Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2008

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: symulacja przyrządów półprzewodnikowych

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie algorytmu ewolucyjnego do znajdowania przybliżeń początkowych w symulacji struktur półprzewodnikowych

Wąchała G., Pfitzner A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 1

54-56

W pracy wykorzystano metodę ewolucyjną do określania rozkładu potencjału elektrostatycznego jako przybliżenia początkowego w symulacji struktur półprzewodnikowych. Wprowadzono operację mutacji lokalnej oraz selekcję pośrednią dla przyspieszenia zbieżności i redukcji nakładów obliczeniowych algorytmu ewolucyjnego. Opracowany algorytm pozwala wyznaczyć automatycznie dla dowolnej konstrukcji przyrządu przybliżenia bliskie poszukiwanemu rozwiązaniu w stopniu zapewniającym zbieżność algorytmu deterministycznego (Newtona-Raphsona) użytego do osiągnięcia docelowej dokładności symulacji. Weryfikację tej hybrydowej metody przeprowadzono dla struktury tranzystora MOS i bipolarnego.

In this paper the evolutionary method has been proposed to determine distribution of the electrostatic potential as an initial solution for semiconductor device simulation. Local mutation operation and middle selection was introduced to improve convergence and to reduce calculation expense. The constructed algorithm allows to evaluate initial approximations automatically for any device structure. These approximations are close enough to the final solutions to secure convergence of deterministic algorithm (Newton-Raphson) used to obtain required accuracy. This hybrid method was verificated in the case of MOS and bipolar transistor structure.