Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Trends in hybrid pixel detectors for X-ray imaging using deep submicron VLSI technology

Drozd A., Satława T.

Challenges of Modern Technology

|

2014

|

Vol. 5, no. 4

3--7

EN

The article covers the latest developments in pixel detectors used for X-ray imaging as well as the description of the practical solution – a multichannel integrated circuit dedicated to X-ray imaging. In general introduction a wide range of pixel detector applications is presented. The main part focuses on the challenges and new solutions for the field of X-ray imaging, including 3D integration, silicon-on-insulator and submicron technologies. Since minimization of a pixel size together with implementing more functionality are important issues in the detectors’ and integrated circuits’ design, the aspects of channel-to-channel uniformity and additional effects like charge sharing between pixels are taken into consideration. In the last section, the Authors present the application specific integrated circuit designed in 40 nm technology dedicated to X-ray detection and future prospects are discussed.

2

Design and characterization of passive integrated photonic structures

Kaźmierczak A.

Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka

|

2008

|

z. 115

39-49

EN

In the paper the design and characterization of passive optical components for on-chip interconnections are shown. The presented devices are designed for fabrication in Silicon on Insulator (SOI) material platform. The analyzed devices include three types of optical add-drop filters based on microdisk resonators. Three topologies of filters are proposed, designed and characterized experimentally. Finally, the usefulness of proposed add-drop filters in integrated optical on chip interconnections networks is also discussed.

PL

W pracy przedstawiono teoretyczną i eksperymentalną analizę pasywnych zintegrowanych układów fotonicznych wykonanych w technologii krzemowej. Szczególna uwagę poświęcono elementom WDM bazującym na koncepcji rezonatora mikrodyskowego, stosowanej w urządzeniach WDM w telekomunikacji optycznej.

3

SOI monolithic active pixel detector technology for improvement of I-V characteristics and reliability

Niemiec H., Kucewicz W., Sapor M., Grabiec P., Kucharski K., Marczewski J., Tomaszewski D., Armstrong B. M., Bain M., Gamble F. R.

Electronics and Telecommunications Quarterly

|

2008

|

Vol. 54, No 4

507-512

EN

Monolithic active pixel detectors in SOI (Silicon On Insulator) technology are novel sensors of ionizing radiation, which exploit SOI substrates for the integration of readout electronics and a pixel detector. Breakdown voltage and leakage current of pixel diodes are very important parameters of the devices. This paper addresses recent development in the field of the technology of the SOI detectors, which lead to improvement of reliability and current-voltage characteristics of the sensors.

4

System akwizycji danych do ultraszybkich detektorów krzemowych do źródeł elektronów i promieniowania gamma

Jastrząb M., Czermak A., Dulny B., Kucewicz W., Niemiec H., Sapor M., Sowicki B., Zalewska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 10

8-10

PL

Wymagania stawiane przez kolaborację SUCIMA, dotyczące monitorowania natężenia i profilu wiązki dla hadronoterapii, oraz potrzeby szybkiego pomiaru dawki promieniowania przy wykorzystaniu detektorów monolitycznych z aktywnymi komórkami (MAPS) przyczyniły się do zaprojektowania specjalizowanego systemu akwizycji danych (DAQ SUCIMA—IMAGER). Hadronoterapia jest zaawansowaną techniką leczenia nowotworów przy wykorzystaniu takich cząstek, jak protony i lekkie jony. System DAQ został zaprojektowany na bazie zaawansowanego układu programowalnego FPGA (Field Programmable Gate Array) - VIRTEX II firmy XILINX. Dedykowany moduł elektroniczny do odczytu sygnałów analogowych, ich cyfrowej obróbki oraz przesyłania do komputera PC został zbudowany i przetestowany. Zaprojektowany system SUCIMA_IMAGER jest odpowiedni dla detektorów krzemowych zrealizowanych w technologiach CMOS oraz SOI (Silicon On Insulator). Projekt systemu oraz przykłady rezultatów uzyskanych z detektorami MAPS zaprezentowano w niniejszej pracy.

EN

In SUCIMA collaboration, the needs for real time beam intensity and profile monitoring for the hadrontherapy as well as requirements for the fast dosimetry using Monolithic Active Pixel Sensors (MAPS) forced to design unique Data Acquisition System (DAQ SUCIMA_IMAGER). Hadrontherapy is an advanced radiotherapic technique to treat radioresistant and inoperable tumors using particles like protons and light ions. The DAQ system has been developed on one of the most advanced XILINX Field Programmable Gate Array chip - VIRTEX II. The dedicated, multifunctional electronic board for the detector's analogue signals capture, the parallel digital processing as well as transmission through the high speed USB 2.0 port has been prototyped and tested. The designed DAQ system is suitable for silicon detectors realized in CMOS Technology and Silicon On Insulator (SOI) Technology as well. Design of DAQ SUCIMA_IMAGER system and example of results obtained with MAPS sensors will be presented in the paper.

5

Rozwój technologii SOI do realizacji monolitycznego detektora mozaikowego

Niemiec H., Klatka T., Kozieł M., Kucewicz W., Kuta S., Machowski W., Sapor M., Szelezniak M., Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Kociubiński A., Kucharski K., Marczewski J., Tomaszewski D.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

|

2003

|

Vol. 23, nr 10

19-24

PL

Opisano wykonany w technologii SOI (ang. Silicon on Insulator) nowy, krzemowy detektor mozaikowy scalony z elektroniką odczytową. Przybliżono podstawowe założenia nowej technologii sensora SOI oraz przedstawiono wyniki pomiaru dedykowanej struktury testowej.

EN

New generation of monolithic silicon pixel detectors, fabricated on the SOI (Silicon on Insulator) substrate, is described in this paper. A new technology, which combines the standard CMOS process with the pixel detector manufacturing technique and the results of dedicated SOI test structures measurement are presented.

6

Analiza przełączania termicznego w układach optyki zintegrowanej wykonanych na podłożu krzemu

Biwojno K., Sujecki S., Sewell P., Benson T. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 10

43-44

PL

Przeprowadzono analizę numeryczną przełącznika cyfrowego sterowanego termicznie, wykonanego w technologii SOI (silicon on insulator). Temperatura wewnątrz takiego urządzenia regulowana jest przez moc dostarczaną do grzejnika usytuowanego na szczycie żebra światłowodu. Do analizy zastosowano metodę różnic skończonych. Obliczono rozkład temperatury i pola elektromagnetycznego w światłowodzie oraz wyznaczono charakterystyki modowe dla modu podstawowego. Przeanalizowano wpływ temperatury na fazę sygnału świetlnego prowadzonego wzdłuż światłowodu.

EN

Optical switches are key components in flexible fibre systems. Thermo-optic switches can potentially provide low transmission loss, high stability, low power consumption and very large scale integration. In this paper finite difference based thermal and optical waveguide mode simulation are used to investigate the properties of thermo-optic (TO) switches based on silicon-on-insulator, rib waveguides.