Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Niskotemperaturowe właściwości rezystorów RuO2-szkło

Mleczko K., Ptak P.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika

|

2015

|

z. 34 [292], nr 2

275--294

PL

Przedmiotem badań były rezystory grubowarstwowe RuO2-szkło o znanym składzie, wykonane w warunkach laboratoryjnych. Przeprowadzono pomiary rezystancji i szumów nadmiarowych typu 1/f w funkcji temperatury, w zakresie 30 mK -300 K oraz w funkcji pola magnetycznego do 5 T. Rezystory RuO2-szkło dobrze nadają się do wykorzystania w roli kriogenicznych czujników temperatury ze względu na dużą czułość i małą magnetorezystancję. Porównanie tych parametrów z parametrami czujników komercyjnych pozwala stwierdzić, że są to przyrządu tej samej klasy. Badane rezystory charakteryzuje duży wzrost poziomu szumów nadmiarowych w zakresie temperatur kriogenicznych, przez co ograniczeniu ulega rozdzielczość pomiaru temperatury. Na podstawie pomiarów tych szumów określono rzeczywistą rozdzielczość pomiaru rezystancyjnych czujników temperatury. Dokonano także krytycznej analizy mechanizmów przewodnictwa najczęściej stosowanych do opisu rezystorów wykonanych na bazie RuO2. Pomiary temperaturowej zależności rezystancji pozwalają odrzucić model przewodnictwa skokowego zmiennozakresowego dla tego typu rezystorów. Z kolei pomiary szumów dają dobrą zgodność z jedną z teorii w ramach tego modelu przewodnictwa. Dla próbek badanych w pracy określono krytyczną koncentrację składnika metalicznego w warstwie rezystywnej, przy której następuje przejście metal-izolator.

EN

Thick film RuO2-glass resistors were studied. They were laboratory made, so their composition is well known. The measurements of resistance and 1/f excess noise as a function of temperature in the range of 30 mK - 300 K were performed. Also as a function of magnetic field in the range 0 – 5 T. The RuO2-glass resistors can be used as a cryogenic temperature sensors due to their high sensitivity and low magnetoresistance. A comparison of these parameters with the parameters of commercial sensors shows that they are the same class instruments. The resistors studied exhibit a large increase of excess noise level in the range of cryogenic temperatures, thus the temperature measurement resolution is limited. The noise measurements allowed to determine the actual measurement resolution of resistive temperature sensors. A critical analysis of conduction mechanisms frequently used to describe RuO2 resistors has also been performed. Measurements of temperature dependence of resistance allow to reject variable range hopping conductivity model for this type of resistors. On the other hand, the noise measurements give a good agreement with a theory within this model of conductivity. For the samples studied in the work a critical concentration of the metallic component in the resistive layer has been defined at which the metal-insulator transition occurs.

2

Szumy małej częstotliwości detektorów nBn na zakres średniej podczerwieni wykonanych z supersieci II rodzaju InAs/GaSb z barierą Al0.2Ga0.8Sb

Ciura Ł., Kolek A., Kowalewski A., Gawron W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 11

88-91

PL

W pracy przedstawiono pomiary szumów małej częstotliwości detektora średniej podczerwieni typu nBn wykonanego na bazie supersieci II-rodzaju InAs/GaSb z barierą Al0.2Ga0.8Sb. Badania przeprowadzono w temperaturze 77K. Pokazano, że widma szumów są superpozycją lorencjanów o różnych stałych czasowych. Dla małych prądów szum 1/f powiązano z fluktuacjami rezystancji upływu S1(f) ~ U/2/IRsh2. W zakresie napięć, gdzie dominują prądy tunelowe, zaobserwowano zależność S1(f) ~ /I. Wyniki pomiarów porównano z szumami m. cz. fotodiody z HgCdTe.

EN

In this paper low frequency noise of mid-wavelength infrared detector nBn made of II-type superlattices InAs/GaSb with barrier Al0.2Ga0.8Sb was shown. Measurements at temperature 77K was done. It was concluded that power spectral density is a sum of several lorentzians with different time constants. For small currents 1/f noise was connected with fluctuations of leakage resistance S1(f) ~ U2IRsh2. When tunneling currents dominate in total dark current relationship S1(f) ~ I was observed. Results of the noise measurements was compared with low frequency noise of the photodiode p-n based on HgCdTe.

3

Badanie stacjonarności przebiegów szumowych w transoptorach CNY 17

Stawarz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 2

15-17

PL

Przedstawiono wyniki badań stacjonarności przebiegów szumów własnych diod transoptorów i transoptorów. Ocena stacjonarności szumów własnych z zakresu małych częstotliwości badanych przyrządów dotyczyła stacjonarności parametrów statystycznych szumów własnych: wartości średniej, wariancji, skośności i kurtozy. Stwierdzono, że parametry statystyczne spełniają test stacjonarności, zarówno dla diod transoptorów, jaki i dla transoptorów, które nie generują szumów wybuchowych.

EN

The results of a stationarity evaluation of an inherent low frequency noise of optocouplers and diodes of optocouplers were presented. The test for stationarity was applied for statistical parameters of inherent noise: mean value, variance, skewness, kurtosis. It was found that all statistical parameters of measured noise fulfilled the test for stationarity, specially for diodes of optocouplers and optocouplers which do not generate burst noise.

4

Analiza wyników pomiarów szumów m. cz. diod LED transoptorów CNY 17

Stawarz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 11

20-22

PL

Zaprezentowano wyniki pomiarów szumów m. cz. diod transoptorów oraz wyniki badań stacjonarności tych przebiegów. Test stacjonarności zastosowano do parametrów statystycznych przebiegów szumowych, takich jak wartość średnia, wariancja, skośność oraz kurtoza. Stwierdzono, że niemal wszystkie przebiegi szumowe diod transoptorów były stacjonarne.

EN

The results of low frequency noise measurements of diodes of optocouplers were presented as well as a stationarity evaluation of their inherent low frequency noise. The test for stationarity was applied for statistical parameters of inherent noise: mean value, variance, skewness, kurtosis. It was found that almost statistical parameters of measured noise fulfilled the test for stationarity.