Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Synthesis of samarium oxide layers by MOCVD method

Sawka A., Kwatera A., Bućko M., Cholewa-Kowalska K., Halski D.

Inżynieria Materiałowa

|

2007

|

Vol. 28, nr 3-4

733-735

EN

This work presents results of investigations on synthesis of samarium oxide layers on quartz glass by MOCVD method using samarium tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate) as precursor. Air and argon were used as carrier gases. Air was also necessary for elimination of carbon - solid by product of Sm(tmhd)3 pyrolisis. Sm203 layers were deposited in the range of temperatures 500-700°C. The temperature of Sm(tmhd)3 vapours was changed from 200 to 300°C. The synthesis time was 15-30 min. The other parameters of synthesis process were established in a such way to assure the value of extended criterion Grx/Rex2<0,01. This research is related to works on obtainment of a new composite electrolyte (Ce02+Sm203/Zr02+Y203) for solid oxide fuel cells (SOFC).

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad syntezą warstw tlenku samaru na szkle kwarcowym metodą MOCVD z użyciem tetrametylohepanodionianu samaru jako prekursora. Powietrze i argon stosowano jako gazy nośne. Powietrze było również konieczne do eliminacji węgla - ubocznego produktu pirolizy Sm(tmhd)3. Warstwy Sm203 osadzano w temperaturach 500-700°C. Temperaturę par Sm(tmhd)3 zmieniano od 200 do300°C. Czas syntezy warstw wynosił 15-30 min. Pozostałe parametry procesu syntezy tak dobierano, by wartość rozwiniętego kryterium Grx/Rex2<0,01. Badania te związane są z pracami nad otrzymaniem nowego kompozytowego elektrolitu (Ce02+Sm203/Zr02+Y203) dla tlenkowych ogniw paliwowych (SOFC).

2

Badania nad syntezą warstw tlenku ceru metodą MOCVD

Kwatera A., Sawka A., Andresik P., Juda W., Duszak S., Cholewa-Kowalska K., Turski P.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

Vol. 27, nr 5

1107-1109

PL

W pracy prowadzono badania nad syntezą warstw tlenku ceru na szkle kwarcowym metodą MOCVD przy użyciu acetyloacetonianu ceru a także tetrametyloheptanodionianu ceru. Jako gazu nośnego i rozcieńczalnika w jednym i drugim przypadku użyto powietrza oraz argonu. Tlen zawarty w powietrzu spełniał jednocześnie rolę nośnika par reagentów oraz utleniacza węgla i wodoru wydzielających się w trakcie pyrolizy tego związku. Temperatura powietrza była zbliżona do temperatury parowalnika, co zapobiegało kondensacji par Ce(acac)3 lub Ce(tmhd)4 w instalacji CVD. Temperaturę syntezy warstw zmieniano w zakresie 300-900°C. Ciśnienie gazów w reaktorze zmieniano zaś w zakresie 10-13x104 Pa. Natężenie przepływu argonu przez parowalnik wynosiło 0,08 mol/h, natomiast powietrza doprowadzanego do reaktora 0,4-8 mol/h. Temperaturę parowalnika zmieniano w zakresie temperatur 60 - 250°C. Parametry syntezy warstw dobierano tak, by wielkość wyrażenia Grx/Rex2 <0,001. Przeświecalność próbek bez i z warstwą tlenku ceru badano w ultrafiolecie i w świetle widzialnym. Badano mikrostrukturę warstw przy użyciu mikroskopu skaningowego oraz transmisyjnego. Przeprowadzono także analizę rentgenowską

EN

Investigations on synthesis of cerium oxide layers on quartz glass substrates by MOCVD method using cerium acetyloacetonate or cerium tetramethylheptanedionate. Argon and air were used as a carrier gases and (air was also source of oxygen.- necessary for elimination of carbon). Temperature of o air was close to temperature of evaporator. The temperature of the synthesis process was changed in the range of 300-900°C and the gases preasasure in the range of 10-13xl04 Pa. Magnitude of argon flow attained about 0,08 mol/h and and air flow 0,4-8 mol/h. The temperature of evaporator was changed from 60 to 250°C. Other parameters of the synthesis process were settled to assure the value of extended criterion Grx/Rex2<0,001. The transparency of obtained samples was tested. The microstructure of these layers was examined by scanning and transmission microscopy. X-ray analysis also was performed.

