Przedstawiono kierunki rozwoju technologii tranzystorów IGBT, Określono narażenia tranzystorów IGBT w czasie eksploatacji. Omówiono badania niezawodności modułów IGBT.
EN
Directions of development of the production technology of the IGBT transistors. Hazards to the IGBT transisiors during operation. Testing the IGBT modules for reliability.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.