Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: szybka obróbka termiczna

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Re-crystallization of Silicon during Rapid Thermal Treatment

Gorushko V., Omelchenko A., Pilipenko V., Solodukha V., Opielak M., Żukowski P., Kołtunowicz T.

Przegląd Elektrotechniczny

2018

R. 94, nr 5

196--198

It is by means of the Auger-spectroscopy, spectral ellipsometry, X-ray diffraction that for the first time an opportunity was shown of applying the rapid thermal treatment for removal of the disrupted layer on the working surface of the silicon wafers after the chemical-mechanical polishing owing to its solid-phase re-crystallization.

Dzięki użyciu spektroskopii Augera, elipsometrii spektralnej oraz dyfrakcji rentgenowskiej po raz pierwszy przedstawiona została możliwość zastosowania szybkiego termicznego usuwania uszkodzonej warstwy na powierzchni roboczej wafli silikonowych, powstałych po chemiczno-mechanicznym polerowaniu, za pośrednictwem jego rekrystalizacji w fazie stałej.

Dwuetapowe formowanie dwukrzemianu tytanu

Żukowski P., Karwat C., Kozak C., Kolos V. V., Markevich M. I., Stelmakh V. F., Chaplanov A. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 11

74-75

Niniejszy artykuł poświęcony jest formowaniu dwukrzemianu tytanu w układzie TiN/Ti/Si przy szybkiej obróbce termicznej (SOT) w dwóch etapach. Wyniki badań pokazują, że szybka obróbka termiczna w dwóch etapach (pierwszy etap - przy temperaturze 650° C, drugi - przy 850°C) pozwala uformować warstwę niskoomowego dwukrzemianu tytanu o modyfikacji C54. Ochronna warstwa azotku tytanu podczas SOT prowadzi do bardziej jednorodnego formowania się rozmiarów ziaren w układzie TiN/Ti/Si.

The work is devoted to investiqation of formation phase TiSi₂ in the TiN/Ti/Si system during a two-stage rapid heat treatment (RHT). The investigation results indicate that RHT involving two stages the first of which is carried out at the temperature of 650°C and the second at 850°C enables formation of a low-resistance titanium disilicide layer of C54 modification. Protective nitride layer during the RHT leads toa more uniform formation of grain sizes in the TiN/Ti/Si structure.

Urządzenie do szybkiej obróbki termicznej (RTA)

Macherzyński W., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

Vol. 48, nr 7

37-38

Formowanie i wtapianie kontaktów metalicznych, szczególnie do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną, wymaga krótkich czasów procesu oraz wysokich temperatur. Klasyczne wygrzewanie w piecu oporowym nie spełnia wymagań zaawansowanej elektroniki. Dlatego opracowano i wykonano urządzenie RTA do szybkiej obróbki termicznej. Szeroki zakres temperatur pracy urządzenia (200...1000°C) oraz w pełni programowalny profil temperatury powodują, że jest to doskonałe urządzenie badawcze o szerokim spektrum aplikacji. W urządzeniu zastosowano od 1 do 14 halogenowych promienników podczerwieni o mocy 1,6 kW każdy, promienniki z powłoką tlenku aluminium zwiększającą sprawność przekazywania mocy, reaktor od strony wlotu gazu, zakończony jest specjalną głowicą umożliwiającą jednorodne wymieszanie gazów technologicznych. Szybkie chłodzenie próbki zapewnia podstawa grafitowa o małej masie i wymiarach 30 x 6 x 2 mm.

Post-deposition annealing of a multilayer metallization, for a wide band-gap semiconductors in particular, must be performed in short time and high temperature. Annealing in a classical resistance furnace can not fulfill requirements of the advanced microelectronic devices. This is the reason why we design and set up a rapid thermal annealing (RTA) system. Wide temperature range of the RTA system (200...1000°C) and full-programmable temperature profile caused that this system is dedicated for research and can find wide range of application. The system can be equipped with one to fourteen short wavelength halogen-IR-emitters 1.6 kW each, with integrated alumina ceramic reflector. The application of a reflector increases the efficiency of transfer of IR power. Low mass of graphite susceptor of a dimension 30 mm x 6 mm x 2 mm allows the fast cooling of a sample. The reactor have a specialized input head which allows the uniform mixing of technological gases.