An RF PECVD technique, with the use of a parallel plate RF plasma deposition reactor, was applied to deposit thin films of mixed germanium/silicon/carbon composition. As a source material a combination of organometallic precursor compounds, and namely a mixture of tetramethylgermanium (TMG) and tetramethylsilane (TMS) vapours carried by argon carrier gas, was applied. Scanning electron microscopy and adhesion measurements, using a scratch method, revealed a good quality of the resulting materials. Elemental composition of the films was studied using energy dispersive X-ray (EDX) analysis. Thickness and optical properties of the films were determined with the help of VASE ellipsometry. Both density data and optical gap results point to an organometallic plasma polymer character of the materials within the entire range of operational parameters used.
PL
Technika RF PECVD, wykorzystująca reaktor plazmowy o równoległych płaskich elektrodach, została zastosowana do wytwarzania cienkich warstw o mieszanej germanowo-krzemowo-węglowej kompozycji. Kombinacyjną mieszaninę związków organometalicznych, a dokładnie tetrametylogermanu (TMG) i tetrametylokrzemu (TMS) przenoszona przez gaz nośny (argon), wykorzystano jako materiał wyjściowy. Elektronowa mikroskopia scaningowa i pomiary adhezji przy użyciu metody rysy, ujawniły dobrą jakość otrzymywanych materiałów. Skład elementarny warstw zbadano używając metodę nalizy rentgenowskiej energii dyspersyjnej (EDX). Pomiary grubości i własności optycznych warstw zostały wykonane przy pomocy elipsometrii VASE. Zarówno dane dotyczące gęstości, jak i wyniki pomiarów przerwy optycznej wskazują na organometaliczny charakter polimerów plazmowych w całym zakresie użytych parametrów operacyjnych.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.