3

Rozwój technologii światłowodów telekomunikacyjnych w początku XXI wieku

Wójcik J.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2002

|

nr 3

135-143

PL

Na tle istotnych dla telekomunikacji właściwości włókien optycznych omówiono tworzywa konstrukcyjne, technologie produkcji i rodzaje światłowodów. Uwzględniono aktualne kierunki rozwoju technologii światłowodów w aspekcie stosowanych materiałów, jak też konstrukcji najnowszych rodzajów włókien.

EN

On essential background proprieties of optical fibers for telecommunication one talk over constructional materials, technologies of production and kinds of optical fibers. One took into account current directions of development of optical fibers technology in aspects of applied materials and in construction the latest kinds of fibers.

4

Wstępne badania nad syntezą warstw YBa2Cu3O7x(YBCO) metodą MOCVD

Kwatera A., Sawka A., Andreasik P.

Inżynieria Materiałowa

|

2002

|

R. XXIII, nr 5

384-386

PL

Warstwy nadprzewodzącego YBCO(YBa2Cu3O7x) syntezowano metodą MOCVD (Metal Organic Chemical Vapour Deposition) na szkle kwarcowym oraz na szkle kwarcowym z pośrednią warstwą Al2O3 o grubości ok. 0,3 mikrometra nanoszoną z acetyloacetonianu glinu metodą MOCVD w temperaturze 800 i 1000 stopni Celsjusza. Jako reagentów do syntezy YBCO użyto 2,2,6,6-tetrametylo-3,5-heptanodionianów Y, Ba i Cu-Y(tmhd)3, Ba(tmhd)2 i Cu(tmhd)2. Gazami nośnymi były argon i powietrze. Za pomocą powietrza utleniano węgiel (uboczny produkt pyrolizy metaloorganicznych związków). Temperaturę syntezy warstw zmieniano w zakresie 800-870 stopni Celsjusza. Zbadano niektóre właściwości tych warstw. W pracy przedstawiono wstępne wyniki badań.

EN

Superconducting layers of YBCO(YBa2CuO7x) were synthesized by the MOCVD method on quartz glass and quartz glass covered with Al2O3 layer (thickness about 0,3 micrometer). Which were deposited at temperature 800 and 1000 degrees centigrade using aluminium acetylacetonate (Al(O2C5H7)3) as precursor. YBCO layers was synthesized using 2,2,6,6--tetramethyl-3,5-heptodiante Y, Ba and Cu-Y(tmhd)3, Ba(tmhd)2 and Cu(tmhd)2. Argon and air were used as carrier gases. Air was necessary for elimination of carbon - solid by-product of pyrolisis of organometallic precursors. The temperature of synthesis process was changed in the range of 800-870 degrees centigrade. Some properties of the layers obtained were examined.

5

Preparation of highly transparent and uniform in thickness CVD layers of Si3N4 on dielectric substrates.

Kwatera A., Sawka A.

Inżynieria Materiałowa

|

2001

|

R. XXII, nr 4

521-523

EN

Highly transparent and uniform in thickness Si3N4 layers were synthesized on the inner surfaces of the quartz glass tubes by the CVD method using SiH4 (3% by volume) with N2 and pure ammonia (NH3) gas mixtures. Argon (Ar) was used as a carrier gas. These layers were deposited in the temperature range of 850-1000 degrees centigrade. The value of Grx/square Rex criterion was below 0,15. Experiments in CsClvap at 1100 degrees centigrade for 2 h showed that continuous Si3N4 layers protect quartz glass substrate against caesium diffusion into its surface.

PL

Mało zróżnicowane w grubości oraz charakteryzujące się wysoką przeświecalnością warstwy Si3N4 syntezowano na szkle kwarcowym metodą CVD. Jako reagenty stosowano SiH4 z N2 oraz czysty NH3, zaś jako gazu nośnego użyto argonu (Ar). Warstwy te osadzano w temperaturach 850-1000 stopni Celsjusza. Wartość rozwiniętego kryterium Grx/Rex do kwadratu wynosiła mniej niż 0,15. Otrzymane warstwy testowano w parach CsCl2 w temperaturze 1100 stopni Celsjusza przez 2 h. Test ten wykazał, że ciągłe warstwy Si3N4 chronią powierzchnię szkła kwarcowego przez dyfuzję do niej cezu.