Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Metoda i aparatura do wzorcowania helowych nieszczelności wzorcowych

Marks J., Magiełko H.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 1

84-87

PL

Helowe nieszczelności wzorcowe służące do kontroli wskazań helowych wykrywaczy nieszczelności wymagają również okresowej kontroli. W artykule opisano metodę i aparaturę pozwalającą wyznaczyć natężenie wypływu helu z nieszczelności wzorcowej, w zakresie 10 -9...10 -4 mbarl/s. Zastosowana metoda akumulacyjno-porównawcza opiera się na porównaniu dwóch próbek helu: wzorcowej o znanej ilości helu i zakumulowanej z mierzonej nieszczelności. Do porównania służą wskazania prądów jonowych helu obydwu próbek określone za pomocą kwadrupolowego spektrometru mas. Opisano również aparaturę próżniową służąca do tego celu.

EN

Helium calibrated leaks used for checking indications of mass spectrometers helium leak detectors, needs temporary calibration. This paper describe the method and the apparatus for determinate the helium flow rate from calibrated leak in the range 10 -9... 10 -4 mbarl/s. The accumulate-damp method are used for helium calibrated leaks. In this method a standard known quantity of helium is compared to helium collecting from unknown leak by quadrupole mass spectrometer.

2

Urządzenie do epitaksjalnego wzrostu metodą WIBE warstw azotków metali III grupy układu okresowwego pierwiastków

Marks J., Cyrański R., Pastuszka B., Kaczorek K., Kaufman E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 12

46-48

PL

Urządzenie MBE03 przeznaczone jest do wytwarzania warstw azotków takich metali jak: aluminium, gal i ind. Jako źródło azotu zastosowano amoniak. Istnieje także możliwość domieszkowania wytwarzanych warstw magnezem (domieszka typu p) i krzemem (domieszką typu n).

EN

The homemade MBE03 system for III group nitrides growth by molecular beam epitaxy is described. The MBE03 system is used for gallium, indium and aluminium nitrides growth with ammonia as the nitrogen gas source. The growing layer can be doped by magnesium (type p) and silicon (type n).

3

Małogabarytowe pompy jonowe

Cyrański R., Kliszek C. R., Marks J., Sobolewski A., Magiełko H.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 12

33-35

PL

Opisano małogabarytowe pompy jonowe przeznaczone do wytwarzania i pomiaru próżni w niewielkich obiektach próżniowych (np. lampach mikrofalowych). PJ2-N może pracować z polem magnetycznym o natężeniu 600-800 Gs. PJ-2 wyposażona jest w katody różnicowe Ti-Ta i pracuje z polem magnetycznym o natężeniu 1200 Gs. Napięcie anodowe obydwu pomp 3-5 kV.

EN

The small size pumps are used mainly to evacuate electron devices systems and as a vacuum detectors. The design and properties of two versions diode ion pumps are described. The first one, PJ-2N is designed to work at the low magnetic field in the range 600-800Gs and at the anode voltage of 3-5 kV. The second pump P--2 is equipped with differential Ti-Ta cathodes and magnet with magnetic field of about 1200 Gs.

4

Świat z perspektywy ELTE-80

Paszkowski B., Hałas A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 2

5-7

PL

Konferencja ELTE-2000 organizowana jest niemal dokładnie 20 lat po pierwszej konferencji z cyklu, poświęconego problematyce technologii elektronowej. W artykule przedstawiono główne założenia i cele, jakie przyświecały inicjatorom konferencji ELTE - 80. Szczególną uwagę poświęcono formułowanym ówcześnie prognozom rozwoju elektroniki, które w wielu przypadkach okazały się zdumiewająco trafne.

EN

The conference ELTE-2000 is held almost exactly 20 years after the first conference of the series devoted to the problems of electron technology. In the article, the main assumptions and aims being guiding principles of the first conference initiators are presented. The particular attention is given to the progresisses of progress in electronic, which were expressed at that time and which are appeared astounding relevant.