PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  technologia cienkowarstwowa
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Postęp technologii cienkowarstwowych PV
Olchowik J. M.
Czysta Energia
|
2015
|
Nr 1
30--31
2
Content available remote Badanie kinetyki wzrostu epitaksjalnych warstw lateralnych dla zastosowań fotowoltaicznych
Gułkowski S., Cieślak K., Olchowik J. M., Paprota M., Syroka M., Głowienka R.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
|
2012
|
z. 59, nr 2/II/I
297-302
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań dotyczących kinetyki wzrostu warstw epitaksjalnych otrzymywanych techniką ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth – lateralny wzrost warstw epitaksjalnej). Omówiona została metoda przeprowadzenia eksperymentu. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu tj. szybkości chłodzenia, rozmiarów okien Si, na kinetykę wzrostu lateralnego na podłożu krzemowym.
EN
Epitaxial Lateral Overgrowth (ELO) may be promising technique in photovoltaics application due to possibility of producing high quality Si epitaxial layers on silicon substrates. The advantage of this method is that density of the dislocations in new layer is less than in the substrate. The main goal of this method is to obtain as wide and as thin structures as possible. For this reason our research was concentrated on technological parameters of the growth process and its influences on width of the layer.
3
Pewniejsze zabezpieczenia elementów strukturalnych fasad
Kool B.
Świat Szkła
|
2012
|
R. 17, nr 2
28, 36
4
Content available remote Modelowanie procesu otrzymywania cienkich warstw epitaksjalnych w zastosowaniu do ogniw słonecznych
Gułkowski S., Cieślak K., Olchowik J. M.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
|
2010
|
z.57[271], nr 4
205-210
PL
Przedstawione zostały rezultaty komputerowego modelowania wzrostu cienkich warstw epitaksjalnych otrzymywanych z roztworu. Obliczenia szybkości wzrostu interfejsu warstwy prowadzone były w oparciu o strumienie dyfuzyjne składnika Si rozpuszczonego w roztworze binarnym Si-Sn. Cienkie warstwy epitaksjalne otrzymywane metodą LPE mogą prowadzić do obniżenia kosztów produkcji ogniw fotowoltaicznych, co ma fundamentalne znaczenie w badaniach nad technologią otrzymywania energii ze źródeł odnawialnych.
EN
This work presents results of calculation of the concentration profiles of Si in the Si-Sn rich solution. Influence of the stream of silicon on concentration gradients near the interface and growth rate in normal and lateral direction has been presented. Aspect ration of the grown layer has been calculated. Technology of the obtaining thin epitaxial layer can lead to decrease the total cost of silicon solar cells production. It is a great of importance for obtaining energy form renewable sources.
5
Content available remote Microelectrode arrays based (bio)analytical systems
Michel Ph., Fiaccabrino P., van der Wal P., de Rooij N.F., Kaudelka-Hep M., Tercier-Waeber M.L., Buffle J.
Biocybernetics and Biomedical Engineering
|
2001
|
Vol. 21, no. 4
5-9
EN
Two types of systems: microelectrode array based analytical system for voltammetric monitoring of trace metals in natural waters and interdigitated electrodes system for electrochemiluminescence based analysis of codeine in pharmaceutical samples and for detection of ruthenium (II) complex label is described in the paper. The thin-film technology was used for microfabrication of an array of 100 interconnected Ir microdisc electrodes on Si/ShN4 substrate. The electrochemiluminescence system combines electrodes, a flowthrough cell and a photodetector on the same silicon chip.
PL
W artykule opisano dwa rodzaje systemów: system analityczny zawierający matrycę mikroelektrod do woltamperometrycznego monitorowania śladowych metali w wodach naturalnych oraz układ zawierający międzypalczaste elektrody do elektrochemiluminescencyjnej analizy zawartości kodeiny w próbkach farmaceutycznych i detekcji znaczników zawierających kompleksy rutenu (II). Zastosowano technologię cienkowarstwową do nanoszenia na podłoże Si/Si3N4, matrycy, zawierającej 100 mikrodyskowych elektrod. Układ elektrochemiluminescencyjny składał się z elektrod, celki przepływowej i fotodetektorów, wykonanych na jednej płytce półprzewodnikowej.
6
Content available remote Innovative thin film techniques for microfabricating electrochemical sensors
Schöning M.J., Schubert J., Kloock J.P., Zander W., Mourzina Y.G., Legin A., Vlasov Y.G., Lüth H.
Biocybernetics and Biomedical Engineering
|
2001
|
Vol. 21, no. 4
107-119
EN
The pulsed laser deposition (PLD) technique is proposed as an innovative semiconductor-compatible fabrication technique in order to realise different thin film materials for chemical sensor applications. As two examples, Ta(2)0(5) and Al(2)0(3) layers on top of capacitive Si/Si0(2) structures and chalcogenide glass layers on metallised Si substrates show a nearly-Nernstian pH sensitivity of about 55-58 mV per decade and a high sensitivity towards bi- and univalent heavy metal ions of about 25-29 mV and 56-60 mV per decade, respectively. The layer thickness of the sensor materials is in the nm range. Even multi-component systems consisting of up to five different elements can be stoichiometrically deposited. Besides the electrochemical sensor characterisation, Rutherford backscattering spectrometry, ion channeling experiments, X-ray diffractometry and transmission electron microscopy have been performed in order to study the physical layer structure of the pulsed laser-deposited thin film materials.
PL
Zaproponowano technikę impulsowego laserowego osadzania (PLD), jako nową, kompatybilną z technologią półprzewodnikową metodę wykonania cienkich warstw w czujnikach chemicznych. Przykładowo, warstwy Ta(2)O(5) i AbO(3) nałożone na wierzchu struktur pojemnościowych Si/SiO(2) i warstwy szklistych halogenków na metalizowanych podłożach Si wykazały czułość na pH bliską Nernstowskiej, około 55-58 mV na dekadę i dużą czułość na jony metali ciężkich, około 25-29 mV i 56-60 mV na dekadę, odpowiednio dla jonów dwu- i jednowartościowych. Grubość warstwy czułej chemicznie była rzędu nanometrów. Można również nakładać stechiometrycznie układy wieloskładnikowe, zawierające do pięciu pierwiastków. Oprócz charakteryzacji czujników elektrochemicznych, wykonano: pomiary spektrometryczne rozpraszania wstecznego Rutherforda, eksperymenty tunelowania jonów, dyfraktometrię rentgenowską i pomiary z użyciem elektronowego mikroskopu prześwietleniowego, w celu zbadania fizycznej struktury warstw wykonanych techniką impulsowego laserowego osadzania.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.