Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: technologia ELO

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Technologia ELO w epitaksji związków (In,Ga,Al)N

Paszkiewicz R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2001

Vol. 42, nr 2

23-26

Półprzewodniki (Al,Ga,In) są ważnymi materiałami do wytwarzania diod elektroluminescencyjnych i laserów emitujących światło z obszaru od zielonego do ultrafioletu. Mogą być też stosowane do wytwarzania elementów elektronicznych, takich jak heterozłączowe tranzystory polowe (HFET). Typowo, struktury epitaksjalne tych przyrządów są osadzane na szafirze z powodu braku ogólnie dostępnego homoepitaksjalnego podłoża GaN. Duże niedopasowanie sieciowe, termiczne i chemiczne GaN i szafiru powoduje powstawanie na międzypowierzchni szafir-rosnąca warstwa epitaksjalna dużej ilości dyslokacji wspinających, o koncentracji rzędu 108 ÷ 1010 cm-2. W celu poprawy parametrów przyrządów wytwarzanych w GaN niezbędne jest zmniejszenie gęstości dyslokacji w heteroepitaksjalnych wielowarstwach przyrządowych. Ostatnio wykazano, że technika ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth - epitaksja z równoległym do podłoża modem narostu) pozwala na zmniejszenie gęstość defektów w osadzanych warstwach poprzez blokowanie propagacji defektów z warstw GaN przykrytych maską tlenkową. W pracy przedstawiono rezultaty badań prowadzonych w Instytucie Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej nad opracowaniem technologii wytwarzania pseudo-objętościowych podłoży GaN techniką ELO. Zbadano kinetykę procesu ELO w funkcji właściwości maski oraz parametrów procesu MOVPE (Metal Organie Vapour Phase Epitaxy- epitaksja z fazy gazowej ze związków metaloorganicznych). Określono obszar parametrów procesu pozwalających na uzyskanie pełnej koalescencji izolowanych pasków i osadzanie pseudo-objętościowych podłoży GaN.

The (Al,Ga,In)N material system has shown potential use in light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) in green to ultraviolet light regions. It has also shown usefulness in electronic devices such as AIGaN/GaN heterostructure field effect transistors (HFET). These GaN based devices are usually fabricated on sapphire substrates because, so far no largescale substrate has been developed for homoepitaxial growth. The large differences in lattice constant, thermal expansion coefficient and chemical nature between GaN and sapphire substrates cause the threading dislocation formation with density 108 ÷ 1010 cm-2 during heteroepitaxial layers deposition. The reduction of the dislocation density is necessary to improve the performance of GaN based devices. Recently, the epitaxial lateral overgrowth (ELO) technique has shown its potential to reduce the dislocation density by blocking propagation from the under GaN layer using a dielectric selective mask. The paper presents the results of work concerning the elaboration of GaN pseudo-bulk technology. The growth mechanism of epitaxial lateral overgrowth (ELO) GaN affected by mask patterns and the metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) growth process parameters are presented and discussed. The conditions to obtain full coalescence of isolated stripes leading to pseudo-bulk GaN substrate growth are specified.