Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Faryna M.

1 2009

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: technika EBSD

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych -kilka uwag praktycznych

Faryna M.

Inżynieria Materiałowa

2009

Vol. 30, nr 1

5-11

Dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych w skaningowym mikroskopie elektronowym jest techniką badawczą, która na przestrzeni ostatnich lat rozwija się szczególnie intensywnie. Zarówno zastosowanie techniki komputerowej, jak i coraz bardziej rozbudowane programy do obróbki danych dyfrakcyjnych powodują, iż technika ta staje się nieodzownym narzędziem badawczym do charakterystyki mikrostruktury i mikrotekstu-ry próbek litych, komplementarnym do klasycznych analiz w SEM, tj. obserwacji topografii powierzchni i mikroanalizy rentgenowskiej. W niniejszej pracy autor przedstawia podstawy technik EBSD wraz z konfiguracją komory próbek w skaningowym mikroskopie elektronowym zarówno konwencjonalnym (z wysoką próżnią), jak i niskopróżniowym. Szczególną uwagę autor zwraca na trudności związane z analizą materiałów nieprzewo-dzących, a w szczególności materiałów ceramicznych. Omówiono trzy zasadnicze problemy, które pojawiają się w trakcie akwizycji dyfrakcji z materiałów dielektrycznych. Są to: kumulacja ładunku elektrycznego w warstwie przypowierzchniowej, zróżnicowana topografia powierzchni w przypadku materiałów wielofazowych oraz katodoluminescencja. Przedstawiono praktyczne wskazówki pozwalające na uzyskanie dyfrakcji elektronów wstecznie rozproszonych o jakości, która umożliwia detekcję pasm Kikuchiego. a w konsekwencji jej rozwiązanie. Omówiono również wpływ szeregu ważnych parametrów pomiarowych, takich jak m.in. ciśnienie gazu, rodzaj gazu, odległość próbki od nabiegunnika soczewki obiektywowej w SEM (tzw. WD - ang. working distance) na jakość dyfrakcji elektronów wstecznie rozproszonych.

Electron Backscatter Diffraction (EBSD) is a technique which allows crystal-lographic information to be obtained from samples in the scanning electron microscope (SEM). This technique in the last decade has shown a spectacular advance in speed and quality of the data as well as post-processing procedures. In most experiments the investigated samples are metals and alloys, i.e. conduc-tive specimens. Thus. the operator has no problems connected with charging. This paper is focused on the electron backscatter formation and its appli-cation to analysis of dielectric materials in Low Vacuum Scanning Electron Microscope (LV-SEM). The first part describes the origin of electron diffraction. A layout of dedicated specimen chamber configuration for EBSD in the conventional and low-vacuum electron scanning microscope is described. A special attention is drawn to the limi-tations which one may encounter during analyzing poorly conducive samples in the SEM. Controlling the charge and quality of the surface are the challenges for the operator running experiments on insulators. Specimen charging obscures for-ward scatter electrons image and decreases the EBSD pattern quality making its analysis difficult or even impossible. Also finał steps of sample preparation largely determine whether or not the pattern quality will be sufficient for indexing. Solutions are given how to overcome the above problems and, additionally, to limit the influence of so called "skirt effect" caused by ionization of gas followed by electron beam spreading above the sample in the SEM with variable pressure. The influence of several important parameters e.g. gas pressure, a type of gas, working distance, on the EBSD pattern quality is discussed.