W artykule omówiono postępy w rozwoju fotowoltaiki na tle panującej obecnie technologii opartej na krzemie krystalicznym. Ogniwa cienkowarstwowe zaliczone zostały do fotowoltaiki drugiej generacji. Pokrótce opisano własności najpopularniejszych grup ogniw cienko-warstwowych, począwszy od ogniw opartych na krzemie amorficznym i jego stopach, poprzez ogniwa CdTe do ogniw CIS/CIGS. Przedyskutowano zagadnienie teoretycznej sprawności maksymalnej ogniw. Scharakteryzowane zostały nowe zjawiska stanowiące podstawę wytwarzania ogniw trzeciej generacji. Omówiono budowę wielozłączowego ogniwa typu tandem o wysokiej wydajności, zjawisko wielokrotnego tworzenia par elektron-dziura, naturę ogniw wielopasmowych oraz ogniwa opartego na konwersji termofotowoltaicznej.
EN
Recent progress in photovoltaics in comparison to crystalline silicon cells technology has been reviewed. Thin film solar cells were classfied as second generation photovoltaics. The properties of the most popular groups of thin film cells have been shortly described, starting from those of amorphous silicon and its alloys through CdTe until CIS/CIGS solar cells. The theoretical cells efficiency limit is analyzed. New phenomena and materials lying at the base of manufacturing third generation solar cells are characterized. The construction of multiple tandem cell of high efficiency, the phenomenon of multiple electron-hole pairs generation, the properties of multiband solar cells are discussed. Thermophotovoltaic effect, where a light from a heated body other than the sun is used as the illumination, and examples of cells which can work by this conversion are also described.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.