody IMPATT, tranzystorów npn i tranzystorów polowych MESFET oraz MISFET. Rozważania uwzględniające właściwości elektryczne i cieplne diamentu wskazują m.in. na to, że przyrządy diamentowe mogą być wykorzystywane przy ponad 30-krotnie większej częstotliwości i przy ponad 8200 razy większej mocy od przyrządów krzemowych. Ponadto, ze względu na dużą odporność termiczną diamentu, w wielu opracowaniach naukowych przewiduje się możliwość zastosowania przyrządów diamentowych w wysokich temperaturach, rzędu 600°C.

EN

Many efforts to apply the semiconducting diamond for construction of electronic elements: resistors, termistors, photoresistors, piezoresistors, hallotrons, pn diodes, Schottky diodes, IMPATT diodes, npn transistor, MESFETs and MISFETs are reviewed. Considering the possibilities of acceptor and donor doping, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown points, that diamond devices could be used at about 30-times higher frequency and morę then 8200-times power then silicon devices. Exept that, due to high heat resistant of diamond, it is concluded that diamond devices can be used in environment at high temperature, rangę of 600°C.